Исследование процессов токопереноса на границах раздела и в объёме полупроводниковых барьерных структур с целью создания эффективных оптических и рентгеновских сенсоров изображения
Альтернативна назва
Вантажиться...
Файли
Дата
2000
Автори
Смынтына, Валентин Андреевич
Куталова, Мария Ивановна
Затовская, Наталия Петровна
Борщак, Виталий Анатольевич
Каракис, Юрий Николаевич
Borshchak, Vitalii A.
Борщак, Віталій Анатолійович
Куталова, Марія Іванівна
Kutalova, Mariia I.
Каракіс, Юрій Миколайович
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Разработана модель, позволяющая с единых позиций объяснить явления, связанные с токопереносом в области пространственного заряда гетероперехода CdS—Cu2S, причем установлено, что существенную роль в таком токопереносе играет туннельно-прыжковая проводимость по состояниям в запрещенной зоне CdS с последующей рекомбинацией носителей на состояниях границы раздела. На базе неидеальной тонкопленочной гетероструктуры создан сенсор изображения с внутренним усилением, эффективно работающий в оптическом и рентгеновском диапазонах.
Опис
Ключові слова
проводимость, рентгеновский диапазон, токоперенос, барьерные структуры, рентгеновский сенсор
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics