Получение и основные характеристики диодов, излучающих в голубой области спектра

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВаксман, Юрий Федорович
dc.contributor.authorПуртов, Юрий Николаевич
dc.contributor.authorЗубрицкий, Сергей Всеволодович
dc.date.accessioned2018-06-06T07:17:18Z
dc.date.available2018-06-06T07:17:18Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractОбсуждаются новые методы инверсии типа проводимости в монокристаллах ZnSe. Путем термической диффузии лития в предварительно компенсированный слой ZnSe:Sn сформированы инжекционные р-п-переходы. Голубая электролюминесценция указанных структур наблюдалась при их прямом смещении при комнатной температуре.uk
dc.identifierУДК 535.375
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16606
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Вып. 8.
dc.subjectметоды инверсииuk
dc.subjectдиодuk
dc.subjectмонокристаллаы ZnSeuk
dc.subjectголубая область спектраuk
dc.titleПолучение и основные характеристики диодов, излучающих в голубой области спектраuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
с.85-88.pdf
Розмір:
166.26 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics