Дослідження компонентного складу шарів сенсорної структури CdS-Cux S

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБорщак, Віталій Анатолійовичuk
dc.contributor.authorСминтина, Валентин Андрійовичuk
dc.contributor.authorБритавський, Євген Вікторовичuk
dc.contributor.authorBorshchak, Vitalii A.en
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.en
dc.contributor.authorBrytavskyi, Yevhen V.en
dc.contributor.authorБорщак, Виталий Анатольевичru
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевичru
dc.contributor.authorБритавский, Евгений Викторовичru
dc.date.accessioned2015-03-19T13:31:44Z
dc.date.available2015-03-19T13:31:44Z
dc.date.issued2014
dc.descriptionСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журналuk
dc.description.abstractПроведено комплекс досліджень, направлених на з’ясування відхилень від стехіометрії сполуки CuxS при її формуванні та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Враховуючи, що питання про зв'язок ступеню та розподілу стехіометрії в шарі сульфіду міді з оптоелектричними властивостями гетероструктури є відкритим, інформативним та надзвичайно важливим для практичного впровадження розробленого сенсору, для великої вибірки зразків були проведені електрохімічний аналіз та дослідження методом рентгенівської дифрактометріїuk
dc.description.abstractA set of studies aimed at clarifying the deviation from the stoichiometry of CuxS compound during the formation and followed over time to establish the characteristics of changes in the chemical composition of the heterojunction components were carried out. The question of relationship between optoelectrical properties of heterostructures and distribution of stoichiometry in the layer of copper sulfide is open, informative and very important for the practical implementation of the developed sensor. Electrochemical analysis and study by X-ray diffraction for large samples set were conducted.en
dc.description.abstractПроведен комплекс исследований, направленных на выяснение отклонений от стехиометрии соединения CuxS при формировании и с последующим течением времени для установления особенностей изменения химического состава компонентов гетероперехода. Учитывая, что вопрос о связи степени и распределения стехиометрии в слое сульфида меди с оптоелектрическими свойствами гетероструктуры является открытым, информативным и чрезвычайно важным для практического внедрения разработанного сенсора, для большой выборки образцов были проведены электрохимический анализ и исследования методом рентгеновской дифрактометрии.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/6141
dc.language.isouk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Т. 11, № 4.
dc.subjectнеідеальний гетероперехідuk
dc.subjectсенсор зображеньuk
dc.subjectфазовий складuk
dc.subjectрентгеноструктурний аналізuk
dc.subjectnonideal heterojunctionen
dc.subjectimage sensoren
dc.subjectphase compositionen
dc.subjectXRDen
dc.subjectнеидеальный гетеропереходru
dc.subjectсенсор изображенийru
dc.subjectфазовый составru
dc.subjectрентгеноструктурный анализru
dc.titleДослідження компонентного складу шарів сенсорної структури CdS-Cux Suk
dc.titleInvestigation of component composition of CdS-Cux S sensoric layersen
dc.titleИсследования компонентного состава слоев сенсорной структуры CdS-Cux Sru
dc.typeArticle
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
97-102ф.pdf
Розмір:
352.17 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології