MIS-phototransistor with p-n-…-p-n-structure as a gate

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorVikulin, Ivan M.
dc.contributor.authorKurmashev, Sh. D.
dc.contributor.authorMingalev, V. A.
dc.contributor.authorTumanov, U. G.
dc.contributor.authorВікулін, Іван Михайлович
dc.contributor.authorКурмашов, Ш. Д.
dc.contributor.authorМінгалєв, В. А.
dc.contributor.authorТуманів, Ю. Г.
dc.contributor.authorВикулин, Иван Михайлович
dc.contributor.authorКурмашев, Ш. Д.
dc.contributor.authorМингалев, В. А.
dc.contributor.authorТуманов, Ю. Г.
dc.date.accessioned2010-09-23T11:40:11Z
dc.date.available2010-09-23T11:40:11Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractThe physical mechanisms of the operation of the field-effect MIS-phototransistor with p-n- …-p-n — structure as the gate is considered. The photo-voltage, which is raised with illumination, operates by current in the channel of the transistor. The photosensitivity of such transistors better than that of the photodetector with absorption of light only in the channel. The utilization as the gate of semiconductor with greater wide band gap than material of channel is extended the spectral region of sensitivity in ultraviolet. Розглянуто фізичні механізми дії польового МДН фототранзистора з p-n-…-p-n-структуроюв якості затвору. Виникаюча при освітленні затвора фотонапруга управляє струмом у каналі транзистора. Фоточутливість такого приладу набагато вища, ніж у фотоприймача з однорідною структурою затвора. Використання в якості затвора напівпровідникової p-n-…-p-n-структури з більшою шириною забороненої зони, ніж матеріалу каналу,розширює спектральний діапазон чутливості в УФ-області. рассмотрены физические механизмы действия полевого МДП фототранзистора с p-n-…-p-n-структурой в качестве затвора. Возникающее при освещении затвора фотонапряжение управляет током в канале транзистора. Фоточувствительность такого прибора намного выше,чем у фотопремника с однородной структурой затвора. Использование в качестве затвора полупроводниковой p-n-…-p-n-структуры с большей шириной запрещенной зоны, чем материала канала, расширяет спектральный диапазон чувствительности в УФ области.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologiesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/535
dc.language.isootheruk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 2
dc.subjectfield-effect transistoruk
dc.subjectMIS-structureuk
dc.subjectphototransistoruk
dc.subjectp-n-junctionuk
dc.subjectпольвий транзисторuk
dc.subjectМДН-структураuk
dc.subjectфототранзисторuk
dc.subjectp-n-перехідuk
dc.subjectполевой транзисторuk
dc.subjectМДП-структураuk
dc.subjectфототранзисторuk
dc.subjectp-n-переходuk
dc.titleMIS-phototransistor with p-n-…-p-n-structure as a gateuk
dc.title.alternativeМДН-фототранзистор з p-n-…-p-n-структурою в якості затворуuk
dc.title.alternativeМДП-фототразистор с p-n-…-p-n-структурой в качестве затвораuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
4-7.pdf
Розмір:
101.63 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології