Optical properties of ZnS single crystals doped with cobalt
dc.contributor.author | Vaksman, Yurii F. | |
dc.contributor.author | Nitsuk, Yurii A. | |
dc.contributor.author | Pavlov, V. V. | |
dc.contributor.author | Purtov, Yu. N. | |
dc.contributor.author | Nasibov, A. S. | |
dc.contributor.author | Shapkin, P. V. | |
dc.contributor.author | Ваксман, Юрий Федорович | |
dc.contributor.author | Ницук, Юрий Андреевич | |
dc.contributor.author | Павлов, В. В. | |
dc.contributor.author | Пуртов, Юрий Николаевич | |
dc.contributor.author | Насибов, А. С. | |
dc.contributor.author | Шапкин, П. В. | |
dc.contributor.author | Ваксман, Юрій Федорович | |
dc.contributor.author | Ніцук, Юрій Андрійович | |
dc.contributor.author | Павлов, В. В. | |
dc.contributor.author | Пуртов, Юрій Миколайович | |
dc.contributor.author | Насібов, А. С. | |
dc.contributor.author | Шапкін, П. В. | |
dc.date.accessioned | 2010-10-13T13:34:04Z | |
dc.date.available | 2010-10-13T13:34:04Z | |
dc.date.issued | 2007 | |
dc.description | Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2007. | uk |
dc.description.abstract | ZnS:Co single crystals were obtained by diffusion-related doping with cobalt. An optical density spectra in the region of 4-0.38eV are investigated. It is established, that at cobalt doping of crystals, the absorption edge is displaced in lower energy region. Analogy of ZnS:Co and ZnTe:Co crystals optical absorption spectra is established. The investigated lines of ZnS:Co absorption are caused by electrons optical transitions from Co2+ ion basic condition level 4À2(F) on the excited states 4T1(P), 4T1(F) and 4T2(F) levels split with spin-orbit interaction. Монокристаллы ZnS:Cо получены методом диффузионного легирования кобальтом. Исследованы спектры оптической плотности в области 4-0.38эВ. Установлено, что при легировании кристаллов кобальтом край поглощения смещается в низкоэнергетическую область. Установлена аналогия спектров оптического поглощения кристаллов ZnS:Co и ZnTe:Co. Исследуемые линии поглощения ZnS:Co объясняются оптическими переходами электронов с уровня основного состояния 4А2(F) иона Co2+ на расщепленные спин-орбитальным взаимодействием уровни возбужденных состояний 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F). Монокристали ZnS:Cо отримані методом дифузійного легування кобальтом. Досліджено спектри оптичної густини в області 4-0.38еВ. Встановлено, що при легуванні кристалів кобальтом край поглинання зміщується в низькоенергетичну область. Встановлена аналогія спектрів оптичного поглинання кристалів ZnS:Co і ZnTe:Co. Досліджені лінії поглинання ZnS:Co пояснюються оптичними переходами електронів з рівня основного стану 4А2(F) іона Co2+ на розщеплені спін-орбітальною взаємодією рівні збуджених станів 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F). | uk |
dc.identifier.citation | Фотоэлектроника = Photoelectronics | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/921 | |
dc.language.iso | en | uk |
dc.publisher | Астропринт | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;Вип. 16. | |
dc.title | Optical properties of ZnS single crystals doped with cobalt | uk |
dc.title.alternative | Оптические свойства монокристаллов ZnS, легированных кобальтом | uk |
dc.title.alternative | Оптичні властивості монокристалів ZnS, легованих кобальтом | uk |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.82 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: