RADIATION IMMUNITY OF THE PLANAR n-p-n-TRANSISTORS

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorVikulin, Ivan M.
dc.contributor.authorKurmashev, Shamil D.
dc.contributor.authorMarkolenko, P. YU.
dc.contributor.authorGechev, P. P.
dc.contributor.authorВикулин, Иван Михайлович
dc.contributor.authorКурмашев, Шамиль Джамашевич
dc.contributor.authorМарколенко, П. Ю.
dc.contributor.authorГечев, П. П.
dc.contributor.authorВікулін, Іван Михайлович
dc.contributor.authorКурмашев, Шаміль Джамашевич
dc.contributor.authorМарколенко, П. Ю.
dc.contributor.authorГечев, П. П.
dc.date.accessioned2010-09-14T07:03:12Z
dc.date.available2010-09-14T07:03:12Z
dc.date.issued2009
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.uk
dc.description.abstractInfluence of streams of electrons, neutrons and !–quantum is investigational on the amplification factor of bipolar planar-epitaxial transistors. It is shown that a preliminary thermal-electric-train allows to increase of radiation immunity in 2–3 times. Исследовалось влияние потоков электронов, нейтронов и !-квантов на коэффициент усиления биполярных планарноэпитаксиальных транзисторов. Показано, что предварительная электротермотренировка позволяет увеличить радиационную устойчивость приборов в 2 раза. Досліджувався вплив потоків електронів, нейтронів і ! –квантів на коефіцієнт підсилення біполярних планарно-епітакс ійних транзисторів. Показано, що попереднє електротермотренування дозволяє підвищити радіаційну стійкість приладів в 2 рази.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/348
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 18. - С. 136 - 139.
dc.subjectneytronsuk
dc.subjectadiation immunitiuk
dc.subjecttransistorsuk
dc.subjectнейтроныuk
dc.subjectрадиационная стойкостьuk
dc.subjectтранзисторuk
dc.subjectнейтрониuk
dc.subjectрадіаційна стійкістьuk
dc.subjectтранзисториuk
dc.titleRADIATION IMMUNITY OF THE PLANAR n-p-n-TRANSISTORSuk
dc.title.alternativeРАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ПЛАНАРНЫХ n-p-n-ТРАНЗИСТОРОВuk
dc.title.alternativeРАДІАЦІЙНА СТІЙКІСТЬ ПЛАНАРНИХ n-p-n -ТРАНЗИСТОРІВuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
fotoel_18_2009_136-139.pdf
Розмір:
76.28 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics