Влияние облучения электронами на характеристики инжекционных фотоприемников
Вантажиться...
Файли
Дата
2010
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
В работе изучались кремниевые фотоприемники (фоторезисторы и
инжекционные фотодиоды), изготовленные из компенсированного материала
(Si<Au>), подвергнутые облучению потоками быстрых электронов. Радиационная
стойкость фотоприемников в первую очередь определяется степенью деградации
значений удельной обнаружительной способности и фоточувствительности.
Обнаружено, что низкотемпературный край нормированных спектров
относительной фоточувствительности, зарегистрированных при температурах 77 и
100 К, для фотоприемников до и после облучения быстрыми электронами с
интегральным потоком 3·1015 см-2, смещается в длинноволновую сторону (участок
спектра собственной фоточувствительности). Это можно связать с образованием
новых энергетических уровней в запрещенной зоне кремния. В то же время
коротковолновый край участка спектра примесной фоточувствительности смещается
в высокоэнергетическую сторону спектра. Величины абсолютных значений
обнаружительной способности и фоточувствительности резко уменьшаются.
Уменьшается также быстродействие, т.к. при облучении сопротивление
эквивалентного фоторезистора увеличивается.. Отмечена высокая чувствительность
коэффициента фотоэлектрического усиления к облучению быстрыми электронами
Опис
Ключові слова
фотоприемник, фоточувствительность, облучение быстрыми электронами
Бібліографічний опис
"Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса) Тези доповідей, 28 черв.-2 лип., 2010 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-4)", міжнар. науково-техн. конф. (4; 2010; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2010. – 354 с.