Перегляд за Автор "Lenkov, S. V."
Зараз показуємо 1 - 9 з 9
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Аналіз ефективності оптичних цифрових імпульсних фазометрів(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2007) Лєнков, С. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Видолоб, В. В.; Перегудов, Д. О.; Lenkov, S. V.; Lepikh, Yaroslav I.; Vydolob, V. V.; Peregudov, D. A.; Ленков, С. В.; Лепих, Ярослав Ильич; Выдолоб, В. В.; Перегудов, Д. А.Проведено порівняльний аналіз оптичних фазометрів з ортогональною фільтрацією та дискретною обробкою сигналів. Наведені переваги та недоліки таких фазометрів при їх застосуванні для виміру оптичних параметрів напівпровідників. The comparative analysis optical phasometers with an orthogonal filtration and discrete processing of signals is carried out. Such phasometers advantages and defaults during their use for measurement semiconductors optical parameters are given. Проведен сравнительный анализ оптических фазометров с ортогональной фильтрацией и дискретной обработкой сигналов. Приведены преимущества и недостатки таких фазометров при их использовании для измерения оптических параметров полупроводников.Документ МЕРЫ ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИНДИКАТОРОВ(Астропринт, 2008) Ленков, С. В.; Гунченко, Ю. А.; Жеревчук, В. В.; Лепих, Ярослав Ильич; Ленков, С. В.; Гунченко, Ю. О.; Жеревчук, В. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Lenkov, S. V.; Gunchenko, J. A.; Zherevchuk, V. V.; Lepikh, Yaroslav I.В работе исследуются электролюминесцентные индикаторы, которые являются одним из эффективных компонентов современных систем отображения информации (СОИ). Однако их существенный недостаток — малый срок службы, ограничивающий надежность СОИ. Проведенные исследования обнаружили основные причины старения индикаторов. Предложены меры увеличения их надежности. В роботі досліджуються електролюмінісцентні індикатори, які являються одним із ефективних компонентів сучасних систем відображення інформації (СВІ). Однак їх суттєвий недол ік — малий термін служби, обмежений надійністю СВІ. Проведені дослідження виявили основні причини старіння індикаторів. Запропоновано заходи збільшення їх надійності. In work electroluminescent indicators which are one of effective components modern systems display of the information (SDI) are investigated. However their essential lack — the small service life limiting reliability of the SDI. Carried out researches have found out principal causes of ageing indicators. Measures of increase in their reliability are offered.Документ ОБЕСПЕЧЕНИЕ МЕТРОЛОГИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ КОНДУКТОМЕТРИЧЕСКИХ СИСТЕМ С ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫМИ ДАТЧИКАМИ(Одеський національний університет, 2011) Мельник, В. Г.; Дзядевич, С. В.; Новик, А. И.; Погребняк, В. Д.; Слицкий, А. В.; Лепих, Ярослав Ильич; Ленков, С. В.; Проценко, В. О.; Новік, А. І.; Сліцький, О. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Проценко, В. О.; Melnyk, V. G.; Dzyadevych, S. V.; Novik, A. I.; Pogrebnyak, V. D.; Slitskiy, A. V.; Lepikh, Yaroslav I.; Lenkov, S. V.; Procenko, V. O.Представлены результаты разработки дифференциальной кондуктометрической системы с автоматической диагностикой параметров эквивалентных схем замещения первичных преобразователей для обеспечения достаточного подавления неинформативных воздействий факторов среды.Документ Обеспечение метрологической надежности кондуктометрических систем с дифференциальными датчиками.(Астрапринт., 2011) Мельник, В. Г.; Дзядевич, С. В.; Новик, А. И.; Погребняк, В. Д.; Слицкий, А. В.; Лепих, Ярослав Ильич; Ленков, С. В.; Проценко, В. О.; Дзядевич, С. В.; Новік, А. І.; Сліцький, О. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Лєнков, С. В.; Проценко, В. О.; Melnyk, V. G.; Dzyadevych, S. V.; Novik, A. I.; Pogrebnyak, V. D.; Slitskiy, A. V.; Lepikh, Yaroslav I.; Lenkov, S. V.; Procenko, V. O.Представлены результаты разработки дифференциальной кондуктометрической системы с автоматической диагностикой параметров эквивалентных схем замещения первичных преобразователей для обеспечения достаточного подавления неинформативных воздействий факторов среды.Документ Радиационная модификация спектров фотолюминесценции арсенида галлия(Астрапринт, 2010) Лепих, Ярослав Ильич; Мокрицкий, В. А.; Ленков, С. В.; Банзак, О. В.; Гунченко, Ю. А.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Мокрицький, В. А.; Лєнков, С. В.; Гунченко, Ю. О.; Lepikh, Yaroslav I.; Mokritsky, V. A.; Lenkov, S. V.; Banzak, O. V.; Gunchenko, Yu. A.В работе обнаружены изменения электрических параметров слоев, полученных с использованием облучения гамма-квантами в процессе эпитаксии. Дано объяснение полученных результатов образованием комплексов первичных радиационных дефектов с атомами примеси. Исследованы спектры фотолюминесценции слоев арсенида галлия, полученных с начальной температурой эпитаксии 1023 К.Документ СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И НЕЙТРОНОВ НА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ(Астропринт, 2009) Мокрицкий, В. А.; Завадский, В. А.; Ленков, С. В.; Лепих, Ярослав Ильич; Банзак, О. В.; Mokritsky, V. A.; Zavadsky, V. A.; Lenkov, S. V.; Lepikh, Yaroslav I.; Banzak, O. V.; Мокрицький, В. А.; Завадський, В. А.; Лєнков, С. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Банзак, О. В.Исследованы радиационные эффекты, возникающие в эпитаксиальных слоях арсенида галлия при облучении быстрыми электронами и нейтронами. Проведен сравнительный анализ их влияния на электрофизические параметры соединения GaAs. The radiating effects arising in epitaxial layers of gallium arsenide at an irradiation fast electrons and neutrons are investigated. The comparison analyses of their influence on electrophysical parameters of compound GaAs. Досліджені радіаційні ефекти, що виникають в епітаксіальних шарах арсені- ду галія при опроміненні швидкими електронами і нейтронами. Проведено порівняльний аналіз їх впливу на електрофізичні параметри сполуки GaAs.Документ ТЕОРЕТИЧНІ АСПЕКТИ МОДЕЛЮВАННЯ ТА ПРОЕКТУВАННЯ РЕЗОНАТОРНИХ ЗОНДІВ ДЛЯ СКАНУЮЧОЇ МІКРОХВИЛЬОВОЇ МІКРОСКОПІЇ(2011) Гордієнко, Ю. О.; Ларкін, С. Ю.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Лєнков, С. В.; Проценко, В. О.; Ваків, М. М.; Gordienko, Yu. E.; Lеrkin, S.Yu.; Lenkov, S. V.; Procenko, V. O.; Vakiv, M. M.; Гордиенко, Ю. Е.; Ларкин, С. Ю.; Лепих, Ярослав Ильич; Ленков, С. В.; Проценко, В. О.; Вакив, М. М.; Lepikh, Yaroslav I.У роботі обґрунтовано загальні підходи до оцінки впливу характеристик резонаторних зондів на просторову роздільну здатність та контрастність зображень в скануючій мікрохвильовій мікроскопії. Зокрема, якісно і кількісно установлені залежності сигналів сканування, що пов язані зі зміною об єктом добротності та резонансної частоти зондів, від геометрії коаксіальної апертури, форми вістря та величини зазору між зондом і об єктом. Для фізичного обґрунтування цих залежностей чисельно досліджено розподіл ближнього поля при різних характеристиках. Особливо відзначено перехід від «трубчатого» характеру розподілу поля при сплощеному вістрі до квазігаусового при наданні йому сферичної форми.Встановлені аспекти можно використовувати при оптимальному проектуванні резонаторних зондів для мікрохвильових мікроскопів різного призначення.Документ УЗАГАЛЬНЕНИЙ КОМПЛЕКСНИЙ ПОКАЗНИК ЯКОСТІ КРЕМНІЄВИХ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ ДЛЯ АПАРАТУРИ СПЕЦІАЛЬНОГО ПРИЗНАЧЕННЯ(Астропринт, 2009) Лєнков, С. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Мокрицький, В. А.; Лукомський, Д. В.; Охрамович, М. М.; Lenkov, S. V.; Lepikh, Yaroslav I.; Mokritsky, V. A.; Lukomsky, D. V.; Ohramovich, M. M.; Лепих, Ярослав ИльичУ даній статті описано новий спосіб аналізу та керування параметрами ФЕП для апаратури спеціального призначення за допомогою узагальненого комплексного показника якості та надійності. Запропонований параметр Q дозволяє не тільки керувати процесом виготовлення кремнієвих ФЕП, але і проводити аналіз рівня їх якості та оцінювати дефектність готових виробів. The new mode of the analysis and management in PhEC parameters for the special purpose equipment with the help of the generalized complex quality and reliability coefficient is described. The proposed parameter Q allows not only to operate silicon PhEC manufacturing process, but also to carry out their quality level analysis and to estimate the finished production deficiency.Документ УНІВЕРСАЛЬНА МОДЕЛЬ ПРОЦЕСУ ФУНКЦІОНУВАННЯ ІНФОРМАЦІЙНОГО ОБ’ЄКТА В ІНТЕЛЕКТУАЛЬНІЙ СИСТЕМІ УПРАВЛІННЯ(Астропринт, 2010) Барабаш, О. В.; Лєнков, С. В.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Балабін, В. В.; Савченко, В. А.; Плосконос, І. М.; Слюняєв, А. С.; Barabash, O. V.; Lenkov, S. V.; Lepikh, Yaroslav I.; Balabin, V. V.; Savchenko, V. A.; Ploskonos, I. M.; Slyunyaev, A. S.; Барабаш, О. В.; Ленков, С. В.; Лепих, Ярослав Ильич; Балабин, В. В.; Савченко, В. А.; Плосконос, И. М.; Слюняев, А. С.Описано розроблену на основі моделі скінченного автомата універсальну модель інформаційного об'єкта, який може функціонувати у неоднорідному інформаційному середовищі.The universal model information object which can function in non-uniform information space developed on the basis of the final automatic device model is described.Описана разработанная на основе модели конечного автомата универсальная модель информационного объекта, который может функционировать в неоднородном информационном пространстве.