The study of heterogeneous sensitized crystals of cadmium sulfide. Part I. About charge of the centers recombination

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorSimanovych, Nadiia S.
dc.contributor.authorBrytavskyi, Yevhen V.
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorBorshchak, Vitalii A.
dc.contributor.authorKarakis, Yurii M.
dc.contributor.authorСіманович, Надія Станіславівна
dc.contributor.authorБритавський, Євген Вікторович
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.contributor.authorБорщак, Віталій Анатолійович
dc.contributor.authorКаракіс, Юрій Миколайович
dc.contributor.authorСиманович, Надежда Станиславовна
dc.contributor.authorБритавский, Евгений Викторович
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна
dc.contributor.authorБорщак, Виталий Анатольевич
dc.contributor.authorКаракис, Юрий Николаевич
dc.date.accessioned2018-01-30T12:30:09Z
dc.date.available2018-01-30T12:30:09Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractThe photovoltaic properties of CdS crystals with combined alloying have been investigated. An analytical expression for the dependence of the coefficient of damping of the intensities of exciting and quenching light has been received. For the first time the concentration of fast recombination centers has been estimated. The charge state of S - and R- centersis expected. The exclusive method of decision of the system of equalizations is thus created. Modulation of LAC is shown by IR light.uk
dc.description.abstractДосліджені фотоелектричні властивості кристалів CdS з комбінованим легуванням. Отримано аналітичний вираз для залежності коєфіціента гасіння от інтенсивностей збуджующего і гасящего світла. Вперше оцінена концентрація центрів швидкої рекомбінації. Розрахован зарядовий стан S- і R-центрів. При цьому створено ексклюзивний метод вирішення системи рівнянь. Продемонстрована модуляція ЛАХ інфрачервоним світлом.uk
dc.description.abstractИсследованы фотоэлектрические свойства кристаллов CdS с комбинированным легированием. Получено аналитическое выражение для зависимости коэффициента гашения от интенсивностей возбуждающего и гасящего света. Впервые оценена концентрация центров быстрой рекомбинации. Рассчитано зарядовое состояние S- и R-центров. При этом создан эксклюзивный метод решения системы уравнений. Продемонстрирована модуляция ЛАХ инфракрасным светом.uk
dc.identifierУДК 621.315.592
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/12639
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 26.
dc.subjectcoefficient of dampinguk
dc.subjectCdSuk
dc.subjectIR lightuk
dc.subjectкоєфіціент гасінняuk
dc.subjectкоєфіціент гасінняuk
dc.subjectінфрачервоне світлоuk
dc.subjectкоэффициент гашенияuk
dc.subjectсульфид кадмияuk
dc.subjectинфракрасный светuk
dc.titleThe study of heterogeneous sensitized crystals of cadmium sulfide. Part I. About charge of the centers recombinationuk
dc.title.alternativeДослідження неоднорідно зчувствленних кристалів сульфіду кадмія. Частина І. Про зарядовий стан центрів рекомбінаціїuk
dc.title.alternativeИсследование неоднородно очувствленных кристаллов сульфида кадмия. Часть I. О зарядовом состоянии центров рекомбинацииuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
124-138.pdf
Розмір:
561.63 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics