Газова чутливість GaAs p-n переходів з модифікованою поверхнею
Вантажиться...
Дата
2017
Автори
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Напівпровідникові газові сенсори мають широке застосування у
сучасному народному господарстві для контролю забруднення
навколишнього середовища. Для ефективної роботи більшість з сенсорів
потребує додаткового підігріву. їхня чутливість та селективність не
повністю відповідають сучасним вимогам. Створення нових газових
сенсорів та вдосконалення наявних є важливими задачами сучасної
техніки.
Метою даної роботи є проведення досліджень впливу сульфідної
обробки на газову чутливість /?-н-переходів на основі GaAs. Для виконання
поставленої мети проводилися вимірювання вольт-амперних
характеристик прямого та зворотного струмів у повітрі та в парах аміаку з
різним парціальним тиском до та після сульфідної обробки поверхні.
Аналізувалися залежності додаткових прямих та зворотних струмів, які
з ’являються в парах аміаку, від парціального тиску парів, величини газової
чутливості до та після сульфідної обробки
Опис
Ключові слова
6.040203 Фізика, сульфідна обробка, арсенід галію, халькогенідна обробка, діоди
Бібліографічний опис
Гуржій, Т. В. Газова чутливість GaAs p-n переходів з модифікованою поверхнею = Gas sensitivity of the GaAs p-n junctions with modified surface : дипломна робота / Т. В. Гуржій ; наук. кер. Н. В. Маслєєва ; ОНУ ім. І.І. Мечникова, Фіз. ф-т, Каф. фізики твердого тіла і твердотільної електроніки . – Одеса, 2017 . – 44 с.