Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму " Фотоэлектрические процессы в полупроводниках" для студ. IV курса стационара и V курса заочного отд. физ. фак.

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгий Гаврилович
dc.contributor.authorКаракис, Юрий Николаевич
dc.contributor.authorКаракіс, Юрій Миколайович
dc.contributor.authorKarakis, Yurii M.
dc.date.accessioned2019-03-09T10:44:47Z
dc.date.available2019-03-09T10:44:47Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractНа протяжении ряда лет на физическом факультете Одесского национального университета имени И.И. Мечникова читается специальный курс “Фотоэлектрические процессы в полупроводниках” для студентов, специализирующихся по физике полупроводников и диэлектриков. Практическим подкреплением теоретических положений, рассматриваемых в данном курсе, является выполнение лабораторных работ на специальном практикуме. Этот практикум предусматривает обучение студентов различным методам определения основных параметров полупроводниковых материалов на основе изучения их фотоэлектрических характеристик. В данных методических указаниях рассмотрено 5 работ, посвященных определению скорости поверхностной рекомбинации, оптической ширины запрещённой зоны и других параметров по изучению спектрального распределения фототока; определению времени жизни и диффузионной длины неосновных носителей; а также изучению некоторых эффектов, связанных с наличием двух типов центров рекомбинации - оптического и температурного гашения. Работы выполняются на собранных установках, в которых используется стандартная современная аппаратура. Подробные схемы и детальное описание каждой установки позволяет студентам самостоятельно подготовить образцы и измерительные приборы к работе. В начале каждой работы приведён теоретический материал, позволяющий разобраться в процессах, протекающих в полупроводниках, методике измерений и расчёте параметров образцов. При вычислениях следует учитывать, что традиционно бόльшая часть величин в физике полупроводников имеет смешанную размерность – электрические параметры берутся из системы СИ (А, В, Ом), а геометрические, сечение захвата, расстояние между контактами, размеры образца и т.д. – из системы СГС (см). Поэтому все используемые в данных методических указаниях величины приводятся вместе со своей размерностью. Чтобы избежать ошибок при расчетах следует поступать таким образом. Все величины перед подстановкой в рабочие формулы необходимо перевести в систему СИ. Чаще всего это потребует переводить сантиметры или миллиметры (иногда нанометры) в метры. Ответ при этом, естественно, также будет получен в СИ. Вот его следует вернуть в общепризнанную размерность. Чаще всего это потребует переводить метры в сантиметры. Особое внимание необходимо в расчётах с применением значений температуры (измеряется во внесистемных единицах – 0С, а используется в 0К) и энергии (получается в системных единицах – Дж, а приводится во внесистемных – эВ). Для удобства в завершении методических указаний помещена таблица приставок для образования кратных и дольных величин, а также значения некоторых наиболее употребительных констант. В конце каждой работы приводится список контрольных вопросов. Вопросы повышенной сложности отделены чертой.uk
dc.identifier.citationЧемересюк, Г. Г. Методические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму " Фотоэлектрические процессы в полупроводниках" для студ. IV курса стационара и V курса заочного отд. физ. фак. / Г. Г. Чемересюк, Ю. Н. Каракис; ОНУ им. И.И. Мечникова, Физ. фак. – Одесса : Ред.-издат. центр ОНУ им. И.И. Мечникова, 2011. - 59 с.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/22713
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Ч. 1.
dc.subjectспектральное распределениеuk
dc.subjectфототок в полупроводникахuk
dc.subjectнеравновесные носители зарядаuk
dc.subjectдиффузионная длинаuk
dc.subjectнеосновные носители зарядаuk
dc.subjectоптическое (инфракрасное) гашение фототокаuk
dc.subjectтемпературное гашение фотопроводимостиuk
dc.titleМетодические указания к лабораторным работам по спецпрактикуму " Фотоэлектрические процессы в полупроводниках" для студ. IV курса стационара и V курса заочного отд. физ. фак.uk
dc.typeLearning Objectuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
karakis.pdf
Розмір:
504.25 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Підручники, навчальні посібники та інші науково- та навчально-методичні праці ФМФІТ