Статті та доповіді ФМФІТ

Постійне посилання зібрання

https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/1928

Переглянути

Перегляд Статті та доповіді ФМФІТ за browse.metadata.type "Other"

Зараз показуємо 1 - 5 з 5
  • Ескіз
    Документ
    Heterogeneous systems with Ag nanoparticles
    (2016) Smyntyna, Valentyn A.; Skobieieva, V. M.; Malushyn, M. V.
    In this paper we report on a study of the optical properties of the two hybrid nanosystems, which are composed of silver nanoparticles (Ag NPs) with methylene blue (MB) dye and Ag NP with CdS quantum dots (CdS QDs).
  • Ескіз
    Документ
    The influence of biological environments on the properties of nanostructured films SnO2
    (2016) Simanovych, N. S.; Chebanenko, Anatoliy P.; Smyntyna, Valentyn A.; Filevska, Liudmila M.; Чебаненко Анатолій Павлович
    Currently, the most practical use as a sensitive material for gas sensors of the resistive type find of nanocrystalline oxides SnO2 and In2O3. The signal of the gas sensor of the resistive type is an integral value that corresponds to content in the atmosphere of various gases as oxidizing agents and reducing agents. The greatest sensitivity of the electrical properties and reactivity of oxide semiconductor materials to change the microstructure of their surface should be expected for nanocrystalline oxide as SnO2
  • Ескіз
    Документ
    ZnO thin films as a platform for optical immunosensors devoted for determination of GVA-antigen
    (2016) Tereshchenko, Alla V.; Fedorenko, V.; Smyntyna, Valentyn A.; Konup, Ihor P.; Konup, A.; Eriksson, M.; Yakimova, R.; Ramanavicius, A.; Balme, S.; Bechelany, Mikhael; Конуп, Ігор Петрович; Конуп, Игорь Петрович; Терещенко, Алла Володимирівна; Терещенко, Алла Владимировна
    Optical immunosensor for the determination of Grapevine virus A-type (GVA) proteins (GVAantigens) has been developed [1]. The immunosensor was based on thin films of ZnO (100 nm thickness) formed by atomic layer deposition (ALD). The ZnO-based films have demonstrated good surface-structural properties for the absorption of antibodies (anti-GVA) against GVAantigens in order to form a biosensitive layer. The absorption of anti-GVA antibodies resulted in new photoluminescence band appearance in the region of 400-550 nm that can be caused by the formation of some chemical bounds during the anti-GVA adsorption on ZnO surface [2]. The possibility to detect GVA-antigens without additional labels (e.g enzymes or fluorescent dyes) has been demonstrated. The GVA-antigen detection was performed by the evaluation of changes and behavior of the photoluminescence band, related to protein adsorption (Fig. 1). The sensitivity of as-formed label-free biosensor towards the GVA-antigens was determined in the range from 1 pg/ml to 10 ng/ml; in addition, the selectivity of biosensor was evaluated
  • Ескіз
    Документ
    Вплив обробки в рзчині Na2S на поверхневий струм в P-N переходах на оcнові GaAs
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016) Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Ф. О.; Дмитрук, М. Л.; Богдан, О. В.; Гільмутдінова, В. Р.; Маслєєва, Наталія Володимирівна; Птащенко, Александр Александрович; Ptashchenko, Oleksandr O.
    P-n переходи на основі GaAs перспективних для розробки хімічних сенсорів,оскільки вони мають суттєво нижчий поріг чутливості до парів NH3, ніж кремнієві p-n переходи, мембрани на основі поризтого кремнію та кремнієвих нанодротів. Легування атомами сірки із водного розчину Na2S підвищує поверхневий струм у p-n переходах на основі GaAs, обумовлений абсорцією парів NH3 та води. метою данної роботи було встановлення механізму вказанного ефекту та оптимізація параметрів газового сенсора.
  • Ескіз
    Документ
    Вплип рівня легування кремнієвих p-n переходів на іхні характеристики як сенсорів парів аміаку
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016) Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Кирничук, О. С.; Птащенко, Александр Александрович; Ptashchenko, Oleksandr O.
    Дослідженно вплив рівня легування на поверхневий струм кремнієвих p-n переходів, обумовленний адсорбцією види та аміаку. Вимірювання провеено на плавних p-n переходах з градієнтом концентрації домішок від am=1*1021см-4 до am=5*102см-4. Проведено чисельні двовимірні розрахунки нерівноважних поверхневих процесів у p-n переходах при адсорбції молекул донорного газу.