Перегляд за Автор "Chebanenko, Anatoliy P."
Зараз показуємо 1 - 20 з 22
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Determination of band gap of semiconductor material in end product(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2014) Bak, A. Yu.; Karakis, Yurii M.; Kutalova, Mariia I.; Chebanenko, Anatoliy P.; Бак, А. Ю.; Каракіс, Юрій Миколайович; Ступак, Олександра Едуардівна; Куталова, Марія Іванівна; Чебаненко, Анатолій Павлович; Stupak, Oleksandra E.; Бак, А. Ю.; Каракис, Юрий Николаевич; Ступак, Александра Эдуардовна; Куталова, Мария Ивановна; Чебаненко, Анатолий ПавловичThe paper puts forward a method for determination of semiconductor activation energy in end product. It is illustrated that band gap can be calculated at cutoffs on both axes of graphs ln(I) ÷U, measured at different temperatures. Minimum temperature interval is determined depending on measuring accuracy. A new method for determination of value Eg without VAC extrapolation is put forward.Документ Determination of parameters for intercrystallite barriers of Zinc selenide electroluminescent Films(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2004) Chebanenko, Anatoliy P.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Чебаненко, Анатолій ПавловичVolt-current ch ara cte ristics and tem p e ra tu re dependencies of c u rre n t for zinc selenide e lectro lumin e sc en t films are p resented. The possibility to determine some param ete rs of polycrystalline layer from th e s e m e a su rem en ts — linear sizes of crystallites, th ick n e ss and en ergy height of intercry sta llin e potential b arriers is shown.Документ Electrical properties of structures based on nanocrystals CdS in gelatin matrix(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2018) Chebanenko, Anatoliy P.; Polischuk, A. V.; Чебаненко, Анатолий Павлович; Полищук, А. В.; Чебаненко, Анатолій Павлович; Поліщук, А. В.The electrical characteristics of composite structures based on nanocrystals of cadmium sulfide in a gelatin matrix are studied. It is shown that in the freshly prepared structures, an electric field is formed, which irreversibly increases the electrical resistance of the structures. A complicated form of the temperature dependence of the current is obtained, which is associated with the participation in the current transport of H+ and OH− ions in the low-temperature region and electrons arising from rupture of π-bonds in the high-temperature region.Документ Electrophysical properties of zinc oxide thin films obtained by chemical methods(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2019) Bulyga, Y. I.; Chebanenko, Anatoliy P.; Hrinevych, Viktor S.; Filevska, Liudmila M.; Булига, Ю. І.; Чебаненко, Анатолій Павлович; Гріневич, Віктор Сергійович; Філевська, Людмила Миколаївна; Булыга, Ю. И.; Чебаненко, Анатолий Павлович; Гриневич, Виктор Сергеевич; Филевская, Людмила НиколаевнаThe electrophysical characteristics comparative studies were carried out for ZnO films obtained by chemical precipitation from zinc acetate solutions and thermal oxidation of zinc films. The ZnO films showed optical absorption and band gap (2.9 to 3.2 eV) specific for this material, which indicates the presence of crystalline structure in them. The use of polyvinyl alcohol made it possible to obtain samples with the highest values of E g and electrical resistance, which is caused by the nanosize crystallites of the films. The investigated electrophysical characteristics of the ZnO films made it possible to establish the contribution of their own defects and surface states to the conductivity.Документ METHODS TO INCREASE CONDUCTIVITY OF POLYMERS IN CONDUCTIVE POLYMER/CdS SEMI- CONDUCTOR NANOCRYSTAL STRUCTURES(Астропринт, 2006) Smyntyna, Valentyn A.; Chebanenko, Anatoliy P.; Aleksandrov, A. A.; Смынтына, Валентин Андреевич; Чебаненко, Анатолий Павлович; Александров, А. А.; Сминтина, Валентин Андрійович; Чебаненко, Анатолій Павлович; Александров, А. А.The explanations to the processes passed in polymeric matrix of composite structures (conductive polymer)/(CdS semiconductor nanocrystals) at introduction of the varied additions is offered. The basic role in the process of carriers transfer in the investigated structures plays the radicals-ion, generated by current flowing on polypeptide molecules. The presence of section with negative differential resistance on volt-current characteristics can be explained by the increase in polymer resistance as a result of change in spatial configuration of gelatin molecules. The increase in conductivity of polymer at introduction of acetone addition is explained by diminishing in polymer resistance at the expense of the increase in concentration of bound water and in amount of the possible ionic paths. In the case when sodium chloride is added the increase in conductivity of polymer is explained by the raise in amount of charge carriers. Предложены пояснения к процессам, проходящим в полимерной матрице композитных структур (проводящий полимер)/(полупроводниковые нанокристаллы CdS) при введении разнообразных добавок. Основную роль в процессе переноса носителей в исследуемых структурах играют, порождаемые проходящим по молекулам полипептида током, радикал-ионы. Наличие участка отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристи- ках можно объяснить увеличением сопротивления полимера вследствие изменения пространственной конфигурации молекул желатины. Увеличение проводимости полимера при введении добавки ацетона, объясняется уменьшением сопротивления полимера за счет увеличения концентрации связанной воды и количества возможных ионных каналов. В случае добавления хлорида натрия повышение проводимости полимера объясняется увеличением количества носи- телей заряда. Запропоновані пояснення до процесів, що проходять в полімерній матриці композитних структур (провідний пол- імер)/(напівпровідникові нанокристали CdS) при введенні різноманітних добавок. Основну роль в процесі перенесення носіїв в досліджуваних структурах грають, породжувані струмом, що проходить по молекулах поліпептиду, ради- кал-іони. Наявність ділянки негативного диференціального опору на вольт-амперних характеристиках можна пояснити збільшенням опору полімеру унаслідок зміни просторової конфігурації молекул желатини. Збільшення провідності полімеру при введенні добавки ацетону, пояснюється зменшенням опору полімеру за рахунок збільшення концентрації зв'язаної води і кількості можливих іонних каналів. У разі додавання хлориду натрію підвищення провідності полімеру пояснюється збільшенням кількості носіїв заряду.Документ Photoelectric properties of the structure Cr-ZnSe Schottky barrier(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2014) Chebanenko, Anatoliy P.; Stupak, Oleksandra E.; Чебаненко, Анатолій Павлович; Ступак, Олександра Едуардівна; Чебаненко, Анатолий Павлович; Ступак, Александра ЭдуардовнаExplored the structures based on the ZnSe single crystal with a semitransparent layer of chromi¬um. The current-voltage and capacitance-voltage characteristics of the structures indicate that Cr- ZnSe contact is a lock and close in its properties to the Schottky barrier. The calculated equilibrium barrier height is 1.22 eV. In the structures in the reverse biased direction to the detected occurrence of photosensitivity wavelength region of the spectrum up to 230 nm wavelength. This is due to the deterioration of conditions for the recombination of photoexited carriers in fast recombination centers in a strong electric field in the surface region of the reverse bias pin barrier. Calculated from critical frequency of the photocurrent spectrum contact barrier height value of 1.18 eV goes with the results obtained from the C-V characteristics.Документ SnO2 and ZnO films structured using polymers for ammonia detection(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2022) Filevska, Liudmila M.; Філевська, Людмила Миколаївна; Филевская, Людмила Николаевна; Chebanenko, Anatoliy P.; Чебаненко, Анатолій Павлович; Чебаненко, Анатолий Павлович; Hrinevych, Viktor S.; Гриневич, Виктор Сергеевич; Гріневич, Віктор Сергійович; Smyntyna, Valentyn A.; Сминтина, Валентин Андрійович; Смынтына, Валентин Андреевич; Irkha, V. I.; Ірха, В. І.; Ирха, В. И.The electrophysical properties in air and in the atmosphere with ammonia vapor content of nanosized films of ZnO and SnO2 structured in the process of production using poly mers were studied. The investigated electrophysical properties of those films in air and in an atmosphere with ammonia vapors showed the presence of significant changes in the conductivity of both types of films. The nature of these changes is somewhat different. In ammonia vapors, the current in a zinc oxide film is many times greater than in air. And the tin oxide film in ammonia vapor becomes more high-resistant in comparison with its resistance in air. It was found that the conductivity of both types of films is controlled by intercrystalline potential barriers. However, upon contact with ammonia vapors, these barriers decrease in the zinc oxide films, while the opposite process is observed in the tin dioxide film. The reversible nature of the processes of ammonia molecules interaction with oxide films is observed in both cases. Both for ZnO and for SnO2 the sensitivity to ammonia is recorded already at room temperature. It was also established that the initial characteristics of both types of films were quickly restored without additional measures. These facts make the studied nanostructured films of ZnO and SnO2 using polymers to be promising material for sensitive elements for ammonia gas sensors.Документ The ammonia vapors influence on the electrical characteristics of nanosized tin dioxide films obtained using a polymer(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2020) Chebanenko, Anatoliy P.; Чебаненко, Анатолій Павлович; Чебаненко, Анатолий Павлович; Filevska, Liudmila M.; Філевська, Людмила Миколаївна; Филевская, Людмила Николаевна; Hrinevych, Viktor S.; Гріневич, Віктор Сергійович; Гриневич, Виктор Сергеевич; Smyntyna, Valentyn A.; Сминтина, Валентин Андрійович; Смынтына, Валентин Андреевич; Negrutsa, O. S.; Негруца, О. С.In the presented paper the effect of ammonia vapors on the electrical properties of nanosized tin dioxide films obtained using polymers was investigated to assess the possibility of their use as an ammonia sensor’s sensitive element at room temperature. Ammonia vapor leads to a decrease in the conductivity of the studied SnO2 films. This is due to the fact that the adsorbed ammonia molecules increase the height of the intergranular potential barriers, and the surface shut-off bend of the energy bands. The main role in this is played by the processes of physical adsorption of ammonia molecules. The sensitivity of the films to ammonia vapor is in the range of 0.35-0.63 and reaches a maximum at a voltage of 300 V. The processes of adsorption and desorption take place in two stages and are reversible, as evidenced by the calculated time constants of adsorption and desorption.Документ The electrical characteristics of nanoscale SnO2 films, structured by polymers(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016) Filevska, Liudmila M.; Chebanenko, Anatoliy P.; Hrinevych, Viktor S.; Simanovych, Nadiia S.; Філевська, Людмила Миколаївна; Чебаненко, Анатолій Павлович; Гріневич, Віктор Сергійович; Сіманович, Надія Станіславівна; Филевская, Людмила Николаевна; Чебаненко, Анатолий Павлович; Гриневич, Виктор Сергеевич; Симанович, Надежда СтаниславовнаThe electrical characteristics of nanoscale tin dioxide layer were studied. They showed the significant differences in the conductivity values of films in vacuum and in air, which indicates a visible influence of adsorption interaction with oxygen in the air. The dark current temperature dependence activation character was established due to different donors type centers contribution to the conductivity which are “shallow” at low temperatures and are more “deep” at high temperatures. The values of the energy depth of these levels were calculated. The films’ conductivity changes at their heating at vacuum and at the subsequent cooling at vacuum till the initial temperature are reversible and repeatable many times, which testifies the stability of the electrical characteristics of the SnO2 films and is perspective for use of the layers as adsorptive-sensitive elements of gas sensors.Документ The humidity and structuring additives influence on electrophysical characteristics of tin dioxide films(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2017) Chebanenko, Anatoliy P.; Filevska, Liudmila M.; Smyntyna, Valentyn A.; Simanovych, Nadiia S.; Hrinevych, Viktor S.; Чебаненко, Анатолий Павлович; Филевская, Людмила Николаевна; Смынтына, Валентин Андреевич; Симанович, Надежда Станиславовна; Чебаненко, Анатолій Павлович; Філевська, Людмила Миколаївна; Сминтина, Валентин Андрійович; Сіманович, Надія Станіславівна; Гриневич, Виктор Сергеевич; Гріневич, Віктор СергійовичThe structuring additive concentration and humidity influence on the electrophysical properties of tin dioxide films was studied. The growth of SnО2 films interelectrode resistance with the growth of polyvinyl acetate concentration in the initial solution is due to the porosity increase caused by the PVA increase in the films under study. The section of dark current temperature dependence, in vacuum from 110 °C with an activation energy ~ 0.7 eV, is due to the water molecules desorption. The resistance decrease of tin dioxide films in a wet atmosphere due to the dissociative adsorption of water molecules on the SnO2 layers surfaces has been established.Документ The influence of biological environments on the properties of nanostructured films SnO2(2016) Simanovych, N. S.; Chebanenko, Anatoliy P.; Smyntyna, Valentyn A.; Filevska, Liudmila M.; Чебаненко Анатолій ПавловичCurrently, the most practical use as a sensitive material for gas sensors of the resistive type find of nanocrystalline oxides SnO2 and In2O3. The signal of the gas sensor of the resistive type is an integral value that corresponds to content in the atmosphere of various gases as oxidizing agents and reducing agents. The greatest sensitivity of the electrical properties and reactivity of oxide semiconductor materials to change the microstructure of their surface should be expected for nanocrystalline oxide as SnO2Документ The optimization methods for the electrooptic parameters of the zns Transducers(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2001) Chebanenko, Anatoliy P.; Hrinevych, Viktor S.; Phylevskaya, L. N.; Чебаненко Анатолій ПавловичThe results of investigations in the influence of additional technological processing of electrooptical converters on their current—voltage and volt-brightness characteristics are presented in this paper. Is was stated that annealing in He gave the results close to the data for structures formed electrically.Документ The optimization methods for the electrooptic parameters of the zns Transducers(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2001) Chebanenko, Anatoliy P.; Hrinevych, Viktor S.; Phylevskaya, L. N.; Чебаненко, Анатолій ПавловичThe results of investigations in the influence of additional technological processing of electrooptical converters on their current—voltage and volt-brightness characteristics are presented in this paper. Is was stated that annealing in He gave the results close to the data for structures formed electrically.Документ The processes associated with the bifurcation in the current-voltage characteristics(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2015) Simanovych, Nadiia S.; Karakis, Yurii M.; Kutalova, Mariia I.; Chebanenko, Anatoliy P.; Zatovska, Nataliia P.; Симанович, Надежда Станиславовна; Каракис, Юрий Николаевич; Куталова, Мария Ивановна; Чебаненко, Анатолий Павлович; Затовская, Наталия Петровна; Сіманович, Надія Станіславівна; Каракіс, Юрій Миколайович; Куталова, Марія Іванівна; Чебаненко, Анатолій Павлович; Затовська, Наталія ПетрівнаThe mechanisms leading to the intersection of the dark and light current-voltage characteristics and related phenomena has been considered. The possibility of participation in it as non-equilibrium carriers in the case of solar cells, and the contribution of the equilibrium charge when the temperature impact on the reference diode has been shown. A model explaining the observed features has been built.Документ Волого і етаноло чутливість тонких плівок діоксиду олова, отриманих з використанням полімерів(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2018) Філевська, Людмила Миколаївна; Чебаненко, Анатолій Павлович; Клочков, Максим Олександрович; Гріневич, Віктор Сергійович; Сминтина, Валентин Андрійович; Filevska, Liudmila M.; Chebanenko, Anatoliy P.; Klochkov, Maksym O.; Hrinevych, Viktor S.; Smyntyna, Valentyn A.; Филевская, Людмила Николаевна; Чебаненко, Анатолий Павлович; Клочков, Максим Александрович; Гриневич, Виктор Сергеевич; Смынтына, Валентин АндреевичДосліджені електрофізичні властивості нанорозмірних шарів SnO2, отриманих з використанням ПВА у якості структуруючої добавки, в присутності парів води та етанолу при кімнатній температурі. Встановлено майже десятикратне підвищення провідності досліджуваних шарів в присутності парів води і п’ятикратне в присутності парів етанолу порівняно з значенням у сухому повітрі, пов’язане з дисоціативною адсорбцією води і етанолу на їх поверхні. Встановлений аномальний характер температурної залежності темнового струму шарів діоксиду олова в присутності парів води в інтервалі температур 40–90 oC, пов’язаний з десорбційними процесами на поверхні. Отримані результати показують можливість використання досліджуваних шарів діоксиду олова для контролю вологи і етанолу при кімнатній температурі.Документ СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОМПОЗИТОВ (ЖЕЛАТИН-АГАРОВАЯ МАТРИЦА / НАНОКРИСТАЛЛЫ А2В6)(Астропринт, 2008) Александров, А. А.; Смынтына, Валентин Андреевич; Чебаненко, Анатолий Павлович; Чебаненко, Анатолій Павлович; Chebanenko, Anatoliy P.Изучение оптических свойств наноразмерных объектов, а также структур на их основе, является в настоящее время одним из основных и перспективных направлений нанофизики и оптоэлектроники. Нами были исследованы органо¬неорганические комплексные соединения типа желатин-агаровая матрица/нанокристаллы полупроводников группы А2В6 (CdS, ZnS). Получены спектры оптического поглощения образцов различного состава с разными значениями концентрации добавок (агар, ацетон, хлорид натрия) и количеством нанокристаллов (CdS, ZnS). Проведена оценка спектральных и полупроводниковых характеристик нанокристаллов (радиус наночастиц, ширина запрещенной зоны, сдвиг края поглощения).Документ Фізика напівпровідників. Ч. 3. Процеси захоплення носіїв заряду(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2021) Чебаненко, Анатолій Павлович; Каракіс, Юрій Миколайович; Chebanenko, Anatoliy P.; Karakis, Yurii M.Навчально-методичний посібник написано відповідно до діючої програми дисципліни “Фізика напівпровідників”. Мета даного видання – допомогти студентам в їх самостійній роботі з відповідного курсу. Вказівки сприятимуть розробці у студентів навичок самостійної експериментальної роботи та застосування теоретичних знань для вирішення практичних задач. Для студентів IV-го курсу факультету математики, фізики та інформаційних технологій, що обрали спеціальності “Фізика та астрономія”, “Прикладна фізика та наноматеріали”.Документ Фізика напівпровідників. Ч. IV. Домішкова фотопровідність; рух носіїв заряду(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2023) Чебаненко, Анатолій Павлович; Каракіс, Юрій Миколайович; Chebanenko, Anatoliy P.; Karakis, Yurii M.Навчально-методичний посібник написано відповідно до діючої програми дисципліни «Фізика напівпровідників». Мета даного видання – допомогти студентам в їх самостійній роботі над відповідним курсом. Вказівки сприятимуть розробці у студентів навичок самостійної експериментальної роботи, та застосування теоретичних знань для вирішення практичних задач. Для студентів IV-го курсу факультету математики, фізики та інформаційних технологій, що обрали спеціальності «Фізика та астрономія» і «Прикладна фізика та наноматеріали».Документ Фізика напівпровідників. Ч. V. Визначення параметрів напівпровідників за допомогою оптичного збудження(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2023) Чебаненко, Анатолій Павлович; Ваксман, Юрій Федорович; Конопельська, Наталія Вікторівна; Каракіс, Юрій Миколайович; Chebanenko, Anatoliy P.; Vaksman, Yurii F.; Karakis, Yurii M.; Konopelska, Nataliia V.Навчально-методичний посібник написано відповідно до діючої програми дисципліни «Фізика напівпровідників». Мета даного видання – допомогти студентам в їх самостійній роботі над відповідним курсом. Посібник сприятиме розробці у студентів навичок самостійної експериментальної роботи та застосуванню теоретичних знань для вирішення практичних задач. Для студентів IV-го курсу факультету математики, фізики та інформаційних технологій, що обрали спеціальності «Фізика та астрономія» і «Прикладна фізика та наноматеріали».Документ Фізика напівпровідників. Ч. VI. Визначення параметрів напівпровідників без участі оптичного збудження(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2023) Чебаненко, Анатолій Павлович; Каракіс, Юрій Миколайович; Chebanenko, Anatoliy P.; Karakis, Yurii M.Навчально-методичний посібник написано відповідно до діючої програми дисципліни «Фізика напівпровідників». Мета даного видання – допомогти студентам в їх самостійній роботі над відповідним курсом. Вказівки сприятимуть розробці у студентів навичок самостійної експериментальної роботи, та застосування теоретичних знань для вирішення практичних задач. Для студентів IV-го курсу факультету математики, фізики та інформаційних технологій, що обрали спеціальності «Фізика та астрономія» і «Прикладна фізика та наноматеріали».