Investigation of chemical and phase composition of CdS-Cu2S sensoric layers

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBorshchak, Vitalii A.
dc.contributor.authorBrytavskyi, Yevhen V.
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorБорщак, Віталій Анатолійович
dc.contributor.authorБритавський, Євген Вікторович
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.contributor.authorБорщак, Виталий Анатольевич
dc.contributor.authorБритавский, Евгений Викторович
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна
dc.date.accessioned2015-10-06T09:38:00Z
dc.date.available2015-10-06T09:38:00Z
dc.date.issued2015
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2015.uk
dc.description.abstractA set of studies aimed at clarifying the deviation from the stoichiometry of CuxS compound during the formation and followed over time to establish the characteristics of changes in the chemical composition of the heterojunction components were carried out. The question of relationship between optoelectrical properties of heterostructures and distribution of stoichiometry in the layer of copper sulfide is open, informative and very important for the practical implementation of the developed sensor. Electrochemical analysis and study by X-ray diffraction for large samples set were conducteduk
dc.description.abstractРобота присвячена комплексу досліджень, направлених на з’ясування відхилень від стехіометрії сполуки CuxS при її формуванні та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Враховуючи, що питання про зв’язок ступеню та розподілу стехіометрії в шарі сульфіду міді з оптоелектричними властивостями гетероструктури є відкритим, інформативним та надзвичайно важливим для практичного впровадження розробленого сенсору, для великої вибірки зразків були проведені електрохімічний аналіз та дослідження методом рентгенівської дифрактометрії.uk
dc.description.abstractРабота посвящена комплексу исследований, направленных на выяснение отклонений от стехиометрии соединения CuxS при формировании и с последующим течением времени для установления особенностей изменения химического состава компонентов гетероперехода. Учитывая, что вопрос о связи степени и распределения стехиометрии в слое сульфида меди с оптоелектрическими свойствами гетероструктуры является открытым, информативным и чрезвычайно важным для практического внедрения разработанного сенсора, для большой выборки образцов были проведены электрохимический анализ и исследования методом рентгеновской дифрактометрии.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/7296
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдесский национальный университет имени И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 24, р. 72-76.
dc.subjectnonideal heterojunctionuk
dc.subjectimage sensoruk
dc.subjectphase compositionuk
dc.subjectXRDuk
dc.subjectнеідеальний гетероперехідuk
dc.subjectсенсор зображеньuk
dc.subjectфазовий складuk
dc.subjectрентгено-структурний аналізuk
dc.subjectнеидеальный гетеропереходuk
dc.subjectсенсор зображенийuk
dc.subjectфазовый составuk
dc.subjectрентгено-структурный анализuk
dc.titleInvestigation of chemical and phase composition of CdS-Cu2S sensoric layersuk
dc.title.alternativeМоделювання швидкої фази спаду сигналу оптичного сенсору на основі гетеростуктури CdS-Cu2Suk
dc.title.alternativeМоделирование быстрой фазы спада сигнала оптического сенсора на основе гетероструктуры CdS-Cu2Suk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
72-76.pdf
Розмір:
334.02 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics