Прискорена деградація сенсорів парів аміаку на основі кремнієвих p-n переходів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКирничук, Олександр Сергійович
dc.date.accessioned2018-05-25T11:35:28Z
dc.date.available2018-05-25T11:35:28Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractВажливим напрямком розвитку сучасної твердотільної електроніки є створення напівпровідникових газових сенсорів. Широкого використання набули прилади на основі структур метал-оксиднапівпровідник, які використовуються для визначення концентрацій водню, кисню та інших компонентів газових сумішей, у тому числі й аміаку , а також сенсори на основі тонких напівпровідникових плівок, які мають високу чутливість, низьку вартість, прості за технологією. Однак, недоліками таких сенсорів є висока робоча температура 150 - 550 С, слабка контрольованість властивостей міжкристалітних контактів, слабка технологічна сумісність з мікроелектронними елементами. Газові сенсори на основі p-n переходів мають значні переваги над сенсорами на основі оксидних полікристалічних плівок і діодів Шоткі. p-n переходи у широкозонних напівпровідниках мають високі потенціальні бар’єри для носіїв струму, високу чутливість та селективність до газових компонентів навколишнього середовища, високу чутливість при кімнатній температурі, можуть виготовлятися за мікроелектронною технологією.uk
dc.identifier.citationКирничук, О. С. Прискорена деградація сенсорів парів аміаку на основі кремнієвих p-n переходів = Accelerated degrandation of the ammonia vapors sensors on the silicon p-n junctions : дипломна робота магістра / О. С. Кирничук, наук. кер. О. О. Птащенко, ОНУ ім. І.І. Мечникова, Фіз. ф-т, Каф. фізики твердого тіла і твердотільної електроніки.– Одеса, 2017.– 55 с.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/16159
dc.language.isootheruk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.subject8.04020301 Фізикаuk
dc.subjectінжекційний струмuk
dc.subjectрекомбінаційний струмuk
dc.subjectадсорбційні процесиuk
dc.subjectнапівпровідникиuk
dc.titleПрискорена деградація сенсорів парів аміаку на основі кремнієвих p-n переходівuk
dc.title.alternativeAccelerated degrandation of the ammonia vapors sensors on the silicon p-n junctionsuk
dc.typeOtheruk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
8.04020301_Kurnuchyk_Oleksandr_Sergijovuch1.pdf
Розмір:
332.89 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Факультет математики, фізики та інформаційних технологій