PHOTODETECTOR ON THE BASE OF UNI-JUNCTION TRANSISTOR AND PHOTO-DIODE

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorVikulin, Ivan M.
dc.contributor.authorKurmashev, Shamil D.
dc.contributor.authorNikiforov, S. N.
dc.contributor.authorPanfilov, M. I.
dc.contributor.authorВикулин, Иван Михайлович
dc.contributor.authorКурмашев, Шамиль Джамашевич
dc.contributor.authorНикифоров, С. Н.
dc.contributor.authorПанфилов, М. И.
dc.contributor.authorВікулін, Іван Михайлович
dc.contributor.authorКурмашев, Шаміль Джамашевич
dc.contributor.authorНикифоров, С. Н.
dc.contributor.authorПанфілов, М. І.
dc.date.accessioned2010-09-10T10:25:50Z
dc.date.available2010-09-10T10:25:50Z
dc.date.issued2008
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.uk
dc.description.abstractThe generators on the base of the uni-junction photo-transistor (UPhT) are used as the sensor-photo-detectors with the frequency output. The semiconductor crystal of the n-type conductivity contains two Ohmic base contacts of the n+-type conductivity as well as the injection emitter in a form of p-n-junction (the region of the p+-type) with the electric contacts. The possibility to raise the linearity of the output signal and enlarge the sensitivity of the sensor on the base of UPhT was proposed through introduction of additional n+-region into p+-emitter. Генераторы на основе однопереходных фототранзисторов (ОФТ) используются в качестве сенсоров–фотоприемников с частотным выходом. Полупроводниковый кристалл n-типа проводимости содержит два омических базовых контакта n+- типа проводимости, а также инжектирующий эмиттерный p-n–переход (область p+-типа) с электрическими выводами. Показана возможность повысить линейность выходного сигнала и увеличить чувствительность датчика на основе однопереходного фототранзистора введением дополнительной n+–области в p+-эмиттер. Генератори на базі одноперехідних фототранзисторів (ОФТ) використовуються в якості сенсорів-фотоприймачів з частотним вихідом. Напівпровідниковий кристалл n-типу провідності містить два омічних базових контакти n+-типу провідності, а також інжектуючий емітерний p-n–перехід (область p+-типу) з електричними виводами. Показана можливість підвищення лінійністі вихідного сигналу та зростання чутливості датчика на базі ОФТ шляхом введення додаткової n+-області в p+- емітер.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/295
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 17. - Р. 88 - 90.
dc.titlePHOTODETECTOR ON THE BASE OF UNI-JUNCTION TRANSISTOR AND PHOTO-DIODEuk
dc.title.alternativeФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО ТРАНЗИСТОРА И ФОТОДИОДАuk
dc.title.alternativeФОТОПРИЙМАЧ НА БАЗІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО ТРАНЗИСТОРА ТА ФОТОДІОДАuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Fotoel_17_88-90.pdf
Розмір:
68.91 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics