Бакалаври МФІТ
Постійне посилання зібрання
Переглянути
Перегляд Бакалаври МФІТ за Ключові слова "104 фізика та астрономія"
Зараз показуємо 1 - 12 з 12
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Внутрішня будова скупчень галактик, що належать до надскупчень галактик(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2024) Коршунов, Валерій МиколайовичДослідження Великомасштабної структури Всесвіту є однією з найважливіших галузей сучасної космології та астрофізики. Її вивчення дозволяє отримати глибоке розуміння фундаментальних властивостей Всесвіту, його складу, історії та еволюції. Згідно з сучасною космологічною моделлю ΛCDM, первинні адіабатичні флуктуації густини на ранніх етапах формування Всесвіту зумовлюють неоднорідності в розподілі речовини, що випромінює. Згущення баріонної матерії (галактики, скупчення та надскупчення галактик) відповідають областям додатних варіацій, тоді як у областях від’ємних варіацій утворюються порожнини (войди). Дані про розподіл матерії у Всесвіті допомагають уточнити параметри космологічних моделей, зокрема, параметри ΛCDM моделі.Документ Вплив поверхневого легування сіркою на морфологію поверхні n- GaAs(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2019) Мальцев, Сергій ВасильовичУ зв’язку з різким погіршенням стану світової екології та небезпекою багатьох промислових підприємств для стану здоров’я людини існує гостра необхідність у виробництві високочутливих газових сенсорах. Існуючі газові сенсори на основі оксидів мають чутливість, яка не повністю задовольняє сучасним вимогам, і тому потребують заміни на інші. Відомо, що височутливими сенсорами парів аміаку є р-n переходи на основі GaAs. Підняти газову чутливість таких структур можна за допомогою поверхневого легування сіркою. Метою роботи було з’ясування причини зменшення газової чутливості p-n- переходів на основі GaAs при збільшенні часу поверхневого легування. Для виконання поставленої мети проводилися дослідження морфології поверхні n-GaAs до та після поверхневого легування сіркою з різною тривалістю.Документ Вплив режимів фотохімічного поверхневого легування сіркою на морфологію поверхні n-GaAs.(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2020) Жуковська, Олександра ВадимівнаР-n переходи на основі GaAs є височутливими сенсорами парів аміаку. За допомогою фотохімічного поверхневого легування сіркою можна підняти газову чутливість таких структур. У даний час відсутні дослідження змін чутливості та морфології поверхні таких структур при різних умовах сульфідної обробки.Документ Дослідження нанокристалів CdSe, легованих домішками-соактиваторами(Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова, 2022) Чайчук, Інна ГарріівнаРозумне використання світлогенеруючих інструментів дозволило розширити соціальну та економічну діяльність, будучи наріжним каменем сучасних світлових технологій, розробка світловипромінюючих матеріалів та пристроїв, які є ефективними та екологічно чистими [1-6]. Зокрема, широке використання світлодіодів (LED) протягом останнього десятиліття змінило наші уявлення про люмінесцентні властивості нанотехнологічних матеріалів. Оскільки основні зусилля спрямовані на підвищення ефективності світлодіодних чіпів і налаштування властивостей фотолюмінесцентних матеріалів, що використовуються для перетворення кольору в загальному освітленні, існує значний інтерес до розробки матеріалів з нетрадиційними емісійними властивостями. Отже, невелика кількість наукових обгрунтувань та детальне вивчення даної теми зумовлюють її гостру актуальність.Документ Ефективна електрична провідність полімерних композитів із сегрегованим розподілом частинок наповнювача(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2024) Навроцький, Олександр СергійовичПолімерні матеріали з початку свого створення зазвичай мають малу електропровідність і належать до ізоляторів. Для технічних застосувань перспективним є створення матеріалу, які мають електропровідність на рівні провідника, при цьому зберігати фізико-механічні властивості полімеру. Такі полімерні композити мають дуже багато застосувань у техніці. Це електропровідні клеї, антистатичні матеріали, гнучкі нагрівачі, контактні матеріали для електронної техніки, захисні покриття від електромагнітного поля і багато інших [1-2]. Потенційність застосування таких композитів є актуальним для науки.Документ Закономірності та еволюція розподілу мас компонентів кратних зоряних систем з перетіканням речовини(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2021) Твардовський, Дмитро ЄвгеновичЦя робота присвячена вивченню подвійних та потрійних зоряних систем, розподілу мас між компонентами, статистичному аналізу та еволюції цього розподілу. Подвійними зоряними системами (або подвійними зорями) називають системи з двох гравітаційно пов’язаних зір, які обертаються навколо спільного центру мас по замкненим орбітами. Досить часто площина орбіти зір проходить таким чином, що ми бачимо затемнення однієї зорі іншою. Такі зоряні системи називають затемнюваними подвійними. Характерною особливістю таких зір є наявність двох мінімумів блиску зорі та наявність чіткого періоду зміни блиску - це величина, що дорівнює проміжку часу між двома відповідними сусідніми моментами мінімуму. Подвійні зорі поділяються на контактні та тісні по наявності перетікання речовини та заповненню так званої порожнини Роша. Порожнина Роша – це область простору навколо двох зір, яка проходить через внутрішню точку Лагранжа та обмежена еквіпотенційної поверхні. У розділених перетікання плазми між компонентами неможливе на даному еволюційному етапі, оскільки жоден з компонентів не заповнює свою порожнину Роша. У тісних перетікання речовини відбувається або відбувалося між компонентами системи. Тісні системи бувають напіврозділені (тільки один компонент заповнює свою порожнину Роша), контактні (обидва компоненти заповнюють порожнину Роша) та надконтактні (обидва компоненти переповняють порожнини Роша).Документ Зонний спектр узагальненої моделі Кроніга-Пені(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2020) Білоглазов, Олександр ЮрійовичІнтенсивний розвиток квантової інженерії та застосування малорозмірних квантових систем для потреб наноелектроніки дає попит на розробку простих моделей здатних відтворювати основні залежності між фізичними характеристиками. Застосування модельних систем які дають змогу отримати точні результати важливо для встановлення базових залежностей між спостережуваними величинами таких як провідність, енергетична густина станів та ширини зон від особливостей періодичної структури та її параметрів взаємодії із носієм.Документ Модель ефективних електричних властивостей систем анізотропних частинок(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2020) Столярик, Оксана ДмитрівнаУ запропонованій роботі приділено увагу ефективним електричним властивостям гетерогенних систем, що складаються з двох або більше компонентів (фаз) та мають у своєму складі анізотропні за формою або властивостями частинки.Документ Модель ефективної теплопровідності невпорядкованих гетерогенних систем(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2021) Єрьомін, Олексій ВолодимировичЗастосування невпорядкованих гетерогенних матеріалів завдяки їхнім унікальним властивостям є перспективним напрямком у техніці. Наприклад, полімерні композити з вуглецевими включеннями мають велику теплопровідність і можуть бути вигідно використані для відводу тепла в мікроелектроніці [1, 2]. ТS, бали)акож особливо перспективною виглядає можливість використання нанорідин — композитів рідин з малою теплопровідністю, у яких дисперговано частинки із більшою в сотні або тисячі разів теплопровідністю [3]. Прикладами їх можливих застосувань можуть бути холодагенти в холодильній техніці, охолоджувальні елементи в процесорах, трансформаторах тощо [3, 4, 5]. Звичайно, що на стадії проєктування такого обладнання дуже важливо розуміти, якими будуть теплопровідності розроблюваних багатокомпонентних матеріалів, і було б економічно ефективніше мати теоретичний спосіб їх передбачати, виходячи з теплових властивостей окремих компонентів, ніж щоразу визначати їх експериментально.Документ Оптичні властивості наночастинок ZnO легованих перехідними елементами(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2024) Дідікіна, Анна ОлексіївнаОксид цинку (ZnO) завдяки характеристикам низької вартості, безпеки та не складного виготовлення, є другим за поширеністю оксидом металу після заліза. Оксид цинку має унікальні фізичні, електричні та оптичні властивості. В даний час ZnO як наночастинки, нанодроти, нановолокна та інші класні наноструктури, зустрічаються серед інноваційних наноматеріалів, що використовують в паливних елементах, очищенні води та біомедичних областях.Документ Процеси утворення та росту кристалів оксидів на поверхні вольфраму(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2020) Матреницька, Юлія БорисівнаМетою даної роботи є вивчення температурних режимів і кінетики утворення оксидних структур на поверхні вольфраму, механізмів формування кристалів на поверхні оксидної плівки, дослідження їх властивостей.Документ Характер активності в системі "акреційний диск-джет" для різних типів активних ядер радіогалактик та квазарів(Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова, 2022) Забора, Данііл АндрійовичАктивні ядра галактик (АЯГ) – малі, у порівнянні з розмірами галактики, компактні області у центрах галактик, для яких характерні процеси, що супроводжуються утворенням великої кількості енергії, що не можна пояснити активністю сукупності окремо взятих зір. З часів відкриття Карлом Сейфертом галактик з активними ядрами [1], з подальшим розвитком спостережних можливостей астрономії, інтерес до явища АЯГ тільки зростав, як і до конкретно – фізики АЯГ. Одним із наслідків процесів, що відбуваються у АЯГ є спостережувана змінність випромінювання. Вона несе важливу інформацію про фізику цих процесів. Також, важливу інформацію може нести змінність випромінювання джетів активних ядер – струменів релятивістської плазми, що викидається по обидва боки від площини материнської галактики.