Особливості термо-оптичного збудження в напівпровідниках
Вантажиться...
Файли
Дата
2018
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
На основі результатів дослідження ефекту інфрачервоного гасіння фотоструму у
нитковидних монокристалах CdS показано, що на відмінність від моделі Р. Бьюба можливе
дещо інше енергетичне розміщення рівнів R та R’ (рис. 1) тобто можлива інша черговість
термо-оптичних переходів при звільненні дірок з R-центрів – спочатку дірки за рахунок
тепла переводяться на збуджені R’-стани і лише потім світлом збуджуються у валентну
зону.
Опис
Ключові слова
термо-оптичного збудження, напівпровідники
Бібліографічний опис
"Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-8)", міжнар. науково-техн. конф. (8; 2018; Одеса) Тези доповідей, 28 трав.-1 чер., 2018 р. / "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-8)", міжнар. науково-техн. конф. (8; 2018; Одеса); гол. ред. В. А. Сминтина; ОНУ ім. І.І. Мечникова [та ін.]. – Одеса : Астропринт, 2018.