INFLUENCE OF IMPURITIES AND DISLOCATIONS ON THE VALUE OF THRESHOLD STRESSES AND PLASTIC DEFORMATIONS IN SILICON

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.
dc.contributor.authorSviridova, O. V.
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич
dc.contributor.authorСвиридова, О. В.
dc.contributor.authorСминтина, Валентин Андрійович
dc.contributor.authorСвірідова, О. В.
dc.date.accessioned2010-09-09T12:52:31Z
dc.date.available2010-09-09T12:52:31Z
dc.date.issued2009
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.uk
dc.description.abstractThe dependence of a plastic flow stress and deformation values on the presence of clear and precipitated by impurity initial structural defects in epitaxial p — silicon without foreign impurity and in epitaxial p — silicon with oxygen impurity is investigated. It is established, that, boron doping of silicon is the reason of threshold stress reduction in comparison with threshold stress for clear from defects silicon and leads to reduction of its hardness. Presence of oxygen, precipitating dislocations in plates, stimulates the increase of threshold stress. Исследована зависимость величины напряжений и деформаций начала пластического течения от присутствия чистых и преципитированных примесями исходных структурных дефектов в эпитаксиальном p- кремнии без сторонних примесей и в эпитаксиальном p- кремнии с примесью кислорода. Установлено, что, легирование кремния бором является причиной уменьшения пороговых напряжений по сравнению с пороговыми напряжениями для чистого от дефектов кремния и приводит к уменьшению его прочности. Присутствие в пластинах кислорода, преципитирующего дислокации, стимулирует возрастание пороговых напряжений. Досліджено залежність величини напруги і деформації початку пластичної течії від наявності чистих і преципітованих домішками початкових структурних дефектів в епітаксіальному p- кремнії без сторонніх домішок і в епітаксіальному p- кремнії з домішкою кисню. Встановлено, що, легування кремнію бором є причиною зменшення порогової напруги в порівнянні із пороговою напругою для чистого від домішок кремнію і призводить до зниження його міцності. Присутність в пластинах кисню, преципітуючого дислокації, стимулює зростання порогової напруги.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/263
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 18. - Р. 52 - 56.
dc.subjectdislocationsuk
dc.subjectthreshold stressesuk
dc.subjectplastic deformationsuk
dc.subjectдислокацииuk
dc.subjectпороговое напряжениеuk
dc.subjectпластические деформацииuk
dc.subjectдислокаціїuk
dc.subjectпорогова напругаuk
dc.subjectпластичні деформаціїuk
dc.titleINFLUENCE OF IMPURITIES AND DISLOCATIONS ON THE VALUE OF THRESHOLD STRESSES AND PLASTIC DEFORMATIONS IN SILICONuk
dc.title.alternativeВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ И ДИСЛОКАЦИЙ НА ВЕЛИЧИНУ ПОРОГОВЫХ НАПРЯЖЕНИЙ И ПЛАСТИЧЕСКИХ ДЕФОРМАЦИЙ В КРЕМНИИuk
dc.title.alternativeВПЛИВ ДОМІШОК І ДИСЛОКАЦІЙ НА ВЕЛИЧИНУ ПОРОГОВОЇ НАПРУГИ І ПЛАСТЧНОЇ ДЕФОРМАЦІЇ В КРЕМНІЇuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
fotoel_18_2009_51-56.pdf
Розмір:
172.46 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics