Влияние температурных полей на поведение некогерентных неоднородностей в монокристалах и эпитаксиальных структурах арсенида галлия

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorТерлецкая, Л. Л.
dc.contributor.authorКопыт, Николай Харламович
dc.contributor.authorГолубцов, Вячеслав Васильевич
dc.date.accessioned2010-10-21T09:00:18Z
dc.date.available2010-10-21T09:00:18Z
dc.date.issued2003
dc.descriptionФизика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, кафедра теплофизики. - Одесса, 1969. –uk
dc.description.abstractПредставлены результаты экспериментального исследования влияния различ- ных способов термообработки монокристаллов и эпитаксиальных структур ар- сенида галлия на поведение, концентрацию и объемную долю содержащихся в них некогерентных неоднородностей в виде мелкодисперсных легкоплавких мик- ровключений галлия. Показана возможность практического применения движе- ния мелкодисперсных микровключений и пути улучшения качества полупровод- никовых структур. Представлено результати експериментального дослідження впливу різних способів термообробки монокристалів та епітаксійних структур арсеніду галію на поведінку, концентрацію та об ємну частку некогерентних неодно- рідностей у вигляді дрібнодисперсних легкоплавких мікровключень галію. Показано можливість практичного застосування руху дрібнодисперсних мікровключень та шляхи поліпшення якості напівпровідникових структур. Results of experimental study of the influence of different heat treating approaches to gallium arsenide single crystals and epitaxial structures on the behavior, concentration and the volume part of incoherent inhomogeneities in the form of fine-dispersated fusible gallium inclusions, are presented. It is shown the possibility of practical application of the motion of fine dispersated micro-inclusions and ways of the quality improvement for semiconductor structures are demonstrated.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/977
dc.publisherОдесский национальный университет им. И. И. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вып. 40. - С. 293-297
dc.titleВлияние температурных полей на поведение некогерентных неоднородностей в монокристалах и эпитаксиальных структурах арсенида галлияuk
dc.title.alternativeВплив температурних полів на поведінку некогерентних неоднорідностей в монокристалах та епітаксійних стуктурах арсеніду галіюuk
dc.title.alternativeInfluence of the temperature fields on the behavior of incogerent inhomogeneities in gallium arsenide single crystals and epitaxial structuresuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
fas_40_293-297+.pdf
Розмір:
423.08 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Фізика аеродисперсних систем