ЦЕНТРЫ МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ
dc.contributor.author | Смынтына, Валентин Андреевич | |
dc.date.accessioned | 2012-10-15T08:02:39Z | |
dc.date.available | 2012-10-15T08:02:39Z | |
dc.date.issued | 1983 | |
dc.description | Физика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз. | uk |
dc.description.abstract | В результате отжига,при котором уменьшается концентрация вакансий селена благодаря их диффузии к поверхности,проявляют свое влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллическпх слоев селенида кадмия к-центры медленной рекомбинации.Энергетические уровни к-центров расположены на 0.23—0.25 эВ выше потолка валентной зоны. Природа к-центров определяется присутствием в структуре слоя селенида кадмия собственных дефектов вакансий кадмия в отличие от r-центров медленной рекомбинации, которые связаны с примесями в полупроводниковом материале. | uk |
dc.identifier.citation | Физика и техника полупроводников | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2609 | |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | Наука | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;Т.17,вып.4,С.679-682 | |
dc.title | ЦЕНТРЫ МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ | uk |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: