Electrical properties of structures based on nanocrystals CdS in gelatin matrix

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorChebanenko, Anatoliy P.
dc.contributor.authorPolischuk, A. V.
dc.contributor.authorЧебаненко, Анатолий Павлович
dc.contributor.authorПолищук, А. В.
dc.contributor.authorЧебаненко, Анатолій Павлович
dc.contributor.authorПоліщук, А. В.
dc.date.accessioned2019-01-09T10:57:54Z
dc.date.available2019-01-09T10:57:54Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractThe electrical characteristics of composite structures based on nanocrystals of cadmium sulfide in a gelatin matrix are studied. It is shown that in the freshly prepared structures, an electric field is formed, which irreversibly increases the electrical resistance of the structures. A complicated form of the temperature dependence of the current is obtained, which is associated with the participation in the current transport of H+ and OH− ions in the low-temperature region and electrons arising from rupture of π-bonds in the high-temperature region.uk
dc.description.abstractИсследованы электрические характеристики композитных структур на основе нанокристаллов сульфида кадмия в желатиновой матрице. Показано, что в свежеприготов- ленных структурах имеет место формовка электрическим полем, которая необратимо по- вышает електрическое сопротивление структур. Получен сложный вид температурной за- висимости тока, который связывается с участием в токопереносе ионов Н+ и ОН- в области низких температур и электронов, возникающих в результате разрыва π-связей, в области высоких температур.
dc.description.abstractДосліджено електричні характеристики композитних структур на основі нано- кристалів сульфіду кадмію в желатиновій матриці. Показано, що у свіжовиготовлених струк- турах має місце формовка електричним полем, яка необоротно підвищує електричний опір структур. Отримано складний вигляд температурної залежності струму, який пов’язується з участю у струмопереносі іонів Н+ та ОН− в області низьких температур і електронів, ви- никаючих в результаті руйнування π-зв’язків в області високих температур.
dc.identifierPACS 73.61.Le, 73.63.Bd
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/20860
dc.language.isoenuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;№ 27.
dc.subjectcadmium sulphideuk
dc.subjectnanocrystalsuk
dc.subjectgelatin filmsuk
dc.subjectelectrical conductivityuk
dc.subjectсульфид кадмияuk
dc.subjectнанокристаллыuk
dc.subjectпленки желатинаuk
dc.subjectэлектропроводностьuk
dc.subjectсульфід кадміюuk
dc.subjectнанокристалиuk
dc.subjectплівки желатинуuk
dc.subjectелектропровідністьuk
dc.titleElectrical properties of structures based on nanocrystals CdS in gelatin matrixuk
dc.title.alternativeЭлектрические свойства структур на основе нанокристаллов CdS в желатиновой матрицеuk
dc.title.alternativeЕлектричні властивості структур на основі нанокристалів CdS в желатиновій матриціuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
5-9.pdf
Розмір:
319.25 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics