ЦЕНТРЫ МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ

dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич
dc.date.accessioned2012-10-15T08:02:39Z
dc.date.available2012-10-15T08:02:39Z
dc.date.issued1983
dc.descriptionФизика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз.uk
dc.description.abstractВ результате отжига,при котором уменьшается концентрация вакансий селена благодаря их диффузии к поверхности,проявляют свое влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллическпх слоев селенида кадмия к-центры медленной рекомбинации.Энергетические уровни к-центров расположены на 0.23—0.25 эВ выше потолка валентной зоны. Природа к-центров определяется присутствием в структуре слоя селенида кадмия собственных дефектов вакансий кадмия в отличие от r-центров медленной рекомбинации, которые связаны с примесями в полупроводниковом материале.uk
dc.identifier.citationФизика и техника полупроводниковuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2609
dc.language.isoruuk
dc.publisherНаукаuk
dc.relation.ispartofseries;Т.17,вып.4,С.679-682
dc.titleЦЕНТРЫ МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
679-682.PDF
Розмір:
2.04 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: