Модификация объемных и приповерхностных свойств фосфида галлия в процессе лазерного легирования атомами индия

dc.contributor.authorСтукалов, Сергей Анатольевичru
dc.contributor.authorЖуков, Сергей Александровичru
dc.contributor.authorЕвтушенко, Нина Германовнаru
dc.contributor.authorТюрин, Александр Валентиновичru
dc.contributor.authorРотнер, Сергей Михайловичru
dc.contributor.authorТюрін, Олександр Валентиновичuk
dc.contributor.authorTyurin, Oleksandr V.en
dc.contributor.authorЖуков, Сергій Олександровичuk
dc.contributor.authorZhukov, Serhii O.en
dc.date.accessioned2019-03-28T09:47:10Z
dc.date.available2019-03-28T09:47:10Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractРазработка методов и понимание механизмов управления свойствами полупроводниковых материалов является одной из главных задач для создания оптоэлектронных устройств с заданными свойствами. Как было показано в [1], лазерное легирование позволяет получать гетеропереходы с приемлемыми фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами.ru
dc.identifier.citation"Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/23381
dc.language.isoru
dc.subjectсвойства полупроводниковых материаловru
dc.subjectлазерное легированиеru
dc.subjectгетероструктуры GaInP-GaPru
dc.subjectфосфид галлияru
dc.titleМодификация объемных и приповерхностных свойств фосфида галлия в процессе лазерного легирования атомами индияru
dc.typeArticle
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
169.pdf
Розмір:
258.91 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: