Перегляд за Автор "Shapkin, P. V."

Зараз показуємо 1 - 6 з 6
  • Ескіз
    Документ
    Electrical conductivity Of ZnSe : In Crystals, Obtained by free growth
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2004) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Pavlov, V. V.; Purtov, Yu. N.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович
    The electrical conductivity of Z n S e :In crystals doped by indium du rin g growth and crystals subjected to diffusion doping by indium from a melt are investigated. It is shown th a t electrical conductivity of Z n S e :In crystals doped by indium during growth is controlled by donors In J,, In f 1- and com p en sa tin g acceptors — zinc vacancies, cen ters (VZnInZn). In crystals subjected to diffusion by indium from melt, electrical conductivity is controlled by shallow donors The an n ea lin g of Z n S e :In crystal in zinc melt gives the decrease in co ncentra tion of com p en sa tin g acceptors and increase of crystal conductivity.
  • Ескіз
    Документ
    Luminescence of Zinc Selenide Single Crystals doped with indium
    (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2001) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Purtov, Yu. N.; Ignatenko, S. A.; Korostelin, Yu. V.; Kozlovsky, V. I.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович
    The spectra of edge and long wavelength photoluminescence for single crystals ZnSe:In, obtained by free growth procedure are investigated. Spectrum of edge emission for low doped crystals ([In] = 1016 ст~ъ) is characterised by lines of emission of free excitons and donor-acceptor pairs (DAP). At concentrations of indium higher 1017 ctrr3, the emission of excitons, bounded on neutral zinc vacancies, appears. Spectrum of a long wavelength luminescence evidences the presence in the crystals, charged vacancies of zinc (V7 ., Vz2„) included in composition of DAP.
  • Ескіз
    Документ
    Obtaining and optical properties of ZnS:Ti crystals
    (Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова, 2013) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Purtov, Yu. N.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Пуртов, Юрий Николаевич; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В.; Ніцук, Юрій Андрійович; Насібов, А. С.; Шапкін, П. В.; Ваксман, Юрій Федорович
    ZnS:Ti single crystals obtained by diffusion doping are investigated. The spectra of optical density in the energy range 0.4-3.8 eV are investigated. On absorption edge shift of investigated crystals the titanium concentration is calculated. Nature of optical transitions determining optical properties of ZnS:Ti single crystals in the visible and IR-region of spectrum is identified. The diffusion profile of the Ті dopant is determined via measurement of the relative optical density of the crystals in the visible spectral region. The Ti diffusivities in the ZnS crystals at 1270-1370 K are calculated. The Ti diffusivity at 1270 K equals 10-10 cm2/s.
  • Ескіз
    Документ
    Obtaining and optical properties of ZnSe:Co films
    (Астропринт, 2008) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Purtov, Yu. N.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Пуртов, Юрий Николаевич; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В.; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович; Пуртов, Юрій Миколайович; Насібов, О. С.; Шапкін, П. В.
    ZnSe:Co films were obtained by vacuum deposition. An optical density spectra in the region of 4-0.38eV are investigated. It is established, that in ZnSe:Co films, as compared to ZnSe films, the absorption edge is displaced in lower energy region. Analogy of ZnSe:Co films and crystals optical absorption spectra is established. The investigated lines of ZnSe:Co films absorption are caused by electrons optical transitions from Co2+ ion basic condition level 4À2(F) on the excited states 4T1(P), 4T1(F) and 4T2(F) levels split with spin-orbit interaction. Пленки ZnSe:Co были получены путем термического напыления в вакууме. Исследованы спектры оптической плотности в области 4-0.38эВ. Установлено, что в пленках ZnSe:Co, по сравнению с пленками ZnSe, край поглощения смещается в низкоэнергетическую область. Установлена аналогия спектров оптического поглощения пленок и кристаллов ZnSe:Co. Исследуемые линии поглощения в пленках ZnSe:Co объясняются оптическими переходами электронов с уровня основного состояния 4А2(F) иона Co2+ на расщепленные спин-орбитальным взаимодействием уровни возбужденных состояний 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F). Плівки ZnSe:Co були отримані шляхом термічного напилення в вакуумі. Досліджені спектри оптичної густини в області 4- 0.38еВ. Встановлено, що в плівках ZnSe:Co, в порівнянні з плівками ZnSe, край поглинання зміщується в низькоенергетичну область. Встановлена аналогія спектрів оптичного поглинання плівок і кристалів ZnSe:Co. Досліджені лінії поглинання плівок ZnSе:Co пояснюються оптичними переходами електронів з рівня основного стану 4А2(F) іона Co2+ на розщеплені спін-орбітальною взаємодією рівні збуджених станів 4T (P), 4T (F) и 4T (F)
  • Ескіз
    Документ
    Optical properties of ZnS single crystals doped with cobalt
    (Астропринт, 2007) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Pavlov, V. V.; Purtov, Yu. N.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Павлов, В. В.; Пуртов, Юрий Николаевич; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В.; Ваксман, Юрій Федорович; Ніцук, Юрій Андрійович; Павлов, В. В.; Пуртов, Юрій Миколайович; Насібов, А. С.; Шапкін, П. В.
    ZnS:Co single crystals were obtained by diffusion-related doping with cobalt. An optical density spectra in the region of 4-0.38eV are investigated. It is established, that at cobalt doping of crystals, the absorption edge is displaced in lower energy region. Analogy of ZnS:Co and ZnTe:Co crystals optical absorption spectra is established. The investigated lines of ZnS:Co absorption are caused by electrons optical transitions from Co2+ ion basic condition level 4À2(F) on the excited states 4T1(P), 4T1(F) and 4T2(F) levels split with spin-orbit interaction. Монокристаллы ZnS:Cо получены методом диффузионного легирования кобальтом. Исследованы спектры оптической плотности в области 4-0.38эВ. Установлено, что при легировании кристаллов кобальтом край поглощения смещается в низкоэнергетическую область. Установлена аналогия спектров оптического поглощения кристаллов ZnS:Co и ZnTe:Co. Исследуемые линии поглощения ZnS:Co объясняются оптическими переходами электронов с уровня основного состояния 4А2(F) иона Co2+ на расщепленные спин-орбитальным взаимодействием уровни возбужденных состояний 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F). Монокристали ZnS:Cо отримані методом дифузійного легування кобальтом. Досліджено спектри оптичної густини в області 4-0.38еВ. Встановлено, що при легуванні кристалів кобальтом край поглинання зміщується в низькоенергетичну область. Встановлена аналогія спектрів оптичного поглинання кристалів ZnS:Co і ZnTe:Co. Досліджені лінії поглинання ZnS:Co пояснюються оптичними переходами електронів з рівня основного стану 4А2(F) іона Co2+ на розщеплені спін-орбітальною взаємодією рівні збуджених станів 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F).
  • Ескіз
    Документ
    Optical properties of ZnSe:Mn crystals
    (Астропринт, 2009) Vaksman, Yurii F.; Nitsuk, Yurii A.; Yatsun, V. V.; Purtov, Yu. N.; Nasibov, A. S.; Shapkin, P. V.; Ваксман, Юрий Федорович; Ницук, Юрий Андреевич; Яцун, В. В.; Пуртов, Юрий Николаевич; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В.; Ваксман, Юрій Федорович; Яцун, В. В.; Пуртов, Юрій Миколайович; Насибов, О. С.; Шапкін, П. В.; Ніцук, Юрій Андрійович
    ZnSe single crystals with diffusion doping of Mn have been investigated. Absorption, luminescence and photoconductivity of ZnSe: Mn crystals have been studied and analyzed in the visible region of the spectrum. Concentration of Mn impurity was estimated from absorption edge. The electron transition scheme in ZnSe:Mn was proposed. Исследованы монокристаллы ZnSe:Mn, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности, фотолюминесценции и фотопроводимости в видимой области. По величине смещения края поглощения определена концентрация марганца в исследуемых кристаллах. Построена схема оптических переходов в кристаллах ZnSe:Mn. Досліджено монокристали ZnSe:Mn, отримані методом дифузійного легування. Проведені дослідження спектрів оптично ї густини, фотолюмінесценції та фотопровідності в видимій області. По зміщенню краю поглинання визначено концентрац ії марганцю в досліджуваних кристалах. Побудована схема оптичних переходів в кристалах ZnSe:Mn.