Kurmashev, Shamil D.Buhaiova, T. M.Lavrenova, T. I.Sadova, N. N.Курмашев, Шамиль ДжамашевичБугаева, Т. Н.Лавренова, Т. И.Садова, Н. Н.2010-09-062010-09-062010Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/200Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2010. - Вып. 19. - 2010.Resistance pastes on basis RuO2 differ by a relative chemical inactivity Large maintenance of oxide of the coniferous forest and high acidity of glasses, is principal reason of chemical decomposition of Pb2Ru2O7-x and formation of dioxide of ruthenium at burning of the hetero-phase systems As the physical mechanism of current-conduction the transfer of electrons is credible between separate conducting corns by means of thermic-emission emission supposing the presence of activating process. Резистивные пасты на основе RuO2 отличаются относительной химической инертностью. Большое содержание оксида бора и высокая кислотность стёкол — основная причина химического разложения рутенита свинца и образования диоксида рутенита при обжиге гетерофазных систем. В качестве физического механизма токопротекания вероятен перенос электронов между отдельными проводящими зёрнами посредством термоэлектронной эмиссии, предполагающей наличие активационного процесса. Также наблюдался механизм туннелирования электронов. Резистивні пасти на основі RuO2 характеризуються відносною хімічною інертністю. Великий склад оксиду бора і висока кислотність скла — основна причина хімічного розкладу рутеніта свинця і утворення діоксида рутеніта при обжигу гетерофазних систем. В якості фізичного механізму струмопротікання вирогіден перенос электронів проміж окремими провідними зернами за допомогою термоелектронної емісії, при наявності активаційного процесу. Також спостерігався механізм тунелювання электронів.RuO2 resistive pastesPb2Ru2O7-x compoundshetero-phase systems.рутенит свинцатуннелирование электроновгетерофазные системырутеніт свинцятунелювання электронівгетерофазні системиArticle