Вплив структури кремнієвих P-N переходів на їх характеристики як газових сенсорів.

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПтащенко, Ф. О.
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович
dc.contributor.authorДовганюк, Г. В.
dc.contributor.authorПтащенко, Ф. А.
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович
dc.contributor.authorДовганюк, Г. В.
dc.contributor.authorPtashchenko, F. O.
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.
dc.contributor.authorDovganyuk, G. V.
dc.date.accessioned2012-03-02T14:11:08Z
dc.date.available2012-03-02T14:11:08Z
dc.date.issued2011
dc.descriptionСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал. - Одеса : Астропринт,2011 - T.2(8)4,- укр.uk
dc.description.abstractДосліджено вплив рівня легування кремнієвих p-n переходів на їхні характеристики як сенсорів парів аміаку. Проведено чисельні двовимірні розрахунки нерівноважних поверхневих процесів у p-n переходах при адсорбції молекул донорного газу.Встановлено, що при зростанні концентрації легуючих домішок змінюється механізм чутливості сенсор ів. При низькому рівні легування газова чутливість обумовлена утворенням поверхневого каналу з електронною провідністю. У сильно легованих структурах значну роль у формуванн і поверхневого зворотного струму відіграє тунелювання електронів у поверхневий канал. Підвищення рівня легування веде до зниження фонового прямого струму сенсорів і до суттєвого зниження чутливості при низьких концентраціях парів аміаку.uk
dc.description.abstractИсследовано влияние уровня легирования кремниевых p-n переходов на их характеристики как сенсоров паров аммиака. Проведены численные двумерные расчеты неравновесных поверхностных процессов в p-n переходах при адсорбции молекул донорного газа.Обнаружено, что при повышении концентрации легирующих примесей изменяется механизм чувствительности сенсоров.При низком уровне легирования газовая чувствительность обусловлена образованием поверхностного канала с электронной проводимостью.В сильно легированных структурах значительную роль в формировании поверхностного обратного тока играет туннелирование электронов в поверхностный канал.Повышение уровня легирования ведет к снижению фонового прямого тока сенсоров та к существенному снижению чувствительности при низких концентрациях паров аммиака.uk
dc.description.abstractEffect of the doping level of silicon p-n junctions was studied on their characteristics as ammonia vapors sensors. Numerical 2-D calculations of the non-equilibrium surface processes in p-n junctions, due to the adsorption of donor gas molecules, were performed. It is established that the mechanism of the sensitivity of sensors is changed with the increase in the impurities concentrations. Under a low doping level the sensitivity is due to the forming of a surface channel with electron conductivity. In highly doped structures the electron tunneling into the surface channel plays a significant role in the reverse surface current forming. The increase in the doping level results in a lowering of the background forward current of sensors and to a significant sensitivity decrease under low ammonia vapors concentrations.uk
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystemuk
dc.identifier.urihttps://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/2264
dc.language.isoukuk
dc.publisherАстрапринтuk
dc.relation.ispartofseries;Т.2(8),№4 С.13-19
dc.subjectгазовий сенсорuk
dc.subjectчутливістьuk
dc.subjectp-n перехідuk
dc.subjectрівень легуванняuk
dc.subjectпровідний каналuk
dc.subjectтунелюванняuk
dc.subjectгазовый сенсорuk
dc.subjectчувствительностьuk
dc.subjectp-n переходuk
dc.subjectуровень легированияuk
dc.subjectпроводящий каналuk
dc.subjectтуннелированиеuk
dc.subjectgas sensoruk
dc.subjectsensitivityuk
dc.subjectp-n junctionuk
dc.subjectdoping leveluk
dc.subjectconducting channeluk
dc.subjecttunnelinguk
dc.titleВплив структури кремнієвих P-N переходів на їх характеристики як газових сенсорів.uk
dc.title.alternativeВлияние структуры кремниевых P-N переходов на их характеристики как газовых сенсоров.uk
dc.title.alternativeEFFECT OF THE STRUCURE OF SILICON P-N JUNCTIONS ON THEIR CHARACTERISTICS AS GAS SENSORSuk
dc.typeArticleuk
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
sens4_2011.13-19.pdf
Розмір:
146.4 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології