Методи стабілізації характеристик датчиків на основі магніточутливих транзисторних структур
Вантажиться...
Дата
2020
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Температурна нестабільність основних характеристик напівпровідникових датчиків є перешкодою їх підвищення, зокрема, роздільної здатності. В роботі розглянуті методи
усунення цієї нестабільності датчиків на основі магніточутливих транзисторних структур при
впливі на них температури. Методика зниження температурної нестабільності реалізується за
допомогою включення в схему елементів, параметри яких залежать від температури та метод
послаблення (компенсування) цього паразитного ефекту для двоколекторної магніточутливої
транзисторної (ДМТ) структури завдяки спеціальному вибору зворотних зв'язків у схемі обробки сигналу.
Temperature instability of the semiconductor gauge main characteristics is the obstacle to increase, in particular, their resolution. The paper considers methods for eliminating this instability in the gauges based on the magnetosensitive transistor structures. A technique for reducing temperature instability is realized by including into the circuit elements which parameters depend on temperature and weakening (compensating) this parasitic effect for two-collector magnetosensitive transistor (DMT) structure due to a special choice of feedback in the signal processing circuit.
Температурная нестабильность основных характеристик полупроводниковых датчиков является препятствием их повышения, в частности, разрешающей способности. В работе рассмотрены возможности устранения этой нестабильности датчиков на основе магниточувствительных транзисторных структур при действии на них температуры. Методика снижения температурной нестабильности реализуется посредством включения в схему элементов, параметры которых зависят от температуры и ослабление (компенсации) этого паразитного эффекта для двухколлекторной магниточувствительной транзисторной (ДМТ) структуры благодаря специальному выбору обратных связей в схеме обработки сигнала.
Temperature instability of the semiconductor gauge main characteristics is the obstacle to increase, in particular, their resolution. The paper considers methods for eliminating this instability in the gauges based on the magnetosensitive transistor structures. A technique for reducing temperature instability is realized by including into the circuit elements which parameters depend on temperature and weakening (compensating) this parasitic effect for two-collector magnetosensitive transistor (DMT) structure due to a special choice of feedback in the signal processing circuit.
Температурная нестабильность основных характеристик полупроводниковых датчиков является препятствием их повышения, в частности, разрешающей способности. В работе рассмотрены возможности устранения этой нестабильности датчиков на основе магниточувствительных транзисторных структур при действии на них температуры. Методика снижения температурной нестабильности реализуется посредством включения в схему элементов, параметры которых зависят от температуры и ослабление (компенсации) этого паразитного эффекта для двухколлекторной магниточувствительной транзисторной (ДМТ) структуры благодаря специальному выбору обратных связей в схеме обработки сигнала.
Опис
Ключові слова
магніточутливі транзисторні структури, температурна нестабільність, стабілізація параметрів, magnetosensitive transistor structure, temperature instability, parameter stabilization, магниточувствительные транзисторные структуры, температурная нестабильность, стабилизация параметров
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies