Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Постійне посилання зібрання
Галузь і проблематика:
Журнал "Сенсорна електроніка і мікросистемні технології" публікує статті, короткі повідомлення, листи до Редакції, а також коментарі, що містять результати фундаментальних і прикладних досліджень, за наступними напрямками:
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори.
Проектування і математичне моделювання сенсорів.
Сенсори фізичних величин.
Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори.
Акустоелектронні сенсори.
Хімічні сенсори.
Біосенсори.
Наносенсори (фізика, матеріали, технологія).
Матеріали для сенсорів.
Технологія виробництва сенсорів.
Сенсори та інформаційні системи.
Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.).
Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів.
Переглянути
Перегляд Сенсорна електроніка і мікросистемні технології за Автор "Balaban, Andrii P."
Зараз показуємо 1 - 11 з 11
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Method of stencilling in technology of devices on surfaces acoustic waves(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2017) Lepikh, Yaroslav I.; Snigur, Pavlo O.; Balaban, Andrii P.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Снігур, Павло Олексійович; Балабан, Андрій Петрович; Лепих, Ярослав Ильич; Снегур, Павел Александрович; Балабан, Андрей ПетровичAbstract. The method of acoustoabsorber putting on acoustic ducts of devices on the surface acoustic waves, basing on stencilling which used at manufacturing of thick-film hybrid integrated circuits is described. The block diagram of technological process of acoustoabsorber deposition is given. Features of the separate operations are discussed.Документ Signal relaxation in image sensor based on nonideal heterojunctions(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2004) Smyntyna, Valentyn A.; Borshchak, Vitalii A.; Balaban, Andrii P.; Смынтына, Валентин Андреевич; Борщак, Виталий Анатольевич; Балабан, Андрій Петрович; Сминтина, Валентин Андрійович; Борщак, Віталій Анатолійович; Балабан, А. П.Nonequilibrium charge relaxation processes in the barrier zone of nonideal heterojunction have been studied. Sensor based on nonideal heterojunctions is capable of a rather long-term storage of a latent image even at room temperature, since the image is formed by the nonequilibrium charge stored at deep traps in the space-charge region where a considerable recombination barrier is present. The signal relaxation after the exciting light switching-off was studied in four points of the sensor. The signal has been found to decrease at the same characteristic relaxation time but to differ considerably in absolute value at different points. This fact evidences that the sensor photosensitivity unhomogene-ity is caused by substantial variation of the trapping center concentration over the surface, the parameters defining the thermal emission probability being the same. Исследованы процессы релаксации неравновесного заряда в барьерной области неидеального гетероперехода. Сенсор на основе такого гетероперехода даже при комнатной температуре может достаточно долго хранить скрытое изображение, так как оно сформировано неравновесным зарядом, захваченным на глубокие ловушки в области пространственного заряда, где имеется значительный рекомбинационный барьер. Исследование релаксации сигнала после выключения возбуждающего света было выполнено в четырех точках сенсора. Установлено, что в разных точках сигнал убывает с одним и тем же характерным временем релаксации, однако сильно отличается по абсолютной величине. Это свидетельствует о том, что неоднородность сенсора по фоточувствительности вызвана существенным изменением вдоль поверхности концентрации ловушечных центров с одними и теми же параметрами, определяющими вероятность термического выброса. Досліджено процеси релаксації нерівноважного заряду в бар'єрній області неідеального гетероперехода. Сенсор на базі такого гетеропереходу навіть при кімнатній температурі може досить довго зберігати сховане зображення, тому що воно сформовано нерівновагимДокумент Електромеханічний програматор для акустоелектронних сенсорів фізичних величин(2024) Лепіх, Ярослав Ілліч; Снігур, Павло Олексійович; Пічкуров, Д. П.; Балабан, Андрій Петрович; Lepikh, Yaroslav I.; Snigur, Pavlo O.; Pichkurov, D. P.; Balaban, Andrii P.Описано електромеханічний програматор, який призначений для програмування акустоелектронного вимірювача кутового переміщення, побудованого на основі ефекту залежності фазової швидкості поверхневих акустичних хвиль від напряму поширення відносно кристалографічної вісі п’єзоелектричного звукопровода.Документ Методи стабілізації характеристик датчиків на основі магніточутливих транзисторних структур(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2020) Глауберман, Михайло Абович; Глауберман, Михаил Аббович; Glauberman, Mykhailo A.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Лепих, Ярослав Ильич; Lepikh, Yaroslav I.; Балабан, Андрій Петрович; Балабан, Андрей Петрович; Balaban, Andrii P.; Снігур, Павло Олексійович ; Снегур, П. А.; Snigur, Pavlo O.Температурна нестабільність основних характеристик напівпровідникових датчиків є перешкодою їх підвищення, зокрема, роздільної здатності. В роботі розглянуті методи усунення цієї нестабільності датчиків на основі магніточутливих транзисторних структур при впливі на них температури. Методика зниження температурної нестабільності реалізується за допомогою включення в схему елементів, параметри яких залежать від температури та метод послаблення (компенсування) цього паразитного ефекту для двоколекторної магніточутливої транзисторної (ДМТ) структури завдяки спеціальному вибору зворотних зв'язків у схемі обробки сигналу.Документ Проблеми вибору ефективних методів обробки сейсмосигналів для інтелектуальних систем(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2024) Глауберман, Михайло Абович; Лепіх, Ярослав Ілліч; Максимов, Олександр Семенович; Балабан, Андрій Петрович; Glauberman, Mykhailo A.; Lepikh, Yaroslav I.; Maksymov, Oleksandr S.; Balaban, Andrii P.У роботі проведено аналіз проблеми обробки сейсмосигналів інтелектуальної автономної сейсмічної системи для розвідувально- сигналізаційних і охоронних цілей та визначено основні напрямки створення нової енергетично мало витратної сейсмічної системи подвійного призначення з підвищеною розпізнавальною дальністю виявлення рухомих об’єктів. Розглянуто різні методи обробки сейсмосигналів, їх порівняння з точки зору ефективності виходячи з особливостей їх характеристик і енергозатрат.Документ Сонячні системи на основі термічних і фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2020) Дорошенко, Олександр Вікторович; Дорошенко, Александр Викторович; Doroshenko Alexandr V.; Глауберман, Михайло Абович; Глауберман, Михаил Аббович; Glauberman, Mykhailo A.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Лепих, Ярослав Ильич; Lepikh, Yaroslav I.; Балабан, Андрій Петрович; Балабан, Андрей Петрович; Balaban, Andrii P.В оглядовій статті проаналізовано технічні і експлуатаційні характеристики розроблених на даний час сонячних систем на основі термічних і фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії і основні напрями удосконалення PV/T модулів у складі систем.Документ СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ТИПИЧНЫХ ФОТОМАТЕРИАЛОВ И ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ(Астропринт, 2008) Борщак, Віталій Анатолійович; Балабан, Андрій Петрович; Борщак, Виталий Анатольевич; Балабан, Андрей Петрович; Borshchak, Vitalii A.; Balaban, Andrii P.Проведено исследование фотоэлектрических характеристик элементов памяти на основе неидеального гетероперехода. Применение понятий сенситометрии к твердотельным элементам памяти позволило получить универсальное выражение для характеристической кривой сенсора, которое хорошо согласуется с экспериментальными данными и может быть использовано при исследовании сенситометрических характеристик подобных приборов. Сделан вывод о том, что сенсор на основе неидеального гетероперехода можно охарактеризовать с помощью классических сенситометрических характеристик, разработанных для фотографических материалов. Проведено дослідження фотоелектричних характеристик елементів пам’яті на основі неідеального гетеропереходу. Застосування понять сенситометрії до твердотільних елемент ів пам’яті дозволило одержати універсальний вираз для характеристичної кривої сенсора, який добре погоджується з експериментальними даними і може бути використаний при дослідженні сенситометричних характеристик подібних приладів. Зроблено висновок, що сенсор на основі неідеального гетеропереходу можна охарактеризувати за допомогою класичних сенситометричних характеристик, які розроблені для фотографічних матеріалів. The memory elements on the basis of nonideal heterojunction photoelectric characteristics have been researched. The sensitometry concepts application to the solid-state memory elements has allowed receiving universal expression for a sensor characteristic curve which coordinate well with the experimental data and can be used at similar devices sensitometric characteristics research. The conclusion that the sensor on the basis of nonideal heterojunction can be characterized with the help of classical sensitometric characteristics developed for photographic materials is made.Документ Структурно-фазові перетворення в плівках на границі розділу гетеросистеми «скло – кластери Ag-Pd» – Sn-Pb(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2021) Лепіх, Ярослав Ілліч; Lepikh, Yaroslav I.; Лепих, Ярослав Ильич; Лавренова, Т. І.; Лавренова, Т. И.; Lavrenova, T. I.; Балабан, Андрій Петрович; Balaban, Andrii P.; Балабан, Андрей ПетровичДосліджено структурно-фазові перетворення у плівках на границі розділу ге- теро системи «скло – кластери Ag-Pd» – Sn-Pb. Встановлено зв’язок цих перетворень з дисперсністю вихідних компонентів матеріалів системи за однакових температурних режимів обробки плівкових елементів. Показано, що структурно-фазові перетворення в контактних елементах мікроелектрон- них пристроїв гібридних інтегральних схем, сенсорів, сонячних елементів тощо виготовлених з функціональних матеріалів на основі вказаної системи можуть призводити до деградаційних процесів і, як наслідок, до зниження надійності радіоелектронних виробів.Документ Структурно-фазові перетворення і електрофізичні властивості композиційних матеріалів на базі системи “SiO2-B2O3-Bi2O3-ZnO-BaO”(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2018) Лепіх, Ярослав Ілліч; Лавренова, Т. І.; Садова, Н. М.; Борщак, Виталий Анатольевич; Балабан, Андрей Петрович; Затовська, Наталія Петрівна; Lepikh, Yaroslav I.; Lavrenova, T. I.; Sadova, N. M.; Borshchak, Vitalii A.; Balaban, Andrii P.; Лепих, Ярослав Ильич; Лавренова, Т. И.; Садовая, Н. М.; Борщак, Віталій Анатолійович; Затовская, Наталия ПетровнаДосліджено процеси склоутворення, кристалізації, а також вивчені фізико - хімічні властивості системи “SiO2-B2O3-Bi2O3-ZnO-BaO” при різних співвідношеннях концентрацій вихідних компонентів і легуючих домішок, від їх гранулометричного складу з метою вибору оптимальних складів стекол для резистивних, провідникових і діелектричних шарів товстоплівкових елементів гібридних інтегральних схем, сонячних батарей, мікроелектронних сенсорів та ін. Розроблено легкоплавке скло для товстоплівкових нанокомпозитів, яке не містить токсичних сполук свинцю. У якості основного склоутворюючого компоненту обрано оксид вісмуту, який надає можливість отримувати більш легкоплавкі стекла.Документ Установка фізичного моделювання процесів лазерної локації(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2021) Сантоній, Володимир Іванович; Сантоний, Владимир Иванович; Santonii, Volodymyr I.; Лепіх, Ярослав Ілліч; Lepikh, Yaroslav I.; Лепих, Ярослав Ильич; Янко, Володимир Васильович; Янко, Владимир Васильевич; Janko, Volodymyr V.; Будіянська, Людмила Михайлівна; Budiyanska, Ludmila M.; Будиянская, Людмила Михайловна; Іванченко, Іраїда Олександрівна; Ivanchenko, Iraida O.; Иванченко, Ираида Александровна; Балабан, Андрій Петрович; Balaban, Andrii P.; Балабан, Андрей ПетровичРозроблено установку фізичного моделювання процесів лазерної локації з урахуванням аерозольних завадових явищ природного і штучного походження та активного фонового засвічення. Установка моделює процеси виявлення і розпізнавання об'єкта лазерною інформаційно-вимірювальною системою (ЛІВС) в умовах зовнішніх дестабілізуючих чинників та перешкод в атмосферному каналі.Документ Формування омічного контакту в мікроелектронних пристроях з підкладками зі шпаристою поверхнею(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2024) Лепіх, Ярослав Ілліч; Дойчо, Ігор Костянтинович; Балабан, Андрій Петрович; Lepikh, Yaroslav I.; Doicho, Ihor K.; Balaban, Andrii P.В технології приладобудування, зокрема технології елементної бази електроніки, (гібридні інтегральні схеми (ГІС), сенсори різного призначення тощо), що використовує ансамблі наночастинок напівпровідникових та інших матеріалів у шпаристій матриці, нерідко мають місце проблеми формування омічних контактів до зазначених систем особливо коли використовуються в якості підкладок матеріали зі шпаристою поверхнею. А, як відомо, якість контактів головним чином визначає надійність пристроїв, систем і радіоелектронної апаратури в цілому. Нами запропоновано і досліджено новий ефективний спосіб формування омічного контакту на підкладках зі шпаристою поверхнею, зокрема, скла.