Вплив халькогенідної обробки на проходження струмів у p-n переходах на основі арсеніду галію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorШершньов, Ігор Ігорович
dc.date.accessioned2023-11-02T12:00:26Z
dc.date.available2023-11-02T12:00:26Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractАрсенід галію є одним з найбільш поширених напівпровідникових матеріалів сучасної електроніки. Світовою технологічною тенденцією є постійне зменшення розмірів електронних приладів на основі GaAs . При цьому ефекти, пов'язані з поверхневими явищами, стають більш вираженими. Зазвичай мінімізація їх негативного впливу на характеристики електронних пристроїв досягається за допомогою пасивації. Однією з перспективних методик у цьому напрямку є халькогенідна пасивація поверхні. Така обробка поєднує як хімічну, так і електронну пасивацію. Після халькогенідної пасивації поверхні повністю або часткове видаляються поверхневі оксиди, відбувається реконструкція поверхні та утворюється пасивуючий шар Ga2S3. Такі процеси супроводжуються зменшенням щільності поверхневих станів і зменшенням швидкості поверхневої рекомбінації. Це призводить до покращення характеристик напівпровідникових приладів на основі арсеніду галію. Незважаючи на велику кількість експериментальних робіт, досі відсутні систематичні дослідження процесів халькогенідної пасивації для різних концентрацій розчинника, різних тривалостях обробки. Відкритим також залишається питання локалізації центрів, які зникають після халькогенідної обробки.uk_UA
dc.identifier.citationШершньов, І. І. Вплив халькогенідної обробки на проходження струмів у p-n переходах на основі арсеніду галію : дипломна робота бакалавра / І. І. Шершньов. – Одеса, 2023. – 30 с.uk_UA
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/36512
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherОдеський національний університет ім. І. І. Мечниковаuk_UA
dc.subject104 фізика та астрономіяuk_UA
dc.subjectосвітня програма фізика та астрономіяuk_UA
dc.subjectхалькогенідна обробкаuk_UA
dc.subjectструмuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectp-n переходиuk_UA
dc.titleВплив халькогенідної обробки на проходження струмів у p-n переходах на основі арсеніду галіюuk_UA
dc.typeDiplomasuk_UA
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
104_Shershnov_Ihor_Ihorovych.pdf
Розмір:
1.53 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Бакалаври МФІТ