РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ ТЕРМОДАТЧИКОВ

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКурмашев, Ш. Д.
dc.contributor.authorВикулин, И. М.
dc.contributor.authorКурмашев, Ш. Д.
dc.contributor.authorВікулін, І. М.
dc.contributor.authorKurmashev, S. D.
dc.contributor.authorVikulin, I. M.
dc.date.accessioned2012-03-03T10:29:23Z
dc.date.available2012-03-03T10:29:23Z
dc.date.issued2011
dc.descriptionСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт,2011 - T.2(8)4,- рус.uk
dc.description.abstractИсследована зависимость прямого падения напряжения U и коэффициента усиления от величины потоков электронов, нейтронов и !-квантов, а также влияние эффективной концентрации типозадающей примеси в базовой области и толщины базы на радиационную стойкость планарно-эпитаксиальных транзисторных термодатчиков. Изучалось влияние отжига облученных структур на восстановление термочувствительных параметров. Показано, что деградация термочувствительных параметров под воздействием облучения начинается при дозах на 1.5…2 порядка выше, чем коэффициента усиления,Степень деградации U и зависит от конструктивно-технологических параметров транзисторов.uk
dc.description.abstractДосліджували залежність прямого падіння напруги U і коефіцієнта підсилення від величини потоків електронів, нейтронів і !-квантів, а також вплив ефективної концентрац ії типозадаючої домішки в базовій області і товщини бази на радіаційну стійкість планарно-епітаксійних транзисторних термодатчиків. Вивчався вплив відпалу опроміненних структур на відновлення термочутливих параметрів. Показано, що деградація термочутливих параметрів під впливом опромінення починається при дозах на 1.5 ... 2 порядки вище, ніж коефіцієнта посилення. Ступінь деградації U і залежить від конструктивно-технологічних параметрів транзисторів.uk
dc.description.abstractInvestigated dependence of forward bias U and amplification from size of streams electrons, neutrons and ! — quanta, and also influence of effective concentration impurity in base area and thickness of base on radiating resistance transistor temperature-sensitive sensors. Influence of annealing of the irradiated structures on restoration of sensitive parameters was studied.It is shown that degradation of sensitive parameters under the influence of an irradiation begins at doses on 1.5 … 2 order above, than amplification. Degree of degradation U and depends on the constructive-technological parameters of transistors.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystemuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2266
dc.language.isoruuk
dc.publisherАстрапринтuk
dc.relation.ispartofseries;Т.2(8),№4 С.90-95
dc.subjectтермодатчикиuk
dc.subjectтранзисторыuk
dc.subjectоблучениеuk
dc.subjectдеградацияuk
dc.subjectтермодатчикиuk
dc.subjectтранзисториuk
dc.subjectвипромінюванняuk
dc.subjectдеградаціяuk
dc.subjectsensorsuk
dc.subjecttransistorsuk
dc.subjectirradiationuk
dc.subjectdegradationuk
dc.titleРАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ ТЕРМОДАТЧИКОВuk
dc.title.alternativeРАДІАЦІЙНА СТІЙКІСТЬ ПЛАНАРНИХ ТРАНЗИСТОРНИХ ТЕРМОДАТЧИКІВuk
dc.title.alternativeRADIATING RESISTANCE OF THE PLANAR TRANSISTOR TEMPERATURE-SENSITIVE SENSORSuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
sens4_2011.90-95.pdf
Розмір:
92.54 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології