Fedchuk, Oleksandr P.Glushkov, Oleksandr V.Lepikh, Yaroslav I.Lovett, L.Ignatenko, Anna V.Федчук, Олександр ПетровичГлушков, Олександр ВасильовичЛепіх, Ярослав ІллічІгнатенко, Ганна ВолодимирівнаФедчук, Александр ПетровичГлушков, Александр ВасильевичЛепих, Ярослав ИльичИгнатенко, Анна Владимировна2014-01-252014-01-252013Фотоэлектроника = Photoelectronicshttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4321Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2013. - англ.The Stark effect for non-H atom of rubidium and exciton in semiconductor in an external uniform electric field is studied within the operator perturbation theory method. The Stark resonance energies in rubidium and excitons in the Cu20 semiconductor and in the GaAs quantum dots in the electric field are listed.На підставі методу операторної теорії збурень виконано дослідження Штарк-ефекту для атому рубідію та ехсітонів в напівпровідниках у зовнішньому однорідному електричному полі. Надані дані щодо енергій штарківських резонансів для атому рубідію та ексітонів у Сu20 та GaAs напівпровідників в електричному полі.На основе метода операторной теории возмущений выполнено исследование Штарк-эффекта для атома рубидия и экситонов в полупроводниках во внешнем однородном электрическом поле. Получены данные по энергиям штарковских резонансов для атома рубидия и экситонов в полупроводниках Cu20 и GaAs в электрическом полеenatomexcitonStark effectатомексітонШтарк-ефектэкситонШтарк-эффектSTARK EFFECT AND RESONANCES IN THE IONIZATION CONTINUUM FOR EXCITONS IN QUANTUM DOTS AND ATOMS IN AN ELECRIC FIELDШТАРК ЕФЕКТ ТА РЕЗОНАНСИ У ІОНІЗАЦІЙНОМУ КОНТИНУУМІ ДЛЯ ЕКСІТОНІВ І АТОМІВ У ЕЛЕКТРИЧНОМУ ПОЛІШТАРК ЭФФЕКТ И РЕЗОНАНСЫ В ИОНИЗАЦИОННОМ КОНТИНУУМЕ ДЛЯ ЭКСИТОНОВ И АТОМОВ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕArticle