Прискорена деградація сенсорів парів аміаку на основі кремнієвих p-n переходів
Вантажиться...
Дата
2017
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Важливим напрямком розвитку сучасної твердотільної електроніки є
створення напівпровідникових газових сенсорів. Широкого
використання набули прилади на основі структур метал-оксиднапівпровідник, які використовуються для визначення концентрацій
водню, кисню та інших компонентів газових сумішей, у тому числі й
аміаку , а також сенсори на основі тонких напівпровідникових плівок,
які мають високу чутливість, низьку вартість, прості за технологією.
Однак, недоліками таких сенсорів є висока робоча температура 150 -
550 С, слабка контрольованість властивостей міжкристалітних контактів,
слабка технологічна сумісність з мікроелектронними елементами.
Газові сенсори на основі p-n переходів мають значні переваги над
сенсорами на основі оксидних полікристалічних плівок і діодів Шоткі. p-n
переходи у широкозонних напівпровідниках мають високі потенціальні
бар’єри для носіїв струму, високу чутливість та селективність до газових
компонентів навколишнього середовища, високу чутливість при кімнатній
температурі, можуть виготовлятися за мікроелектронною технологією.
Опис
Ключові слова
8.04020301 Фізика, інжекційний струм, рекомбінаційний струм, адсорбційні процеси, напівпровідники
Бібліографічний опис
Кирничук, О. С. Прискорена деградація сенсорів парів аміаку на основі кремнієвих p-n переходів = Accelerated degrandation of the ammonia vapors sensors on the silicon p-n junctions : дипломна робота магістра / О. С. Кирничук, наук. кер. О. О. Птащенко, ОНУ ім. І.І. Мечникова, Фіз. ф-т, Каф. фізики твердого тіла і твердотільної електроніки.– Одеса, 2017.– 55 с.