Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Постійне посилання зібрання
Галузь і проблематика:
Журнал "Сенсорна електроніка і мікросистемні технології" публікує статті, короткі повідомлення, листи до Редакції, а також коментарі, що містять результати фундаментальних і прикладних досліджень, за наступними напрямками:
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори.
Проектування і математичне моделювання сенсорів.
Сенсори фізичних величин.
Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори.
Акустоелектронні сенсори.
Хімічні сенсори.
Біосенсори.
Наносенсори (фізика, матеріали, технологія).
Матеріали для сенсорів.
Технологія виробництва сенсорів.
Сенсори та інформаційні системи.
Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.).
Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів.
Переглянути
Перегляд Сенсорна електроніка і мікросистемні технології за Назва
Зараз показуємо 1 - 20 з 124
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ About performance linearity of the environment gas humidity capacitive sensors based on silicon mos structures with a nanodimensional silicon oxide(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2015) Fastykovsky, Pavel P.; Glauberman, Mykhailo A.; Фастиковський, Павло Петрович; Глауберман, Михайло Абович; Глауберман, Михаил Аббович; Фастыковский, Павел ПетровичThe purpose of this work is to establish the reason for the performance linearity of the environment gas humidity capacitive sensors, based on silicon MOS structures with a nanodimensional silicon oxide being in depletion or weak inversion modes.Документ Chaotic dynamics of non-linear processes in atomic and molecular systems in electromagnetic field and semiconductor and fiber laser devices: new approaches, uniformity and charm of chaos(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2014) Prepelitsa, Georgiy P.; Glushkov, A. V.; Lepikh, Yaroslav I.; Buyadzhi, V. V.; Ternovsky, V. B.; Zaichko, P. A.; Препелиця, Георгій Петрович; Глушков, О. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Буяджі, В. В.; Терновський, В. Б.; Заїчко, P. A.; Препелица, Георгий Петрович; Глушков, А. В.; Лепих, Ярослав Ильич; Буяджи, В. В.; Терновский, В. Б.; Заичко, П. А.Робота присвячена викладенню універсального комплексного хаос-геометричного і квантово-динамічного підходу, що включає низку нових квантових моделей і нових або удосконалених методів аналізу (кореляційний інтеграл, фрактальний аналіз, алгоритми середньої взаємної інформації, хибних найближчих сусідів, показники Ляпунова, сурогатних даних, спектральні методи тощо), для вирішення задач кількісного моделювання і аналізу хаотичної динаміки нелінійних процесів в атомно-молекулярних системах в однорідному і змінному електромагнітному полі і квантово-генераторних, лазерних системах та приладах (у т.ч., волоконних, напівпровідникових лазерах із зворотним зв'язком і т.і.). Для розглянутого класу систем і пристроїв теоретично вивчені сценарії генерації хаосу, отримані кількісні дані по характеристикам хаотичної динаміки і різним режимам функціонуванняДокумент Characteristic properties of opto-acoustic interaction in the “thick” acoustic grating(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2009) Mikhaylovskaya, L. V.; Mykhaylovska, A. S.; Михайловська, Л. В.; Михайловська, А. С.; Михайловская, Л. В.; Михайловская, А. С.The theoretical analysis of the diffraction spectrum at the normal incidence of the plane light wave onto a sound wave in the isotropic medium is developed. In the framework of the bound waves pattern the diffraction spectrum behavior is investigated. At the same time the parameters of the sound wave such as a width and intensity of the sound beam was modifying. As a result of this investigation it was showed that the behavior of the diffraction maximums intensity depending on intensity of the sound intensity is essentially modified under increase of the width of the acoustooptic layer even at the orthogonal orientation of interacting fields. Проведено теоретичний аналіз дифракційного спектру у випадку ортогонального падіння плоскої світової хвилі на звукову хвилю в ізотропному середовищу. При цьому в рамках моделі зв’язаних хвиль досліджується поведінка дифракційного спектру при змі- нені параметрів звукової хвилі, зокрема, ширини та інтенсивності звукової хвилі. Показано, що при збільшенні товщини прошарку акустооптичної взаємодії поведінка інтенсивності світла в дифракційних максимумах в залежності від інтенсивності звука суттєво змінюється навіть при ортогональній орієнтації взаємодіючих полів. Проведен теоретический анализ дифракционного спектра в случае ортогонального падения плоской световой волны на звуковую волну в изотропной среде. При этом в рамках модели связанных волн исследуется поведение дифракционного спектра при изменении параметров звуковой волны, в частности, ширины и интенсивности звукового пучка. Показано, что при увеличении ширины слоя акустооптического взаимодействия поведение интенсивности света в дифракционных максимумах в зависимости от интенсивности звука существенно меняется даже при ортогональной ориентации взаимодействующих полей.Документ Directmeasuring phase method of small distances measurement by the optoelectronic sensor in dynamic conditions(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2015) Lepikh, Yaroslav I.; Santoniy, Volodymyr I.; Janko, Volodymyr V.; Budiyanska, Ludmila M.; Ivanchenko, Iraida O.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Сантоній, Володимир Іванович; Янко, Володимир Васильович; Будіянська, Людмила Михайлівна; Іванченко, Іраїда Олександрівна; Лепих, Ярослав ИльичThe work is devoted to development and researches of a method the small distances precision contactless measurement for creation of the optoelectronic sensor working in dynamic conditions.Документ Investigation of the causes of silicon MOS — transistor parameters catastrophic degradation(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Kulinich, O.; Glauberman, Mykhailo A.; Chemeresuk, Geogriy G.; Yatsunsky, I.; Кулініч, О. А.; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Яцунский, І. Р.; Кулинич, О. А.; Глауберман, Михаил Аббович; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Яцунский, И. Р.The paper is aimed at finding out the causes of the catastrophic degradation of parameters of silicon MOS-transistors, formed by the ordinary planar technology. The basic causes of degradation have been found to be: - thermal compression contacts rupture, which can be explained by formation of intermetallic compounds in the contact area, resulting in brittleness of the contacts, - breaking of the metallic interconnections and contact pads integrity, resulting from inobservance of the photolithography technological conditions as well as from presence of a developed defect structure on the silicon surface and formation of silicide compounds.Робота присвячена виявленню причин катастрофічної деградації деградації параметрів кремнієвих МОН- транзисторів, які були сформовані за звичайною планарною технологією. Встановлено, що основними причинами деградації є:-обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням в районі контакту інтерметалевих з'єднань, що приводить до охрупчування контактів; - порушення цільності металевої розводки і контактних площин, виникаючих в наслідок порушення технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію і виникнення сіліцидних сполук. Работа посвящена выявлению причин катастрофической деградации параметров кремниевых транзисторов, которые были сформированы по обычной планарной технологии. Установлено, что основными причинами деградации являются: - обрыв термокомпрессионных контактов, которые можно объяснить образованием в районе контакта интерметаллических соединений, приводящих к охрупчиванию контактов; - нарушение цельности металлической разводки и контактных площадок, возникающие вследствие нарушения технологических режимов фотолитографии, а также присутствия развитой дефектной структуры на поверхности кремния и образования силицидных соединений.Документ Investigations and achievements in sensorics area in 2008(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2009) Smyntyna, Valentyn A.; Lepikh, Yaroslav I.; Machulin, V. F.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Сминтина, Валентин АндрійовичThe review of the basic results of investigations in sensorics area is presented which were coordinated by Sensorics Section of NAS Ukraine Scientific Council on “Physics of semiconductors and semiconductor devices” for year 2008.Документ Laser installation for the measurement of the acoustic fields parameters on the surface of acoustic wave guides(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2010) Blonsky, I. V.; Lepikh, Yaroslav I.; Semenov, V. V.; Gryts, V. G.; Stronski, A. V.; Блонський, І. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Семенов, В. В.; Гриц, В. Г.; Стронський, О. В.; Блонский, И. В.; Лепих, Ярослав Ильич; Семенов, В. В.; Гриц, В. Г.; Стронский, А. В.For the first time the possibility of the development and fabrication of the design nondetuned functional optical scheme of the laser heterodyne installation intended for the investigation of the amplitude and phase fields of surface acoustic waves (SAW). The design is characterized not by separate optical elements but the presence of the two units — probe unit and photo-sensor with minimal number of optical elements. This enabled to reduce errors during amplitude and phase measurements, because the installation setup provides high sensitivity to the small amplitude of SAW and good reproducibility of the results. The optical scheme of the device is presented operation principle is described as well as the results of some investigations.Документ Method of stencilling in technology of devices on surfaces acoustic waves(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2017) Lepikh, Yaroslav I.; Snigur, Pavlo O.; Balaban, Andrii P.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Снігур, Павло Олексійович; Балабан, Андрій Петрович; Лепих, Ярослав Ильич; Снегур, Павел Александрович; Балабан, Андрей ПетровичAbstract. The method of acoustoabsorber putting on acoustic ducts of devices on the surface acoustic waves, basing on stencilling which used at manufacturing of thick-film hybrid integrated circuits is described. The block diagram of technological process of acoustoabsorber deposition is given. Features of the separate operations are discussed.Документ MIS-phototransistor with p-n-…-p-n-structure as a gate(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Vikulin, Ivan M.; Kurmashev, Sh. D.; Mingalev, V. A.; Tumanov, U. G.; Вікулін, Іван Михайлович; Курмашов, Ш. Д.; Мінгалєв, В. А.; Туманів, Ю. Г.; Викулин, Иван Михайлович; Курмашев, Ш. Д.; Мингалев, В. А.; Туманов, Ю. Г.The physical mechanisms of the operation of the field-effect MIS-phototransistor with p-n- …-p-n — structure as the gate is considered. The photo-voltage, which is raised with illumination, operates by current in the channel of the transistor. The photosensitivity of such transistors better than that of the photodetector with absorption of light only in the channel. The utilization as the gate of semiconductor with greater wide band gap than material of channel is extended the spectral region of sensitivity in ultraviolet. Розглянуто фізичні механізми дії польового МДН фототранзистора з p-n-…-p-n-структуроюв якості затвору. Виникаюча при освітленні затвора фотонапруга управляє струмом у каналі транзистора. Фоточутливість такого приладу набагато вища, ніж у фотоприймача з однорідною структурою затвора. Використання в якості затвора напівпровідникової p-n-…-p-n-структури з більшою шириною забороненої зони, ніж матеріалу каналу,розширює спектральний діапазон чутливості в УФ-області. рассмотрены физические механизмы действия полевого МДП фототранзистора с p-n-…-p-n-структурой в качестве затвора. Возникающее при освещении затвора фотонапряжение управляет током в канале транзистора. Фоточувствительность такого прибора намного выше,чем у фотопремника с однородной структурой затвора. Использование в качестве затвора полупроводниковой p-n-…-p-n-структуры с большей шириной запрещенной зоны, чем материала канала, расширяет спектральный диапазон чувствительности в УФ области.Документ New laser photoionization isotope separation scheme with autoionization sorting of highly excited atoms for highly radioactive isotopes and products of atomic energetics(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2011) Glushkov, A. V.; Prepelitsa, G. P.; Yu.Pogosov, A.; Shevchuk, Volodymyr G.; Svinarenko, Andriy A.; Ignatenko, Anna V.; Bakunina, E. V.; Глушков, О. В.; Препилиця, Г. П.; Погосов, О. Ю.; Шевчук, Володимир Гаврилович; Свинаренко, Андрій Андрійович; Ігнатенко, Ганна Володимирівна; Бакуніна, О. В.; Глушков, А. В.; Препелиця, Г. П.; Погосов, А. Ю.; Шевчук, Владимир Гаврилович; Свинаренко, Андрей Андреевич; Игнатенко, Анна Владимировна; Бакунина, О. В.We present new optimal scheme of the separating highly radioactive isotopes and products of atomics energetics such as 133,135,137Cs and others, which is based on the selective laser excitation of the isotopes atoms into excited Rydberg states and further autoionization or DC electric field pulse ionization.Документ New numerical approach in sensing radiative transitions probabilities in spectra of some complex ions(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2013) Florko, Tetyana A.; Флорко, Тетяна Олександрівна; Флорко, Татьяна АлександровнаIt has been carried out sensing and calculating the energies and oscillator strengths of some radiative transitions in spectra of complex ion on the basis of new numerical relativistic scheme within gauge-invariant perturbation theory.Документ On possibility of sensing nuclei of the rare isotopes by means of laser spectroscopy of hyperfine structure(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2008) Khetselius, Olga Yu.; Хецелiyс, Ольга Юріївна; Хецелиyс, Ольга ЮрьевнаIt is presented the the effective theoretical scheme with possibility of advancing corresponding nuclear technology for sensing different parameters for nuclei of the rare, for ezxample, cosmic, isotopes available in the little quantitites. As example, the nuclei of elements uranium and also Be, C, Al, which have rare, cosmic isotopes, are studied. Розглянута ефективна теоретична схема з можливістю удосконалення відповідної ядерно ї технології детектування параметрів ядер рідких изотопiв, доступних у малих кількостях. Як приклад розглянуті ядра урану, а також Be, C, Al, що мають рідкі, космічні ізотопи. Рассмотрена эффективная теоретическая схема с возможностью усовершенствования соответствующей ядерной технологии детектирования параметров ядер редких изотопов, доступных в малых количествах.. В качестве иллюстрации рассмотрены уран, а также ядра Be, C, Al, имеющих редкие, космические изотопы.Документ On sensing nuclei of the 207bi and 207pb isotopes by means of laser spectroscopy of hyperfine structure(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2009) Khetselius, O. Yu.; Хецелиyс, О. Ю.; Хецеліус, О. Ю.It is presented the new theoretical scheme for sensing different parameters of nuclei of the Bi, Pb isotopes on the basis of hyperfine structure spectroscopy of the corresponding atoms. Рассмотрена новая теоретическая схема детектирования параметров ядер изотопов Bi, Pb на основе спектроскопии сверхтонкой структуры соответствующих атомов. Розглянута нова теоретична схема детектування параметрів ядер ізотопів Bi, Pb на основі спектроскопії надтонкої структури відповідних атомів.Документ On sensing nuclei of the lanthanide isotopes by means of laser spectroscopy of hyperfine structure: 165Ho, 169Tm(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2008) Khetselius, O. Yu.; Хецелiyс, О. Ю.; Хецелиyс, О. Ю.It is presented the effective theoretical scheme with possibility of advancing corresponding nuclear technology for sensing different parameters for nuclei of the lanthanide isotopes. As example, the nuclei of elements 165Ho and 169Tm are considered. Розглянута ефективна теоретична схема з можливістю удосконалення відповідної ядерно ї технології детектування параметрів ядер ізотопів лантанідів. Як приклад розглянут зотопи 165Ho і 169Tm. Рассмотрена эффективная теоретическая схема с возможностью усовершенствования соответствующей ядерной технологии детектирования параметров ядер изотопов лантанидов. В качестве иллюстрации рассмотрены изотопы 165Ho и 169Tm.Документ Physics of the laser-photoionization atomic processes in the isotopes and gases separator devices: new optimal schemes(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2011) Glushkov, Aleksandr V.; Lepikh, Yaroslav I.; Prepelitsa, G. P.; Ambrosov, S. V.; Bakunina, E. V.; Svinarenko, Andriy A.; Loboda, Andriy V.; Глушков, Олександр Васильович; Лепіх, Ярослав Ілліч; Перепелиця, Г. П.; Амбросов, С. В.; Бакуніна, О. В.; Свинаренко, Андрій Андрійович; Лобода, Андрій Володимирович; Глушков, Александр Васильевич; Лепих, Ярослав Ильич; Перепелиця, Г. П.; Бакунина, О. В.; Свинаренко, Андрей Андреевич; Лобода, Андрей ВладимировичWe present review of the models for key laser photoionization processes and propose the corresponding new optimal schemes of the separating heavy isotopes and nuclear isomers, substances cleaning at atomic level, which are based on the selective laser excitation of the isotopes atoms into excited Rydberg states and further DC electric field ionizationThe operator relativistic perturbation theory method, optimal laser action model and density matrices formalism are used for numeric calculation of the optimal scheme parameters for the U and other isotopes.Документ Sensing forbidden transitions in spectra of some heavy atoms and multicharged ions: new theoretical scheme(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2009) Florko, Tetyana A.; Loboda, Andriy V.; Svinarenko, Andriy A.; Флорко, Тетяна Олександрівна; Лобода, Андрій Володимирович; Свинаренко, Андрій Андрійович; Флорко, Татьяна Александровна; Лобода, Андрей Владимирович; Свинаренко, Андрей АндреевичIt has been carried out sensing and calculating the energies and oscillator strengths of some forbidden atomic transitions in spectra of heavy atoms and multicharged ions on the basis of new relativistic scheme within gauge-invariant quantum electrodynamics (QED) perturbation theory (PT). Виконано розрахунок енергій, імовірностей та сил осциляторів заборонених атомних переходів у спектрах декотрих важких атомів та багатозарядних іонів на основі ново ї релятивістської схеми в межах калібровочно-інваріантної КЕД теорії збурень. Выполнен расчет вероятностей и сил осцилляторов запрещенных атомных переходов в спектрах некоторых сложных тяжелых атомов и многозарядных ионов на основе новой релятивистской схемы в рамках калибровочно-инвариантной КЭД теории возмущений.Документ Sensing hyperfine-structure, electroweak interaction and parity nonconservation effect in heavy atoms and nuclei: new nuclear qed approach(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2010) Khetselius, O. Yu.; Dubrovskaya, Yu. V.; Lopatkin, Yu. M.; Svinarenko, Andriy A.; Хецелiyс, О. Ю.; Дубровська, Ю. В.; Свинаренко, Андрій Андрійович; Хецелиyс, О. Ю.; Дубровская, Ю. В.; Свинаренко, Андрей АндреевичIt is presented the new theoretical approach for sensing hyperfine structure parameters, scalar-pseudoscalar interaction constant and parity non-conservation effect in heavy atomic and nuclear systems, based on the combined QED perturbation theory formalism and relativistic nuclear mean-field theory. Results of estimating these constants in different heavy atoms and nuclei are presented. Розглянутий новий теоретичний підхід до визначення параметрів понад тонкої структури, електрослабкої взаємодії, сталої скаляр — псевдоскалярної взаємодії та ефекту незбереження парності у важких атомних та ядерних системах, який базується на ядерноКЕД теорії збурень та релятивістській моделі середнього поля. Наведені результати розрахунку шуканих параметрів у різноманітних важких атомах та ядрах. Представлен новый теоретический подход к определению параметров сверхтонкой структуры, электрослабого взаимодействия, константы скаляр — псевдоскалярного взаимодействия и эффекта несохранения четности в тяжелых атомных и ядерных системах, базирующийся на ядерно-КЭД теории возмущений и релятивистской ядерной модели среднего поля. Приведены результаты расчета искомых параметров в различных атомах и ядрах.Документ Sensing non-linear chaotic features in dynamics of system of coupled autogenerators: multifractal analysis(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2007) Bunyakova, Yuliya Ya.; Glushkov, A. V.; Fedchuk, Aleksandr P.; Serbov, N. G.; Svinarenko, A. A.; Tsenenko, I. A.; Бунякова, Юлія Ярославівна; Глушков, О. В.; Федчук, Олександр Петрович; Сербов, М. Г.; Свинаренко, А. А.; Цененко, І. А.; Бунякова, Юлия Ярославна; Глушков, А. В.; Федчук, Александр Петрович; Сербов, Н. Г.; Свинаренко, А. А.; Цененко, И. А.The multifractal approach has been used for analysis and sensing the non-linear chaotic features in dynamics of system of the coupled autogenerators. It has been found that the corresponding fractals dimensions are lying in the interval [1,3-1,9]. Мультіфрактальний підхід використано для аналізу та детектування хаотичних елементів у динамиці осциляцій в системі зв’язаних автогенераторів. Відповідний спектр фрактальних розмірностей лежить у інтервалі [1,3-1,9]. Мультифрактальный подход использован для анализ и детектирования элементов хаоса в динамике колебаний в системе связанных автогенераторов. Соответствующий спектр фрактальных размерностей лежит в интервале [1,3-1,9].Документ Sensing nuclear anapole moment and parity non-conservation effect in heavy atomic systems: new scheme(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2013) Khetselius, Olga Yu.; Хецелиус, Ольга Юрьевна; Хецеліус, Ольга ЮріївнаIt is presented the new theoretical approach for sensing anapole moment of a nucleus and parity non-conservation effect in heavy atomic systems, based on the combined QED perturbation theory formalism and relativistic nuclear mean-field theory. Results of estimating these constants are presented.Документ Sensing of nuclei available in little quantities by means of laser spectroscopy of hyperfine structure for isotopes: new theoretical scheme (U ,Hg)(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2007) Glushkov, A. V.; Khetselius, Olga Yu.; Gurnitskaya, E. P.; Florko, Tetiana A.; Глушков, О. В.; Хецеліус, Ольга Юріївна; Гурницька, О. П.; Флорко, Тетяна Олександрівна; Глушков, О. В.; Хецелиус, Ольга Юрьевна; Гурницкая, Е. П.; Флорко, Татьяна АлександровнаIt is presented the the effective theoretical scheme with possibility of advancing corresponding nuclear technology for sensing different parameters for nuclei available in the little quantitites. It is based on the experimental receiving the isotope beams on the CERN ISOLDE type apparatus and the precised theoretical and laser spectroscopy empirical estimating the hyperfine structure parameters, magnetic and electric moments of a nuclei of isotopes. As example the nuclei of 235U and 201Hg are considered. Розглянута ефективна теоретична схема з можливостю удосконалення відповідної ядерно ї технології детектування параметрів ядер, доступних у малих кількостях. Методика базу- ється на експериментальному отриманні пучків атомів ізотопів на установках типу CERN ISOLDE і теоретичній та емпірічній оцінці параметрів понадтонкої структури, електричного та магнітного моментів ядер ізотопів. Як приклад розглянуті ядра 235U та 201Hg. Рассмотрена эффективная теоретическая схема с возможностью усовершенствования соответствующей ядерной технологии детектирования параметров ядер, доступных в малых количествах. Методика базируется на экспериментальном получении пучков атомов изотопов на установках типа CERN ISOLDE и прецизионной теоретической и экспериментальной (методами лазерной спектрокопии) оценке параметров сверхтонкой структуры, электрического и магнитного моментов ядер изотопов. В качестве иллюстрации рассмотрены ядра 235U и 201Hg.