Викулин, И. М.Курмашев, Ш. Д.Майстренко, И. Е.Марколенко, П. Ю.Вікулін, І. М.Курмашев, Ш. Д.Майстренко, І. Е.Марколенко, П.Ю.Vikulin, I. V.Kurmashev, Sh. D.Maistrenko, A. E.Markolenko, P. Yu.2010-09-072010-09-072009Sensor Electronics and Microsystem Technologieshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/205Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт. –Разработана схема датчика температуры на основе генератора на однопереходном транзисторе с двумя токозадающими полевыми транзисторами, частота генерации которого линейно растет с увеличением температуры. Экспериментально исследовано воздействие радиации на его работоспособность. Розроблена схема датчика температури на основі генератора на одноперехідному транзисторі з двома струмозадаючими польовими транзисторами, частота генерації якого лінійно зростає із збільшенням температури. Експериментально досліджена дія радіації на його працездатність. The chart of sensor of temperature is developed on the basis of generator on an unijunction transistor with two current-lead fields transistors, frequency of generation of which linear grows with the increase of temperature. Influence of radiation is experimentally investigational on his capacity.датчикоднопереходный транзисторгенератородноперехідний транзисторsensorunijunction transistorgeneratorДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ВОЗДЕЙСТВИИДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРИ НА ОСНОВІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО І ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРІВ ПРИ ДІЇ РАДІАЦІЇSENSOR OF TEMPERATURE ON THE BASIS OF UNIJUNCTION AND FIELD TRANSISTORS AT THE RADIATION-DAMAGEArticle