Структура и свойства сенсоров на основе GaP, полученных методом лазерного легирования

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСтукалов, С. А.ru
dc.contributor.authorЕвтушенко, Н. Г.ru
dc.contributor.authorЖуков, Сергей Александровичru
dc.contributor.authorРотнер, Сергей Михайловичru
dc.contributor.authorТюрин, Александр Валентиновичru
dc.contributor.authorТюрін, Олександр Валентиновичuk
dc.contributor.authorTyurin, Oleksandr V.en
dc.contributor.authorЖуков, Сергій Олександровичuk
dc.contributor.authorZhukov, Serhii O.en
dc.date.accessioned2013-12-17T13:45:11Z
dc.date.available2013-12-17T13:45:11Z
dc.date.issued2008
dc.description3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.uk
dc.description.abstractПри лазерном легировании n-GaP<S> индием могут быть получены структуры с хорошими фотоэлектрическими свойствами, излучающие в желто-зеленой области спектра.ru
dc.identifier.citation3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/4116
dc.language.isoru
dc.publisherАстропринт
dc.subjectструктура сенсоровru
dc.subjectсвойства сенсоровru
dc.subjectлазерное легированиеru
dc.subjectGaP
dc.titleСтруктура и свойства сенсоров на основе GaP, полученных методом лазерного легированияru
dc.typeArticle
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
345.pdf
Розмір:
36.57 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Статті та доповіді ФМФІТ