Перегляд за Автор "Vikulin, I. M."

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ ТЕРМОДАТЧИКОВ
    (Астрапринт, 2011) Курмашев, Ш. Д.; Викулин, И. М.; Курмашев, Ш. Д.; Вікулін, І. М.; Kurmashev, S. D.; Vikulin, I. M.
    Исследована зависимость прямого падения напряжения U и коэффициента усиления от величины потоков электронов, нейтронов и !-квантов, а также влияние эффективной концентрации типозадающей примеси в базовой области и толщины базы на радиационную стойкость планарно-эпитаксиальных транзисторных термодатчиков. Изучалось влияние отжига облученных структур на восстановление термочувствительных параметров. Показано, что деградация термочувствительных параметров под воздействием облучения начинается при дозах на 1.5…2 порядка выше, чем коэффициента усиления,Степень деградации U и зависит от конструктивно-технологических параметров транзисторов.
  • Ескіз
    Документ
    Радиационная стойкость планарных транзисторных термодатчиков
    (Одеський національний університет, 2011) Курмашев, Ш. Д.; Викулин, И. М.; Вікулін, Іван Михайлович; Kurmashev, S. D.; Vikulin, I. M.
    Исследована зависимость прямого падения напряжения U и коэффициента усиления р от величины потоков электронов, нейтронов и у-квантов, а также влияние эффективной концентрации типозадающей примеси в базовой области и толщины базы на радиационную стойкость планарно-эпитаксиальных транзисторных термодатчиков. Изучалось влияние отжига облученных структур на восстановление термочувствительных параметров. Показано, что деградация термочувствительных параметров под воздействием облучения начинается при дозах на 1.5...2 порядка выше, чем коэффициента усиления, Степень деградации U и р зависит от конструктивно-технологических параметров транзисторов
  • Ескіз
    Документ
    ФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО И ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРОВ
    (Астропринт, 2006) Викулин, И. М.; Курмашев, Ш. Д.; Мингалев, В. А.; Вікулін, І. М.; Курмашев, Ш. Д.; Мінгальов, В. А.; Vikulin, I. M.; Kurmashev, Sh. D.; Mingalov, V. A.
    В работе исследованы характеристики преобразователя света с частотным выходом на основе однопереходного транзистора. Для достижения линейности зависимости частоты от светового потока и повышения фоточувствительности в цепи эмиттера вместо фоторезистора использован полевой транзистор. Расширение спектра фоточувствительности в инфракрасную область может быть достигнуто, если база полевого фототранзистора содержит примеси, создающие глубокие уровни в запрещенной зоне кремния. В роботі досліджено характеристики перетворювачів світла з частотним вихідом на базі одноперехідного транзистору. Для підвищення лінійності залежності частоти від світлового потоку та фоточутливості в колі емітеру замість резистору використано польовий транзистор. Розширення спектру фоточутливості в інфрачервону область може бути досягнено, якщо база польового фототранзистору містить домішки, які створюють глибокі рівні в заборонен ій зоні кремнію. Characteristics of the light converter with the frequency output on the base of the unijunction transistor were investigated. The field-effect transistor instead of resistor in the emitter circuit of the unijunction transistor was used for increase of linear dependence of the frequency for the light stream. Expansion of the photosensitivity spectrum into the infrared region may be arrived if the base of the field-effect transistor contains the dopants which made the deep level in the band gap of silicon.