Влияние облучения электронами на характеристики инжекционных фотоприемников
dc.contributor.author | Курмашев, Шамиль Джамашевич | |
dc.contributor.author | Викулин, Иван Михайлович | |
dc.contributor.author | Беньковский, П. В. | |
dc.date.accessioned | 2019-03-28T09:36:53Z | |
dc.date.available | 2019-03-28T09:36:53Z | |
dc.date.issued | 2010 | |
dc.description.abstract | В работе изучались кремниевые фотоприемники (фоторезисторы и инжекционные фотодиоды), изготовленные из компенсированного материала (Si<Au>), подвергнутые облучению потоками быстрых электронов. Радиационная стойкость фотоприемников в первую очередь определяется степенью деградации значений удельной обнаружительной способности и фоточувствительности. Обнаружено, что низкотемпературный край нормированных спектров относительной фоточувствительности, зарегистрированных при температурах 77 и 100 К, для фотоприемников до и после облучения быстрыми электронами с интегральным потоком 3·1015 см-2, смещается в длинноволновую сторону (участок спектра собственной фоточувствительности). Это можно связать с образованием новых энергетических уровней в запрещенной зоне кремния. В то же время коротковолновый край участка спектра примесной фоточувствительности смещается в высокоэнергетическую сторону спектра. Величины абсолютных значений обнаружительной способности и фоточувствительности резко уменьшаются. Уменьшается также быстродействие, т.к. при облучении сопротивление эквивалентного фоторезистора увеличивается.. Отмечена высокая чувствительность коэффициента фотоэлектрического усиления к облучению быстрыми электронами | uk |
dc.identifier.citation | "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с. | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/23380 | |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | Астропринт | uk |
dc.subject | фотоприемник | uk |
dc.subject | фоточувствительность | uk |
dc.subject | облучение быстрыми электронами | uk |
dc.title | Влияние облучения электронами на характеристики инжекционных фотоприемников | uk |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: