Механизм излучательной рекомбинации в эпитаксиальных пленках теллурида цинка, легированных алюминием

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДали, Абдул Кадер
dc.contributor.authorАли Нажи Дарвишо
dc.contributor.authorМалушин, Николай Васильевич
dc.contributor.authorСердюк, Виктор Васильевич
dc.contributor.authorСкобеева, Валентина Михайловна
dc.contributor.authorСкобєєва, Валентина Михайлівна
dc.contributor.authorSkobeeva, Valentyna M.
dc.date.accessioned2018-05-29T10:11:33Z
dc.date.available2018-05-29T10:11:33Z
dc.date.issued1996
dc.description.abstractИсследована примесная люминесценция эпитаксиальных пленок теллурида цинка, легированных алюминием в процессе роста из жидкой фазы. Показано, что атомы алюминия создают в теллуриде цинка два типа дефектов, которые ответственны за полосы люминесценции X = 0,58 и 0,61 мкм.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16207
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вып. 6.
dc.subjectтеллурид цинкаuk
dc.subjectпримесная люминесценция эпитаксиальных пленокuk
dc.titleМеханизм излучательной рекомбинации в эпитаксиальных пленках теллурида цинка, легированных алюминиемuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
20-21.pdf
Розмір:
207.04 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics