Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Постійне посилання зібрання
Галузь і проблематика:
Журнал "Сенсорна електроніка і мікросистемні технології" публікує статті, короткі повідомлення, листи до Редакції, а також коментарі, що містять результати фундаментальних і прикладних досліджень, за наступними напрямками:
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори.
Проектування і математичне моделювання сенсорів.
Сенсори фізичних величин.
Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори.
Акустоелектронні сенсори.
Хімічні сенсори.
Біосенсори.
Наносенсори (фізика, матеріали, технологія).
Матеріали для сенсорів.
Технологія виробництва сенсорів.
Сенсори та інформаційні системи.
Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.).
Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів.
Переглянути
Перегляд Сенсорна електроніка і мікросистемні технології за Автор "Borshchak, Vitalii A."
Зараз показуємо 1 - 6 з 6
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Signal relaxation in image sensor based on nonideal heterojunctions(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2004) Smyntyna, Valentyn A.; Borshchak, Vitalii A.; Balaban, Andrii P.; Смынтына, Валентин Андреевич; Борщак, Виталий Анатольевич; Балабан, Андрій Петрович; Сминтина, Валентин Андрійович; Борщак, Віталій Анатолійович; Балабан, А. П.Nonequilibrium charge relaxation processes in the barrier zone of nonideal heterojunction have been studied. Sensor based on nonideal heterojunctions is capable of a rather long-term storage of a latent image even at room temperature, since the image is formed by the nonequilibrium charge stored at deep traps in the space-charge region where a considerable recombination barrier is present. The signal relaxation after the exciting light switching-off was studied in four points of the sensor. The signal has been found to decrease at the same characteristic relaxation time but to differ considerably in absolute value at different points. This fact evidences that the sensor photosensitivity unhomogene-ity is caused by substantial variation of the trapping center concentration over the surface, the parameters defining the thermal emission probability being the same. Исследованы процессы релаксации неравновесного заряда в барьерной области неидеального гетероперехода. Сенсор на основе такого гетероперехода даже при комнатной температуре может достаточно долго хранить скрытое изображение, так как оно сформировано неравновесным зарядом, захваченным на глубокие ловушки в области пространственного заряда, где имеется значительный рекомбинационный барьер. Исследование релаксации сигнала после выключения возбуждающего света было выполнено в четырех точках сенсора. Установлено, что в разных точках сигнал убывает с одним и тем же характерным временем релаксации, однако сильно отличается по абсолютной величине. Это свидетельствует о том, что неоднородность сенсора по фоточувствительности вызвана существенным изменением вдоль поверхности концентрации ловушечных центров с одними и теми же параметрами, определяющими вероятность термического выброса. Досліджено процеси релаксації нерівноважного заряду в бар'єрній області неідеального гетероперехода. Сенсор на базі такого гетеропереходу навіть при кімнатній температурі може досить довго зберігати сховане зображення, тому що воно сформовано нерівновагимДокумент ДОСЛІДЖЕННЯ БАР’ЄРНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ CdS-Cu2S З ВИКОРИСТАННЯМ МЕТОДИКИ BELIV(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2013) Борщак, Виталий Анатольевич; Borshchak, Vitalii A.; Борщак, Віталій АнатолійовичУ роботі проведено дослідження концентрації вільних носіїв, їх рухливості, висоти бар'єру в зразках полікристалічних гетероструктур Cu2S-CdS з використанням методики вимірювань бар'єрних характеристик при підключенні лінійно зростаючої напруги. Виділено три типи зразків з характерним виглядом залежностей зростання струму від часу при такому зміщенні. Проведено моделювання отриманих експериментальних кривих таких залежностей. Визначено такі параметри досліджуваних гетероструктур, як концентрація вільних носіїв, рухливість, висота бар'єру. Показано, що час нанесення плівок і температура підкладки в значній мірі впливають на фотоелектричні властивості зразків за рахунок варіювання концентрації вільних носіїв і глибоких рекомбінаційних центрів, що є актуальним при оптимізації технологічних параметрів отримання сенсорів зображень на базі таких структур.Документ Дослідження компонентного складу шарів сенсорної структури CdS-Cux S(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2014) Борщак, Віталій Анатолійович; Сминтина, Валентин Андрійович; Бритавський, Євген Вікторович; Borshchak, Vitalii A.; Smyntyna, Valentyn A.; Brytavskyi, Yevhen V.; Борщак, Виталий Анатольевич; Смынтына, Валентин Андреевич; Бритавский, Евгений ВикторовичПроведено комплекс досліджень, направлених на з’ясування відхилень від стехіометрії сполуки CuxS при її формуванні та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Враховуючи, що питання про зв'язок ступеню та розподілу стехіометрії в шарі сульфіду міді з оптоелектричними властивостями гетероструктури є відкритим, інформативним та надзвичайно важливим для практичного впровадження розробленого сенсору, для великої вибірки зразків були проведені електрохімічний аналіз та дослідження методом рентгенівської дифрактометріїДокумент СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ТИПИЧНЫХ ФОТОМАТЕРИАЛОВ И ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ(Астропринт, 2008) Борщак, Віталій Анатолійович; Балабан, Андрій Петрович; Борщак, Виталий Анатольевич; Балабан, Андрей Петрович; Borshchak, Vitalii A.; Balaban, Andrii P.Проведено исследование фотоэлектрических характеристик элементов памяти на основе неидеального гетероперехода. Применение понятий сенситометрии к твердотельным элементам памяти позволило получить универсальное выражение для характеристической кривой сенсора, которое хорошо согласуется с экспериментальными данными и может быть использовано при исследовании сенситометрических характеристик подобных приборов. Сделан вывод о том, что сенсор на основе неидеального гетероперехода можно охарактеризовать с помощью классических сенситометрических характеристик, разработанных для фотографических материалов. Проведено дослідження фотоелектричних характеристик елементів пам’яті на основі неідеального гетеропереходу. Застосування понять сенситометрії до твердотільних елемент ів пам’яті дозволило одержати універсальний вираз для характеристичної кривої сенсора, який добре погоджується з експериментальними даними і може бути використаний при дослідженні сенситометричних характеристик подібних приладів. Зроблено висновок, що сенсор на основі неідеального гетеропереходу можна охарактеризувати за допомогою класичних сенситометричних характеристик, які розроблені для фотографічних матеріалів. The memory elements on the basis of nonideal heterojunction photoelectric characteristics have been researched. The sensitometry concepts application to the solid-state memory elements has allowed receiving universal expression for a sensor characteristic curve which coordinate well with the experimental data and can be used at similar devices sensitometric characteristics research. The conclusion that the sensor on the basis of nonideal heterojunction can be characterized with the help of classical sensitometric characteristics developed for photographic materials is made.Документ Структурно-фазові перетворення і електрофізичні властивості композиційних матеріалів на базі системи “SiO2-B2O3-Bi2O3-ZnO-BaO”(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2018) Лепіх, Ярослав Ілліч; Лавренова, Т. І.; Садова, Н. М.; Борщак, Виталий Анатольевич; Балабан, Андрей Петрович; Затовська, Наталія Петрівна; Lepikh, Yaroslav I.; Lavrenova, T. I.; Sadova, N. M.; Borshchak, Vitalii A.; Balaban, Andrii P.; Лепих, Ярослав Ильич; Лавренова, Т. И.; Садовая, Н. М.; Борщак, Віталій Анатолійович; Затовская, Наталия ПетровнаДосліджено процеси склоутворення, кристалізації, а також вивчені фізико - хімічні властивості системи “SiO2-B2O3-Bi2O3-ZnO-BaO” при різних співвідношеннях концентрацій вихідних компонентів і легуючих домішок, від їх гранулометричного складу з метою вибору оптимальних складів стекол для резистивних, провідникових і діелектричних шарів товстоплівкових елементів гібридних інтегральних схем, сонячних батарей, мікроелектронних сенсорів та ін. Розроблено легкоплавке скло для товстоплівкових нанокомпозитів, яке не містить токсичних сполук свинцю. У якості основного склоутворюючого компоненту обрано оксид вісмуту, який надає можливість отримувати більш легкоплавкі стекла.Документ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭДС ХОЛОСТОГО ХОДА СЕНСОРА ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ОСНОВЕ НЕИДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДА CdS-Cu2S(Одеський національний університет, 2012) Борщак, Виталий Анатольевич; Borshchak, Vitalii A.; Борщак, Віталій АнатолійовичПроведены экспериментальные исследования напряжения холостого хода сенсора оптического и рентгеновского изображений при разных условиях освещения. Установлено, что напряжение холостого хода исследуемого сенсора существенно ниже рассчитанного с использованием только термоэмиссионных моделей переноса. Показано, что для корректного расчета Uхх необходимо учитывать как процессы рекомбинации на центрах гетерограницы носителей генерированных в узкозонном материале, так и явления туннельно-прыжкового токопереноса по локализованным состояниям в области пространственного заряда широкозонного материала