Анализ температурных зависимостей коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности кремниевых p-i-n-фотоприемников, предназначенных для регистрации излучения в инфракрасной области спектра, проведенный для различных плотностей дислокаций в приборах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСвиридова, О. В.
dc.contributor.authorСвірідова, О. В.
dc.contributor.authorSviridova, O. V.
dc.date.accessioned2012-11-28T10:23:35Z
dc.date.available2012-11-28T10:23:35Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractВ работе построены температурные зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n-фотоприемников для разной поверхностной плотности дислокаций; установлены механизмы изменения формы температурной зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n- фотоприемников при увеличении поверхностной плотности дислокаций.uk
dc.description.abstractВ роботі побудовано температурні залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-фотоприймачів для різної густини дислокацій; встановлено механізми зміни форми температурної залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-фотоприймачів при зростанні густини дислокацій.uk
dc.description.abstractTemperature dependences of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency of infrared silicon p-i-n-photodetectors for different superficial density of dislocations are constructed; mechanisms of change of temperature dependence form of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency for infrared silicon p-i-n-photodetectors at increase in superficial density of dislocations are obtaineduk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronіcs and Mіcrosystem Technologіesuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2705
dc.language.isoruuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Т.3(9), №3
dc.subjectдислокацииuk
dc.subjectкоэффициент усиления фототокаuk
dc.subjectквантовая эффективностьuk
dc.subjectp-i-n- фотоприемникиuk
dc.subjectдислокаціїuk
dc.subjectкоефіцієнт посилення фотострумуuk
dc.subjectквантова ефективністьuk
dc.subjectp-i-n-фотоприймачіuk
dc.subjectdislocationsuk
dc.subjectphotocurrent amplification factoruk
dc.subjectquantum efficiencyuk
dc.subjectp-i-n-photodetectorsuk
dc.titleАнализ температурных зависимостей коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности кремниевых p-i-n-фотоприемников, предназначенных для регистрации излучения в инфракрасной области спектра, проведенный для различных плотностей дислокаций в приборахuk
dc.title.alternativeАналіз температурних залежностей коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності кремнієвих p-i-n-фотоприймачів, виготовлених для реєстрації випромінення в інфрачервоній області спектру, проведений для різних густин дислокацій у приладахuk
dc.title.alternativeThe analysis of temperature dependences of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency of silicon p-i-n-photodetectors, intended for radiation registration in infrared area of spectrum, spent for various density of dislocations in devicesuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
25-33.pdf
Розмір:
1.07 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології