Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Постійне посилання зібрання
Галузь і проблематика:
Журнал "Сенсорна електроніка і мікросистемні технології" публікує статті, короткі повідомлення, листи до Редакції, а також коментарі, що містять результати фундаментальних і прикладних досліджень, за наступними напрямками:
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори.
Проектування і математичне моделювання сенсорів.
Сенсори фізичних величин.
Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори.
Акустоелектронні сенсори.
Хімічні сенсори.
Біосенсори.
Наносенсори (фізика, матеріали, технологія).
Матеріали для сенсорів.
Технологія виробництва сенсорів.
Сенсори та інформаційні системи.
Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.).
Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів.
Переглянути
Перегляд Сенсорна електроніка і мікросистемні технології за Дата публікації
Зараз показуємо 1 - 20 з 124
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Signal relaxation in image sensor based on nonideal heterojunctions(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2004) Smyntyna, Valentyn A.; Borshchak, Vitalii A.; Balaban, Andrii P.; Смынтына, Валентин Андреевич; Борщак, Виталий Анатольевич; Балабан, Андрій Петрович; Сминтина, Валентин Андрійович; Борщак, Віталій Анатолійович; Балабан, А. П.Nonequilibrium charge relaxation processes in the barrier zone of nonideal heterojunction have been studied. Sensor based on nonideal heterojunctions is capable of a rather long-term storage of a latent image even at room temperature, since the image is formed by the nonequilibrium charge stored at deep traps in the space-charge region where a considerable recombination barrier is present. The signal relaxation after the exciting light switching-off was studied in four points of the sensor. The signal has been found to decrease at the same characteristic relaxation time but to differ considerably in absolute value at different points. This fact evidences that the sensor photosensitivity unhomogene-ity is caused by substantial variation of the trapping center concentration over the surface, the parameters defining the thermal emission probability being the same. Исследованы процессы релаксации неравновесного заряда в барьерной области неидеального гетероперехода. Сенсор на основе такого гетероперехода даже при комнатной температуре может достаточно долго хранить скрытое изображение, так как оно сформировано неравновесным зарядом, захваченным на глубокие ловушки в области пространственного заряда, где имеется значительный рекомбинационный барьер. Исследование релаксации сигнала после выключения возбуждающего света было выполнено в четырех точках сенсора. Установлено, что в разных точках сигнал убывает с одним и тем же характерным временем релаксации, однако сильно отличается по абсолютной величине. Это свидетельствует о том, что неоднородность сенсора по фоточувствительности вызвана существенным изменением вдоль поверхности концентрации ловушечных центров с одними и теми же параметрами, определяющими вероятность термического выброса. Досліджено процеси релаксації нерівноважного заряду в бар'єрній області неідеального гетероперехода. Сенсор на базі такого гетеропереходу навіть при кімнатній температурі може досить довго зберігати сховане зображення, тому що воно сформовано нерівновагимДокумент ПЕРЕХОДИ ВАЖКОЇ ДІРКИ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ КВАНТОВИХ ТОЧКАХ І МОЖЛИВОСТІ ЇХ ВИКОРИСТАННЯ В НАНОЛАЗЕРІ(Астропринт, 2004) Покутній, С. І.; Покутний, С. И.; Pokutnyi, S. I.Приводиться теоретичний аналіз можливості використання переходів важкої дірки між еквідистантною серією рівнів у адіабатичному потенціалі електрона в напівпровіднико -вих квантових точках у оптичному нанолазері.Проводится теоретический анализ возможности использования переходов тяжелой дырки между эквидистантной серией уровней в адиабатическом потенциале электрона в полупроводниковых квантовых точках в оптическом нанолазере. We discuss energy spectrum of electron-hole pairs in a quasi-zero-dimensional system consisting of spherical semiconductor quantum dots placed in transparent dielectric matrice. We study theoretically the prospect of using hole transitions between equidistant series of quantum levels observed in quantum dots iv design of a nanoleser.Документ The stat and prospects of the sensor electronics based on acoustoelectronic phenomena(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2004) Lepikh, Yaroslav I.; Лепих, Ярослав Ильич; Лепіх, Ярослав ІллічIn this paper the opportunities acoustoelectronic phenomena use for new generation sensors creation which correspond to requirements of essential increase their metrological characteristics and intellectualization are considered. The achieved results sensors constructed on a basis of acoustoelectronic effects having place at surface acoustic waves propagation researches and development are analyzed. The results the new construction perspective principles researches of such sensors class are given. The constructive-technological decisions of some physical sensors and gas sensors are described. The possible development application fields are specified and the basic characteristics of some sensors are resulted. В статье с позиции необходимости создания нового поколения сенсоров, отвечающих требованиям существенного повышения их метрологических характеристик и интеллектуализации , рассмотрены возможности использования для этой цели акустоэлектронных явлений. Проанализированы достигнутые результаты исследований и разработок сенсоров, построенных на основе акустоэлектронных эффектов имеющих место при распространении поверхностных акустических волн. Приведены результаты исследований новых перспективных принципов построения такого класса сенсоров. Описаны конструктивно-технологические решения некоторых сенсоров физических величин и сенсоров газа. Указаны возможные области применения разработок и приводятся основные технические характеристики некоторых сенсоров. У статті з позиції необхідності створення нового покоління сенсорів, що відповідають вимогам істотного підвищення їх метрологічних характеристик і інтелектуалізації, розглянуті можливості використання для цієї мети акустоелектронних явищ. Проаналізовано досягнуті результати досліджень і розробок сенсорів, побудованих на основі акустоелектронних ефектів, що мають місце при поширенні поверхневих акустичних хвиль. Приведено результати досліджень нових перспективних принципів побудови сенсорів такого класу. Описано конструктивно-технологічні рішення деяких сенсорів фізичних величин і сенсорів газу. Зазначено можливі області застосування розробок і приводяться основні технічні характеристики деяких сенсорів.Документ MIS-phototransistor with p-n-…-p-n-structure as a gate(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Vikulin, Ivan M.; Kurmashev, Sh. D.; Mingalev, V. A.; Tumanov, U. G.; Вікулін, Іван Михайлович; Курмашов, Ш. Д.; Мінгалєв, В. А.; Туманів, Ю. Г.; Викулин, Иван Михайлович; Курмашев, Ш. Д.; Мингалев, В. А.; Туманов, Ю. Г.The physical mechanisms of the operation of the field-effect MIS-phototransistor with p-n- …-p-n — structure as the gate is considered. The photo-voltage, which is raised with illumination, operates by current in the channel of the transistor. The photosensitivity of such transistors better than that of the photodetector with absorption of light only in the channel. The utilization as the gate of semiconductor with greater wide band gap than material of channel is extended the spectral region of sensitivity in ultraviolet. Розглянуто фізичні механізми дії польового МДН фототранзистора з p-n-…-p-n-структуроюв якості затвору. Виникаюча при освітленні затвора фотонапруга управляє струмом у каналі транзистора. Фоточутливість такого приладу набагато вища, ніж у фотоприймача з однорідною структурою затвора. Використання в якості затвора напівпровідникової p-n-…-p-n-структури з більшою шириною забороненої зони, ніж матеріалу каналу,розширює спектральний діапазон чутливості в УФ-області. рассмотрены физические механизмы действия полевого МДП фототранзистора с p-n-…-p-n-структурой в качестве затвора. Возникающее при освещении затвора фотонапряжение управляет током в канале транзистора. Фоточувствительность такого прибора намного выше,чем у фотопремника с однородной структурой затвора. Использование в качестве затвора полупроводниковой p-n-…-p-n-структуры с большей шириной запрещенной зоны, чем материала канала, расширяет спектральный диапазон чувствительности в УФ области.Документ Автоматическое регулирование концентрации кислорода в воздушной смеси с помощью сенсора и полутопливного элемента(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Короленко, С. Д.; Макордей, Ф. В.; Коноваленко, Л. Д.; Короленко, Л. И.; Короленко, С. Д.; Макордей, Ф. В.; Коноваленко, Л. Д.; Короленко, Л. І.; Korolenko, S. D.; Makordey, F. V.; Konovalenko, L. D.; Korolenko, L. I.В работе описана автоматическая установка, поддерживающая в замкнутом объеме заданную концентрацию кислорода в воздушной смеси. Приведены электрохимические характеристики сенсора металл-оксид, а также конструкция и характеристики полутопливного элемента, с помощью которого осуществляется поглощение кислорода. Представлена схема хранилища для плодоовощной продукции, а также блока автоматики данной системы. В роботі описана автоматична установка, яка підтримуе в замкнутому об'ємі задану концентрацію кисню в повітряній суміші. Приведені електрохімічні характеристики сенсора метал-оксид, а також конструкція і характеристики напівпаливного елементу, за допомогою якого здійснюється поглинання кисню. Наведена схема сховища для плодоовочевої продукції, а також блока автоматики даної системи. In work the automatic installation supporting in the closed volume set concentration of oxygen in an air mix is described. Electrochemical characteristics of a sensor control metal-oxide, and also a design and characteristics semi-fuel element by means of which absorption of oxygen is carried out are resulted. The scheme of storehouse for fruit-and-vegetable production, and also the block of automatics of the given system is presented.Документ Investigation of the causes of silicon MOS — transistor parameters catastrophic degradation(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Kulinich, O.; Glauberman, Mykhailo A.; Chemeresuk, Geogriy G.; Yatsunsky, I.; Кулініч, О. А.; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Яцунский, І. Р.; Кулинич, О. А.; Глауберман, Михаил Аббович; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Яцунский, И. Р.The paper is aimed at finding out the causes of the catastrophic degradation of parameters of silicon MOS-transistors, formed by the ordinary planar technology. The basic causes of degradation have been found to be: - thermal compression contacts rupture, which can be explained by formation of intermetallic compounds in the contact area, resulting in brittleness of the contacts, - breaking of the metallic interconnections and contact pads integrity, resulting from inobservance of the photolithography technological conditions as well as from presence of a developed defect structure on the silicon surface and formation of silicide compounds.Робота присвячена виявленню причин катастрофічної деградації деградації параметрів кремнієвих МОН- транзисторів, які були сформовані за звичайною планарною технологією. Встановлено, що основними причинами деградації є:-обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням в районі контакту інтерметалевих з'єднань, що приводить до охрупчування контактів; - порушення цільності металевої розводки і контактних площин, виникаючих в наслідок порушення технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію і виникнення сіліцидних сполук. Работа посвящена выявлению причин катастрофической деградации параметров кремниевых транзисторов, которые были сформированы по обычной планарной технологии. Установлено, что основными причинами деградации являются: - обрыв термокомпрессионных контактов, которые можно объяснить образованием в районе контакта интерметаллических соединений, приводящих к охрупчиванию контактов; - нарушение цельности металлической разводки и контактных площадок, возникающие вследствие нарушения технологических режимов фотолитографии, а также присутствия развитой дефектной структуры на поверхности кремния и образования силицидных соединений.Документ Theory of energy transfer of electron excitation: kinetics of exciton luminescence in a three-layer systems(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005) Pokutnyi, Sergey I.; Покутній, Сергій І.; Покутний, Сергей И.The decay kinetics of exciton luminescence in impurity molecules in a three-layer system near the interface of dielectric media in the presence of energy transfer of electron excitation is considered. It is shown that a change in the functional dependence of the probability of Fiirster energy transfer leads to new characteristic dependences in the decay kinetics of impurity luminescence in layered structures. Розглянуто кінетику затухання екситонної люмінесценції домішкових молекул, які знаходяться в трьохшаровій системі поблизу пограничних діелектричних середовищ, при наявності переносу енергії електронного збудження між ними. Показано, що зміна функціональної залежності ферстеровської ймовірності переноса енергії приводить до нових характерних залежностей в кінетиці затухання домішкової люмінесценції шаруватих систем. Рассмотрена кинетика затухания экситонной люминесценции примесных молекул, которые расположены в трехслойной системе вблизи граничных диэлектрических сред, при наличии переноса энергии электронного возбуждения между ними. Показано, что изменение функциональной зависимости ферстеровской вероятности переноса энергии приводит к новым характерным зависимостям в кинетике затухания примесной люминесценции слоистых систем.Документ СУЧАСНИЙ СТАН ТА ПЕРСПЕКТИВИ РОЗВИТКУ СПЕКТРОСКОПІЇ НАНОСИСТЕМ В УКРАЇНІ(Астропринт, 2006) Покутній, Сергій І.; Корсікова, Наталя М.; Pokutnyi, Sergiy I.; Korsikova, Nataly N.; Покутний, Сергей И.; Корсикова, Наталья Н.Аналізується сучасний стан та перспективи розвитку спектроскопії напівпровідникових наносистем. Наводяться проблеми теоретичної спектроскопії електронних та екситонних станів квазінульвимірних наносистем, які потребують подальшого розвитку. Досліджується механізм упровадження наносистемних технологій у сучасних умовах розвитку економіки України. The present state and the perspectives of the development of the spectroscopy of semiconductor nanosystems are analysed. The problems of theoretical spectroscopy of electron and exciton states of quasin-zero-dimensional nanosystems requiring further development are provided. The mechanism of introduction of nanosystem technologies into the current economy of Ukraine is investigated. Анализируется настоящее состояние и перспективы развития спектроскопии полупроводниковых наносистем. Приводятся проблемы теоретической спектроскопии электронных и экситонных состояний квазинульмерных наносистем, которые требуют дальнейшего развития. Исследуется механизм внедрения наносистемных технологий в настоящих условиях развития экономики Украины.Документ ОСОБЕННОСТИ ПРОБОПОДГОТОВКИ ПРИ СЕНСОРНОМ АНАЛИЗЕ ТОПОЧНЫХ ГАЗОВ(Астропринт, 2006) Кац, Б. М.; Длубовский, Р. М.; Кац, Б. М.; Длубовський, Р. М.; Kats, B. M.; Dlubovskiy, R. M.Обоснована необходимость предварительной осушки топочных газов при сенсорном определении в них концентраций H2S, SO2, CO, NO и NO2. Показана возможность использования для этой цели специальных фильтров, содержащих хемосорбционный материал марки ВИОН КН-1, применение которого позволяет снизить относительную влажность анализируемой газовоздушной смеси до 50-70 %. Обґрунтовано необхідність попереднього осушування топкових газів при сенсорному визначенн і в них концентрацій H2S, SO2, CO, NO та NO2. Показана можливість використання для цієї мети спеціальних фільтрів, що містять хемосорбційний матеріал марки ВИОН КН-1, застосування якого дозволяє знизити відносну вологість газовоздушної суміші, що аналізується, до 50-70 %. The fuel gas preliminary drying necessity at sensor determination of H2S, SO2, CO, NO and NO2 concentrations was proved. It was shown that this goal can be achieved by using the special filters which comprise the chemisorption’s material VION KN-1 type. The using of this material enables us to decrease the analyzed air-gas mixture relative humidity up to 50-70 %.Документ ФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ(Астропринт, 2006) Викулин, И. М.; Курмашев, Ш. Д.; Мингалев, В. А.; Вікулін, І. М.; Курмашев, Ш. Д.; Мінгальов, В. А.; Vikulin, I. M.; Kurmashev, Sh. D.; Mingalov, V. A.В работе исследованы характеристики преобразователя света с частотным выходом на основе однопереходного транзистора. Для достижения линейности зависимости частоты от светового потока и повышения фоточувствительности в цепи эмиттера вместо фоторезистора использован полевой транзистор. Расширение спектра фоточувствительности в инфракрасную область может быть достигнуто, если база полевого фототранзистора содержит примеси, создающие глубокие уровни в запрещенной зоне кремния. В роботі досліджено характеристики перетворювачів світла з частотним вихідом на базі одноперехідного транзистору. Для підвищення лінійності залежності частоти від світлового потоку та фоточутливості в колі емітеру замість резистору використано польовий транзистор. Розширення спектру фоточутливості в інфрачервону область може бути досягнено, якщо база польового фототранзистору містить домішки, які створюють глибокі рівні в заборонен ій зоні кремнію. Characteristics of the light converter with the frequency output on the base of the unijunction transistor were investigated. The field-effect transistor instead of resistor in the emitter circuit of the unijunction transistor was used for increase of linear dependence of the frequency for the light stream. Expansion of the photosensitivity spectrum into the infrared region may be arrived if the base of the field-effect transistor contains the dopants which made the deep level in the band gap of silicon.Документ Sensing the Auger spectra for solids: new quantum approach(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2006) Ambrosov, S. V.; Glushkov, A. V.; Nikola, Liudmyla V. ; Амбросов, С. В.; Глушков, А. В.; Нікола, Людмила Валеріївна; Амбросов, С. В.; Глушков, А. В.; Никола, Людмила ВалерьевнаIt is proposed new approach to sensing Auger spectra of solids and calculation of charac-teristics of Auger decay within S-matrix Gell-Mann and Low formalism. The energies of Auger electron transitions in solids (Na,Si,Ge,Ag) are calculated with account for correlation effects. Розвинуто новий підхід до детектування Оже-спектрів твердих тіл та розрахунку характеристик Оже розпаду в межах S-матричного формалізму Гелл-Мана та Лоу. З урахуванням кореляційних ефектів розраховані енергії Оже переходів у Na,Si,Ge,Ag. Развит новый подход к детектированию Оже спектров твердых тел и расчету характеристик Оже распада в рамках S-матричного формализма Гелл-Мана и Лоу. С учетом корелляционных эффектов рассчитаны энергии Оже переходов в Na,Si,Ge,Ag.Документ Фізичні та модельні уявлення про гальваномагнітні ефекти в біполярних напівпровідникових структурах(2006) Глауберман, Михаил Аббович; Єгоров, В. В.; Каніщева, Н. А.; Козел, В. В.; Glauberman, Mykhailo A.; Yegorov, V. V.; Kanischeva, N. A.; Kozel, V. V.; Глауберман, Михайло Абович; Егоров, В. В.; Канищева, Н. А.; Козел, В. В.Аналізуються основні фізичні механізми роботи біполярних напівпровідникових магніточутливих структур (БМС). Показано, що вертикальні магніточутливі структури підлягають вилученню з класу БМС, а горизонтальні з точки зору модельних уявлень складають єдиний клас незалежно від напрямку магнітної осі. Механізми чутливості БМС, в яких визначаючим параметром є рухливість носіїв, допускають єдине по формі модельне представлення і тому можуть розглядатися як єдиний механізм перерозподілу. Магніточутливість БМС при визначенні її ефективністю перетворення досить коректно описується одновимірним рівнянням безперервності, причому незалежно від конкретних межових умов. The basic physical operation mechanisms of bipolar semiconductor magnetosensitive structures (BMSs) are analysed. The vertical structures have been shown to be subject to exclusion from the BMS class, and horizontal BMSs form a single class irrespective of their magnetic axis orientation. The BMS's sensitivity mechanisms having the charge mobility as the determining parameter allow a in-single model notion, and can be viewed as a single redistribution mechanism. When determined by transduction efficiency, the BMS magnetic sensitivity is quite correctly described by one-dimensional continuity equation irrespective of the boundary conditions. Анализируются основные физические механизмы работы биполярных полупроводниковых транзисторных структур (БМС). Показано, что вертикальные магниточувствительные структуры подлежат исключению из класса БМС, а горизонтальные с точки зрения модельных представлений составляют единый класс независимо от направления магнитной оси. Механизмы чувствительности БМС, в которых определяющим параметром является подвижность носителей, допускают единое по форме модельное представление и поэтому могут рассматриваться как единый механизм перераспределения. Магниточувствительность БМС при определении ее эффективностью преобразования достаточно корректно описывается одномерным уравнением непрерывности, причем независимо от конкретных граничных условий.Документ ИНДИКАТОРНЫЕ ФИЛЬТРЫ ДЛЯ ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ(Астропринт, 2006) Кац, Б. М.; Длубовский, Р. М.; Шевченко, В. Н.; Кац, Б. М.; Длубовський, Р. М.; Шевченко, В. М.; Kats, B. M.; Dlubovskiy, R. M.; Shevchenko, V. N.Разработана конструкция индикаторных фильтров для газовых сенсоров и показаны преимущества использования таких фильтров при сенсорном анализе многокомпонентных газовых смесей. В работе приведена таблица с указанием основных характеристик индикаторных адсорбентов, с помощью которых можно выбрать адсорбент, наиболее пригодный для решения конкретной аналитической задачи. Розроблена конструкція індикаторних фільтрів для газових сенсорів та показані переваги застосування таких фільтрів при сенсорному аналізі багатокомпонентних газових сумішей. В роботі наведена таблиця, в якій наведені основні характеристики індикаторних адсорбент ів, за допомогою яких можливо вибрати адсорбент, що найкраще придатний для вирішення конкретної аналітичної задачи. The gas sensors indicating filter construction has been developed and the advantages of these filters using under multicomponent gas mixtures sensor analysis are shown. The table was adduced in which the indicating adsorbents main characteristics are presented. It is possible to use these characteristics for choice of the adsorbent which is suitable for the concrete analytical task solution.Документ Sensing non-linear chaotic features in dynamics of system of coupled autogenerators: multifractal analysis(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2007) Bunyakova, Yuliya Ya.; Glushkov, A. V.; Fedchuk, Aleksandr P.; Serbov, N. G.; Svinarenko, A. A.; Tsenenko, I. A.; Бунякова, Юлія Ярославівна; Глушков, О. В.; Федчук, Олександр Петрович; Сербов, М. Г.; Свинаренко, А. А.; Цененко, І. А.; Бунякова, Юлия Ярославна; Глушков, А. В.; Федчук, Александр Петрович; Сербов, Н. Г.; Свинаренко, А. А.; Цененко, И. А.The multifractal approach has been used for analysis and sensing the non-linear chaotic features in dynamics of system of the coupled autogenerators. It has been found that the corresponding fractals dimensions are lying in the interval [1,3-1,9]. Мультіфрактальний підхід використано для аналізу та детектування хаотичних елементів у динамиці осциляцій в системі зв’язаних автогенераторів. Відповідний спектр фрактальних розмірностей лежить у інтервалі [1,3-1,9]. Мультифрактальный подход использован для анализ и детектирования элементов хаоса в динамике колебаний в системе связанных автогенераторов. Соответствующий спектр фрактальных размерностей лежит в интервале [1,3-1,9].Документ Аналіз ефективності оптичних цифрових імпульсних фазометрів(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2007) Лєнков, С. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Видолоб, В. В.; Перегудов, Д. О.; Lenkov, S. V.; Lepikh, Yaroslav I.; Vydolob, V. V.; Peregudov, D. A.; Ленков, С. В.; Лепих, Ярослав Ильич; Выдолоб, В. В.; Перегудов, Д. А.Проведено порівняльний аналіз оптичних фазометрів з ортогональною фільтрацією та дискретною обробкою сигналів. Наведені переваги та недоліки таких фазометрів при їх застосуванні для виміру оптичних параметрів напівпровідників. The comparative analysis optical phasometers with an orthogonal filtration and discrete processing of signals is carried out. Such phasometers advantages and defaults during their use for measurement semiconductors optical parameters are given. Проведен сравнительный анализ оптических фазометров с ортогональной фильтрацией и дискретной обработкой сигналов. Приведены преимущества и недостатки таких фазометров при их использовании для измерения оптических параметров полупроводников.Документ Властивості оптичних вікон для сенсорів ІЧ діапазону(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2007) Мокрицький, В. А.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Пашков, О. С.; Mokritsky, V. A.; Lepikh, Yaroslav I.; Pashkov, A. S.; Мокрицкий, В. А.; Лепих, Ярослав Ильич; Пашков, А. С.Досліджено властивості вікон сенсорів ІЧ діапазону, що використовуються для фотоприймач ів, які працюють в умовах жорсткого випромінювання. Досліджено зміну властивостей вікон з кристалів германія, арсеніду галія, антимоніду індія. Показано, що такі зміни залежать від вихідних властивостей та появи структурних дефектів. Properties of IR sensor windows which are used for the photodetectors working in conditions of hard radiation are investigated. Germanium, gallium arsenide and indium antimonide crystals windows property change is investigated. It is shown, that such changes depend on initial properties and occurrence of structural defects. Исследованы свойства окон сенсоров ИК диапазона, которые используются для фотоприемников, работающих в условиях жосткого излучения. Исследовано изменение свойств окон из кристаллов германия, арсенида галлия, антимонида индия. Показано, что такие изменения зависят от исходных свойств и появления структурных дефектов.Документ Theoretical investigation of nanosystems using size quantization stark effect(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2007) Pokutnyi, Sergey I.; Stupayenko, Galina A.; Покутній, Сергій Іванович; Ступаенко, Галина А.; Покутний, Сергей Иванович; Ступаенко, Галина А.Advantages of semiconductor quantum dots for study and diagnostics of biological nanosystems are discussed. A new method for amino acid diagnostics using semiconductor quantum dots is proposed. Interaction of isolated quantum dots with charged amino acids is studied in detail. It is shown that such interaction results in a shift of the quantum dots luminescence spectra by several dozens of meV. This effect provides new possibilities for identification of biological nanoobjects using quantum dots. Обговорюється можливість застосування напівпровідникових квантових точок для вивчення та діагностики біологічних наносистем. Запропоновано новий метод діагностики амінокислот з використанням напівпровідникових квантових точок. Детально вивчається взаємодія квантових точок із зарядженими амінокислотами. Показано, що в результаті такої взаємодії наблюдається зсув спектра люмінесценції квантової точки на декілька меВ. Такий ефект забезпечує нові можливості для ідентифікації біологічних нанооб’єктів з допомогою квантових точок.Документ Sensing of nuclei available in little quantities by means of laser spectroscopy of hyperfine structure for isotopes: new theoretical scheme (U ,Hg)(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2007) Glushkov, A. V.; Khetselius, Olga Yu.; Gurnitskaya, E. P.; Florko, Tetiana A.; Глушков, О. В.; Хецеліус, Ольга Юріївна; Гурницька, О. П.; Флорко, Тетяна Олександрівна; Глушков, О. В.; Хецелиус, Ольга Юрьевна; Гурницкая, Е. П.; Флорко, Татьяна АлександровнаIt is presented the the effective theoretical scheme with possibility of advancing corresponding nuclear technology for sensing different parameters for nuclei available in the little quantitites. It is based on the experimental receiving the isotope beams on the CERN ISOLDE type apparatus and the precised theoretical and laser spectroscopy empirical estimating the hyperfine structure parameters, magnetic and electric moments of a nuclei of isotopes. As example the nuclei of 235U and 201Hg are considered. Розглянута ефективна теоретична схема з можливостю удосконалення відповідної ядерно ї технології детектування параметрів ядер, доступних у малих кількостях. Методика базу- ється на експериментальному отриманні пучків атомів ізотопів на установках типу CERN ISOLDE і теоретичній та емпірічній оцінці параметрів понадтонкої структури, електричного та магнітного моментів ядер ізотопів. Як приклад розглянуті ядра 235U та 201Hg. Рассмотрена эффективная теоретическая схема с возможностью усовершенствования соответствующей ядерной технологии детектирования параметров ядер, доступных в малых количествах. Методика базируется на экспериментальном получении пучков атомов изотопов на установках типа CERN ISOLDE и прецизионной теоретической и экспериментальной (методами лазерной спектрокопии) оценке параметров сверхтонкой структуры, электрического и магнитного моментов ядер изотопов. В качестве иллюстрации рассмотрены ядра 235U и 201Hg.Документ Sensing the finite size nuclear effect in calculation of the Auger spectra for atoms and solids(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2007) Khetselius, Olga Yu.; Nikola, Liudmyla V.; Tyurin, Oleksandr V.; Sukharev, D. E.; Хецеліус, Ольна Юріївна; Нікола, Людмила Валеріївна; Тюрін, Олександр Валентинович; Сухарев, Д. Є.; Хецелиус, Ольга Юрьевна; Никола, Людмила Валерьевна; Тюрин, Александр Валентинович; Сухарев, Д. Е.It is carried out the sensing finite size nuclear effect in calculations of the Auger spectra of solids. The energies of Auger electron transitions in (Ge,Ag, Au,Fr) are calculated. Виконано оцінку внеску ефекту скінченного розміру ядра в енергії Оже спектра твердих тіл. Розраховані енергії Оже переходів у Ge, Ag, Au, Fr. Выполнена оценка вклада эффекта конечного размера ядра в энергии Оже спектра твердых тел. Рассчитаны энергии Оже переходов в Ge, Ag, Au,Fr.Документ МЕРЫ ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИНДИКАТОРОВ(Астропринт, 2008) Ленков, С. В.; Гунченко, Ю. А.; Жеревчук, В. В.; Лепих, Ярослав Ильич; Ленков, С. В.; Гунченко, Ю. О.; Жеревчук, В. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Lenkov, S. V.; Gunchenko, J. A.; Zherevchuk, V. V.; Lepikh, Yaroslav I.В работе исследуются электролюминесцентные индикаторы, которые являются одним из эффективных компонентов современных систем отображения информации (СОИ). Однако их существенный недостаток — малый срок службы, ограничивающий надежность СОИ. Проведенные исследования обнаружили основные причины старения индикаторов. Предложены меры увеличения их надежности. В роботі досліджуються електролюмінісцентні індикатори, які являються одним із ефективних компонентів сучасних систем відображення інформації (СВІ). Однак їх суттєвий недол ік — малий термін служби, обмежений надійністю СВІ. Проведені дослідження виявили основні причини старіння індикаторів. Запропоновано заходи збільшення їх надійності. In work electroluminescent indicators which are one of effective components modern systems display of the information (SDI) are investigated. However their essential lack — the small service life limiting reliability of the SDI. Carried out researches have found out principal causes of ageing indicators. Measures of increase in their reliability are offered.