Исследование структуры ионнолегированного кремния после импульсного лазерного отжига

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorТерлецкая, Л. Л.
dc.contributor.authorКопыт, Николай Харламович
dc.contributor.authorГолубцов, Вячеслав Васильевич
dc.contributor.authorТерлецька, Л. Л.
dc.contributor.authorКопит, М. Х.
dc.contributor.authorГолубцов, В. В.
dc.contributor.authorTerletskaya, L. L.
dc.contributor.authorKopyt, Mykola Kh.
dc.contributor.authorGolubtsov, V. V.
dc.date.accessioned2010-10-15T09:59:38Z
dc.date.available2010-10-15T09:59:38Z
dc.date.issued2004
dc.descriptionФизика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, кафедра теплофизики. - Одесса, 1969. –uk
dc.description.abstractПредставлены результаты исследования влияния когерентного излучения на степень активации примеси в ионнолегированных структурах кремния. Рассмот- рены физические процессы, происходящие в приповерхностной области образ- цов кремния при воздействии лазерного отжига. Показана возможность суще- ственного улучшения электрофизических характеристик кремния путем оптими- зации параметров лазерного излучения. Представлено результати дослідження впливу когерентного випроміню- вання на ступінь активації домішки в іоннолегованих структурах кремнію. Розглянуто фізичні процеси, що відбуваються у приповерхневій області зра- зків кремнію за умов дії лазерного відпалу. Показано можливість суттєвого поліпшення елекрофізичних характеристик кремнію шляхом оптимізації параметрів лазерного випромінювання. Results of study of the influence of coherent radiation on the degree of impurity activation in the ion-implantation silicon structures are presented. There are considered physical proceses in surface region of silicon sample at the laser annealing. It is shown the possibility of improvement of the electrophysicals characteristics of silicon by means optimisation of lasers emission parameters.uk
dc.identifier.citationФизика аэродисперсных системuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/928
dc.publisherОдесский национальный университет имени И.И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вып. 41. - С. 147 - 151.
dc.titleИсследование структуры ионнолегированного кремния после импульсного лазерного отжигаuk
dc.title.alternativeДослідження структури іоннолегованого кремнію після імпульсного лазерного відпалуuk
dc.title.alternativeInvestigation of the structure of ion-implantation silicon after the puls laser annealinguk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
fas_41_147-151+.pdf
Розмір:
141.32 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Фізика аеродисперсних систем