Determination of parameters for intercrystallite barriers of Zinc selenide electroluminescent Films

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorChebanenko, Anatoliy P.
dc.contributor.authorChemeresiuk, Heorhii H.
dc.contributor.authorЧебаненко, Анатолій Павлович
dc.date.accessioned2018-06-06T07:36:35Z
dc.date.available2018-06-06T07:36:35Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractVolt-current ch ara cte ristics and tem p e ra tu re dependencies of c u rre n t for zinc selenide e lectro lumin e sc en t films are p resented. The possibility to determine some param ete rs of polycrystalline layer from th e s e m e a su rem en ts — linear sizes of crystallites, th ick n e ss and en ergy height of intercry sta llin e potential b arriers is shown.uk
dc.identifierUDC 621.315.592
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16611
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вип. 13.
dc.subjectzincuk
dc.subjectpolycrystallineuk
dc.subjectluminescentuk
dc.subjectintercrystalliteuk
dc.titleDetermination of parameters for intercrystallite barriers of Zinc selenide electroluminescent Filmsuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
с.92-94.pdf
Розмір:
1.8 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics