Chebanenko, Anatoliy P.Polischuk, A. V.Чебаненко, Анатолий ПавловичПолищук, А. В.Чебаненко, Анатолій ПавловичПоліщук, А. В.2019-01-092019-01-092018Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/20860The electrical characteristics of composite structures based on nanocrystals of cadmium sulfide in a gelatin matrix are studied. It is shown that in the freshly prepared structures, an electric field is formed, which irreversibly increases the electrical resistance of the structures. A complicated form of the temperature dependence of the current is obtained, which is associated with the participation in the current transport of H+ and OH− ions in the low-temperature region and electrons arising from rupture of π-bonds in the high-temperature region.Исследованы электрические характеристики композитных структур на основе нанокристаллов сульфида кадмия в желатиновой матрице. Показано, что в свежеприготов- ленных структурах имеет место формовка электрическим полем, которая необратимо по- вышает електрическое сопротивление структур. Получен сложный вид температурной за- висимости тока, который связывается с участием в токопереносе ионов Н+ и ОН- в области низких температур и электронов, возникающих в результате разрыва π-связей, в области высоких температур.Досліджено електричні характеристики композитних структур на основі нано- кристалів сульфіду кадмію в желатиновій матриці. Показано, що у свіжовиготовлених струк- турах має місце формовка електричним полем, яка необоротно підвищує електричний опір структур. Отримано складний вигляд температурної залежності струму, який пов’язується з участю у струмопереносі іонів Н+ та ОН− в області низьких температур і електронів, ви- никаючих в результаті руйнування π-зв’язків в області високих температур.encadmium sulphidenanocrystalsgelatin filmselectrical conductivityсульфид кадмиянанокристаллыпленки желатинаэлектропроводностьсульфід кадміюнанокристалиплівки желатинуелектропровідністьArticle