Особливості термо-оптичного збудження в напівпровідниках

dc.contributor.authorКаракіс, Юрій Миколайович
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.contributor.authorЗатовська, Наталія Петрівна
dc.contributor.authorБорщак, Віталій Анатолійович
dc.contributor.authorЛавренова, Т. І.
dc.contributor.authorБорщак, Виталий Анатольевич
dc.contributor.authorBorshchak, Vitalii A.
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorKarakis, Yurii M.
dc.date.accessioned2019-02-18T08:27:24Z
dc.date.available2019-02-18T08:27:24Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractНа основі результатів дослідження ефекту інфрачервоного гасіння фотоструму у нитковидних монокристалах CdS показано, що на відмінність від моделі Р. Бьюба можливе дещо інше енергетичне розміщення рівнів R та R’ (рис. 1) тобто можлива інша черговість термо-оптичних переходів при звільненні дірок з R-центрів – спочатку дірки за рахунок тепла переводяться на збуджені R’-стани і лише потім світлом збуджуються у валентну зону.uk
dc.identifier.citation"Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-8)", міжнар. науково-техн. конф. (8; 2018; Одеса) Тези доповідей, 28 трав.-1 чер., 2018 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-8)", міжнар. науково-техн. конф. (8; 2018; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2018.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/21813
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.subjectтермо-оптичного збудженняuk
dc.subjectнапівпровідникиuk
dc.titleОсобливості термо-оптичного збудження в напівпровідникахuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
99.pdf
Розмір:
310.33 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: