Терлецкая, Л. Л.Чернова, Е. А.Копыт, Н. Х.2013-12-172013-12-1720083-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/41123-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.В основу создания ряда полупроводниковых приборов заложен принцип действия, который позволяет не только избежать негативного влияния неоднородностей в полупроводниковых материалах на основе соединений А3В5, но и использовать их вклад в функциональном действии приборных структур. Процессы, происходящие в таких приборах, основаны на эффектах накопления и запоминания информации на границах раздела неоднородностей.ruнаноразмерные неоднородностирелаксационно-накопительные процессыфотогетероструктурыArticle