ЯВЛЕНИЯ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫМИ ПРОЦЕССАМИ НА ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНОК СЕЛЕНИДА КАДМИЯ

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич
dc.date.accessioned2012-10-15T07:39:58Z
dc.date.available2012-10-15T07:39:58Z
dc.date.issued1987
dc.descriptionФизика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз.uk
dc.description.abstractТермически стимулированная хемосорбция О2 и образование О- являются причиной насыщения вольтамперной характеристики темпового тока и фототока,отрицательного дифференциального сопротивления,отрицательного температурного коэффициента сопротивления.При этом в межэлектродном промежутке образуется новый тип электрической неоднородности — хемосорбционно-электрический домен.В зависимости от свойств поверхности полупроводника и конкретного механизма хемосорбционного процесса он может приводить как к повышению,так и к понижению фоточувствительности полупроводника.uk
dc.identifier.citationФизика и техника полупроводниковuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2608
dc.language.isoruuk
dc.publisherНаукаuk
dc.relation.ispartofseries;Т.21,вып.9 С.1690-1694
dc.titleЯВЛЕНИЯ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫМИ ПРОЦЕССАМИ НА ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНОК СЕЛЕНИДА КАДМИЯuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
1690-1694+.PDF
Розмір:
3.01 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Статті та доповіді ФМФІТ