Peculiarities in photoexcitation of carriers from deep traps

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorDragoev, A. A.
dc.contributor.authorKarakis, Yurii M.
dc.contributor.authorKutalova, Mariia I.
dc.contributor.authorДрагоев, А. А.
dc.contributor.authorКаракис, Юрий Николаевич
dc.contributor.authorКуталова, Мария Ивановна
dc.contributor.authorДрагоєв, О. О.
dc.contributor.authorКаракіс, Юрій Миколайович
dc.contributor.authorКуталова, Марія Іванівна
dc.date.accessioned2010-09-10T07:21:26Z
dc.date.available2010-09-10T07:21:26Z
dc.date.issued2006
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2006.uk
dc.description.abstractThis work is devoted to the studies in nuances of the processes proceeding at excitation of charge carriers from bound state to current conducting one. The effect for infrared quenching of photocurrent was used as the method to investigate the mechanism of trap injection from R-centers. It was shown that after photoexcitation the hole could recurrently and spontaneously return to the source center. The anomalously low quantum yield for IR-light, and also the change in spectral distribution of quenching coefficient on applied field and light intensity point out this.en
dc.description.abstractРабота посвящена изучению процессов, протекающих при возбуждении носителей заряда из связанного в токопроводящее состояние. Использовался эффект инфракрасного гашения фототока как инструмент исследования механизма выброса дырок с R-центров. Показано, что после фотовозбуждения дырка может многократно спонтанно возвращаться на исходный центр. На это указывает аномально низкий квантовый выход для ИК-света, а также изменение спектрального распределения коэффициента гашения от приложенного поля и интенсивности света.ru
dc.description.abstractРобота присвячена вивченню процесів, що протікають при збужденні носіїв заряду зі зв'язанного в струмопровідний стан. Використовувався ефект інфрачервоного гасіння фотоструму, як інструмент дослідження механізму викиду дірок з R-центрів. Показано, що після фотовозбудження дірка може багаторазово спонтанно повертатися на вихідний центр. На це вказує аномально низький квантовий вихід для ІЧ випромінювання, а також зміна спектрального розподілу коефіцієнта гасіння від прикладеного поля і інтенсивності світла.uk
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/273
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 15
dc.titlePeculiarities in photoexcitation of carriers from deep trapsuk
dc.title.alternativeОсобенности фотовозбуждения носителей с глубоких ловушекuk
dc.title.alternativeОсобливості фотозбудження носіїв із глибоких пастокuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
54-57.pdf
Розмір:
136.43 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Photoelectronics