Властивості надтонких плівок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) - n(Cd Se) в дальній ІЧ-області спектру

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЛепіх, Ярослав Ілліч
dc.contributor.authorІванченко, Іраїда Олександрівна
dc.contributor.authorБудіянська, Людмила Михайлівна
dc.contributor.authorLepikh, Yaroslav I.
dc.contributor.authorIvanchenko, Iraida A.
dc.contributor.authorBudiyanskaya, Ludmyla M.
dc.contributor.authorЛепих, Ярослав Ильич
dc.contributor.authorИванченко, Ираида Александровна
dc.contributor.authorБудиянская, Людмила Михайловна
dc.date.accessioned2012-11-28T11:35:50Z
dc.date.available2012-11-28T11:35:50Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractДосліджено механізм виникнення чутливості надтонких плівок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) - n (Cd Se) з в дальній інфрачервоній (ІЧ) області спектру, який полягає в інжекції неосновних носіїв заряду з вузькозонного напівпровідника, що поглинає ІЧ-випромінювання, в широкозонний напівпровідник за участю механізму обмеження струму просторовим зарядом. Показана можливість створення неохолоджуваного власного фотоприймача (ФП) в області А=10 мкм на їх основі, виходячи з того, що інверсія зон спостерігається при температурах 77, 195 і 300°К і складах сполуки 0,19; 0,25 і 0,30 відповідно. Розроблена методика отримання полікристалічних злитків вузькозонної напівпровідникової сполуки Pb1 xSnxSe зі складом, чутливим в області А=10 мкм при кімнатній температурі. Розроблена конструкція і технологія виготовлення плівкових двошарових фотогетерорезисторів на основі р-п-переходу p(Pb1 xSnxSe) - n (Cd Se) з пороговою чутливістю PN = 10-6.. .10-7 Вт/Гц1/2 та плівкового матричного неохолоджуваного фотоприймача, чутливого в області А=10,6 мкм, з пороговою чутливістю елемента не гірше 10-6 Вт/Гц1/2.uk
dc.description.abstractThe mechanism of the р(РЦ xSnxSe) - n (Cd Se) heterostructures ultrathin film sensitivity in the far infrared (IR) spectrum range, which consists of minority carriers injection from the narrowgap semiconductor which absorbs infrared radiation, into the wide-gap semiconductor with the mechanism limiting the current spatial charge, has been investigated. The possibility of creating the own uncooled photodetector (PhD) in the field of A=10 pm on their basis has been shown, assuming that the zone inversion is observed at temperatures of 77, 195 and 300° К and structure compounds of 0.19, 0.25 and 0.30, respectively. A method for obtaining polycrystalline ingots of the Pb1 xSnxSe narrow-band semiconductor compound with a composition sensitive in the field of l=10 m at room temperature has been developed. The design and manufacturing technology of film bilayer photoheteroresistors based on p(Pb1 xSnxSe)-n(CdSe) pn-junction with a threshold sensitivity of PN = 10-6.. .10-7 Vt/Gts1/2, as well as a film matrix uncooled photodetector sensitive in l=10,6 pm, with a threshold sensitivity of the element not worse than 10-6 W/Hz 1/2 has been engineered.uk
dc.description.abstractИсследован механизм возникновения чувствительности сверхтонких пленок гете¬роструктур p(Pbj xSnxSe) - n (Cd Se) в инфракрасной (ИК)-области спектра, который заключается в инжекции неосновных носителей заряда из узкозонного полупроводника, поглощающего ИК- излучение, в широкозонный полупроводник с участием механизма ограничения тока простран¬ственным зарядом. Показана возможность создания на их основе неохлаждаемого собственного фотоприемника (ФП) в области А=10 мкм, исходя из того, что инверсия зон наблюдается при температурах 77, 195 и 300 К и составах 0,19, 0,25 и 0,30 соответственно. Разработана методика получения поликристаллических слитков узкозонного полупроводни-кового соединения Pb1xSnxSe с составом, чувствительным в области А=10 мкм при комнатной температуре. Разработана конструкция и технология изготовления пленочных двухслойных фотогетерорезисторов на основе p-n перехода p(Pb1-xSnxSe) - n (Cd Se) с пороговой чувствительностью PN = 10-6.10-7 Вт/Гц1/2, а также пленочного матричного неохлаждаемого фотоприемника, чувствительного в области А,= 10,6 мкм, с пороговой чувствительностью элемента не хуже 10-6 Вт/ Гц1/2.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronіcs and Mіcrosystem Technologіesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2708
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Т. 3(9), № 2
dc.subjectІЧ-фотоприймачuk
dc.subjectнапівпровідникові гетероструктуриuk
dc.subjectінверсія зонuk
dc.subjectфотогетерорезисторuk
dc.subjectinfrared photodetectoruk
dc.subjectsemiconductor heterostructuresuk
dc.subjectthe zones inversionuk
dc.subjectphotoheteroresistoruk
dc.subjectИК-фотоприемникuk
dc.subjectполупроводниковые гетероструктурыuk
dc.subjectинверсия зонuk
dc.subjectфотогетерорезисторuk
dc.titleВластивості надтонких плівок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) - n(Cd Se) в дальній ІЧ-області спектруuk
dc.title.alternativep(Pbl-xSnxSe) - n (Cd Se) heterostructure ultrathin film properties in the farinfrared spectrum rangeuk
dc.title.alternativeСвойства сверхтонких пленок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) - n(Cd Se) в дальней ИЧ-области спектраuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
25-30.pdf
Розмір:
159.63 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології