Формування поверхневого провідного каналу в P-N структурах при адсорбції іонів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorПтащенко, Ф. О.
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.date.accessioned2011-08-24T12:11:42Z
dc.date.available2011-08-24T12:11:42Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractПроведено двовимірні чисельні розрахунки розподілу потенціалу і густини струму в p-n структурах на основі GaAs з урахуванням поверхневої рекомбінації та викривлення зон під дією адсорбованих іонів. Дія адсорбованих іонів, локалізованих на поверхні власного оксиду, врахована в граничних умовах наявністю сильного поверхневого електричного поля. Розрахунки підтверджують модель створення поверхневого провідного каналу під дією іонів і виявляють ряд особливостей його параметрівuk
dc.description.abstractПроведены двумерные численные расчеты распределения потенциала и плотности тока в p-n структурах на основе GaAs с учетом поверхностной рекомбинации и искривления зон под действием адсорбированных ионов. Действие адсорбированных ионов, локализованных на поверхности собственного оксида, учтено в граничных условиях наличием сильного поверхностного электрического поля. Расчеты подтверждают модель образования поверхностного проводящего канала под действием ионов и обнаруживают ряд особенностей его параметров.uk
dc.description.abstractTwo-dimensional numerical calculations of potential and current density distributions in p-n structures on GaAs were performed taking into account surface recombination, as well as the band bending due to adsorbed ions. The action of adsorbed ions, located on the surface of the natural oxide, was described in the boundary condition by the presence of a strong surface electric field. The calculations reinforce the model of the surface conductive channel forming due to the ions and reveal some features of its parameters.uk
dc.identifier.citationВісник Одеського національного університету = Odesa National University Heralduk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/1908
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseriesФіз.-мат. науки;Т. 8, вип. 2
dc.subjectp-n структуриuk
dc.subjectадсорбція іонівuk
dc.titleФормування поверхневого провідного каналу в P-N структурах при адсорбції іонівuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
226-233.pdf
Розмір:
545.02 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Дослiдження в математицi i механiцi